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Datasheet> 器件分类 > 存储> IDT71256L35YI8
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IDT71256L35YI8

产品描述Standard SRAM, 32KX8, 35ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28
产品类别存储   
文件大小482KB，共10页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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IDT71256L35YI8概述

Standard SRAM, 32KX8, 35ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28

IDT71256L35YI8规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码SOJ
包装说明0.300 INCH, SOJ-28
针数28
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
最长访问时间35 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-J28
JESD-609代码e0
长度17.9324 mm
内存密度262144 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量28
字数32768 words
字数代码32000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织32KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOJ
封装等效代码SOJ28,.34
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）225
电源5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度3.556 mm
最大待机电流0.0002 A
最小待机电流2 V
最大压摆率0.105 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度7.5184 mm
Base Number Matches1

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CMOS Static RAM
256K (32K x 8-Bit)
Features
High-speed address/chip select time
– Military: 25/35/45/55/70/85/100ns (max.)
– Industrial: 25/35ns (max.)
– Commercial: 20/25/35ns (max.) low power only
Low-power operation
Battery Backup operation – 2V data retention
Produced with advanced high-performance CMOS
technology
Input and output directly TTL-compatible
Available in standard 28-pin (300 or 600 mil) ceramic DIP,
28-pin (600 mil) plastic DIP, 28-pin (300 mil) SOJ and
32-pin LCC
Military product compliant to MIL-STD-883, Class B
IDT71256S
IDT71256L
◆
Description
The IDT 71256 is a 262,144-bit high-speed static RAM organized as
32K x 8. It is fabricated using IDT's high-performance, high-reliability
CMOS technology.
Address access times as fast as 20ns are available with power
consumption of only 350mW (typ.). The circuit also offers a reduced power
standby mode. When
CS
goes HIGH, the circuit will automatically go to and
remain in, a low-power standby mode as long as
CS
remains HIGH. In
the full standby mode, the low-power device consumes less than 15µW,
typically. This capability provides significant system level power and
cooling savings. The low-power (L) version also offers a battery backup
data retention capability where the circuit typically consumes only 5µW
when operating off a 2V battery.
The IDT71256 is packaged in a 28-pin (300 or 600 mil) ceramic DIP,
a 28-pin 300 mil SOJ, a 28-pin (600 mil) plastic DIP, and a 32-pin LCC
providing high board level packing densities.
The IDT71256 military RAM is manufactured in compliance with the
latest revision of MIL-STD-883, Class B, making it ideally suited to military
temperature applications demanding the highest level of performance and
reliability.
◆
◆
◆
◆
◆
◆
Functional Block Diagram
A
0
ADDRESS
DECODER
A
14
262,144 BIT
MEMORY ARRAY
V
CC
GND
I/O
0
INPUT
DATA
CIRCUIT
I/O
7
I/O CONTROL
CS
OE
WE
,
CONTROL
CIRCUIT
2946 drw 01
FEBRUARY 2001
1
©2000 Integrated Device Technology, Inc.
DSC-2946/9

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描述 Standard SRAM, 32KX8, 35ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28 Standard SRAM, 32KX8, 25ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28 Standard SRAM, 32KX8, 25ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28 Standard SRAM, 32KX8, 25ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28 Standard SRAM, 32KX8, 25ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28 Standard SRAM, 32KX8, 35ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28 Standard SRAM, 32KX8, 20ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28 Standard SRAM, 32KX8, 35ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28 Standard SRAM, 32KX8, 35ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28 Standard SRAM, 32KX8, 20ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码 SOJ SOJ SOJ SOJ SOJ SOJ SOJ SOJ SOJ SOJ
包装说明 0.300 INCH, SOJ-28 0.300 INCH, SOJ-28 0.300 INCH, SOJ-28 0.300 INCH, SOJ-28 0.300 INCH, SOJ-28 0.300 INCH, SOJ-28 0.300 INCH, SOJ-28 0.300 INCH, SOJ-28 0.300 INCH, SOJ-28 0.300 INCH, SOJ-28
针数 28 28 28 28 28 28 28 28 28 28
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最长访问时间 35 ns 25 ns 25 ns 25 ns 25 ns 35 ns 20 ns 35 ns 35 ns 20 ns
JESD-30 代码 R-PDSO-J28 R-PDSO-J28 R-PDSO-J28 R-PDSO-J28 R-PDSO-J28 R-PDSO-J28 R-PDSO-J28 R-PDSO-J28 R-PDSO-J28 R-PDSO-J28
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0
长度 17.9324 mm 17.9324 mm 17.9324 mm 17.9324 mm 17.9324 mm 17.9324 mm 17.9324 mm 17.9324 mm 17.9324 mm 17.9324 mm
内存密度 262144 bit 262144 bit 262144 bit 262144 bit 262144 bit 262144 bit 262144 bit 262144 bit 262144 bit 262144 bit
内存集成电路类型 STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM
内存宽度 8 8 8 8 8 8 8 8 8 8
湿度敏感等级 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3
功能数量 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 28 28 28 28 28 28 28 28 28 28
字数 32768 words 32768 words 32768 words 32768 words 32768 words 32768 words 32768 words 32768 words 32768 words 32768 words
字数代码 32000 32000 32000 32000 32000 32000 32000 32000 32000 32000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 70 °C 70 °C 85 °C 85 °C 70 °C 70 °C 85 °C 70 °C 70 °C
组织 32KX8 32KX8 32KX8 32KX8 32KX8 32KX8 32KX8 32KX8 32KX8 32KX8
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOJ SOJ SOJ SOJ SOJ SOJ SOJ SOJ SOJ SOJ
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度） 225 225 225 225 225 225 225 225 225 225
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 3.556 mm 3.556 mm 3.556 mm 3.556 mm 3.556 mm 3.556 mm 3.556 mm 3.556 mm 3.556 mm 3.556 mm
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL COMMERCIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn85Pb15) Tin/Lead (Sn85Pb15) Tin/Lead (Sn85Pb15) Tin/Lead (Sn85Pb15) Tin/Lead (Sn85Pb15) Tin/Lead (Sn85Pb15) Tin/Lead (Sn85Pb15) Tin/Lead (Sn85Pb15) Tin/Lead (Sn85Pb15) Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式 J BEND J BEND J BEND J BEND J BEND J BEND J BEND J BEND J BEND J BEND
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30 30 30 20 30 30 20 30 30
宽度 7.5184 mm 7.5184 mm 7.5184 mm 7.5184 mm 7.5184 mm 7.5184 mm 7.5184 mm 7.5184 mm 7.5184 mm 7.5184 mm
是否无铅 含铅 含铅 含铅 - - 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON - - COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE - - 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装等效代码 SOJ28,.34 SOJ28,.34 SOJ28,.34 - - SOJ28,.34 SOJ28,.34 SOJ28,.34 SOJ28,.34 SOJ28,.34
电源 5 V 5 V 5 V - - 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
最大待机电流 0.0002 A 0.00012 A 0.00012 A - - 0.00012 A 0.00012 A 0.0002 A 0.00012 A 0.00012 A
最小待机电流 2 V 2 V 2 V - - 2 V 2 V 2 V 2 V 2 V
最大压摆率 0.105 mA 0.115 mA 0.115 mA - - 0.105 mA 0.135 mA 0.105 mA 0.105 mA 0.135 mA
Base Number Matches 1 1 1 1 1 1 - - - -
端口数量 - 1 1 - - 1 1 - 1 1
可输出 - YES YES - - YES YES - YES YES

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