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IDT71256L25YI: 产品描述Standard SRAM, 32KX8, 25ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28; 产品类别存储; 文件大小482KB，共10页; 制造商IDT (Integrated Device Technology)

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IDT71256L25YI概述

Standard SRAM, 32KX8, 25ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28

IDT71256L25YI规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	SOJ
包装说明	0.300 INCH, SOJ-28
针数	28
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	25 ns
JESD-30 代码	R-PDSO-J28
JESD-609代码	e0
长度	17.9324 mm
内存密度	262144 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	8
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端子数量	28
字数	32768 words
字数代码	32000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	32KX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOJ
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	225
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	3.556 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式	J BEND
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	20
宽度	7.5184 mm
Base Number Matches	1

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CMOS Static RAM

256K (32K x 8-Bit)

Features

High-speed address/chip select time

– Military: 25/35/45/55/70/85/100ns (max.)

– Industrial: 25/35ns (max.)

– Commercial: 20/25/35ns (max.) low power only

Low-power operation

Battery Backup operation – 2V data retention

Produced with advanced high-performance CMOS

technology

Input and output directly TTL-compatible

Available in standard 28-pin (300 or 600 mil) ceramic DIP,

28-pin (600 mil) plastic DIP, 28-pin (300 mil) SOJ and

32-pin LCC

Military product compliant to MIL-STD-883, Class B

IDT71256S

IDT71256L

◆

Description

The IDT 71256 is a 262,144-bit high-speed static RAM organized as

32K x 8. It is fabricated using IDT's high-performance, high-reliability

CMOS technology.

Address access times as fast as 20ns are available with power

consumption of only 350mW (typ.). The circuit also offers a reduced power

standby mode. When

goes HIGH, the circuit will automatically go to and

remain in, a low-power standby mode as long as

remains HIGH. In

the full standby mode, the low-power device consumes less than 15µW,

typically. This capability provides significant system level power and

cooling savings. The low-power (L) version also offers a battery backup

data retention capability where the circuit typically consumes only 5µW

when operating off a 2V battery.

The IDT71256 is packaged in a 28-pin (300 or 600 mil) ceramic DIP,

a 28-pin 300 mil SOJ, a 28-pin (600 mil) plastic DIP, and a 32-pin LCC

providing high board level packing densities.

The IDT71256 military RAM is manufactured in compliance with the

latest revision of MIL-STD-883, Class B, making it ideally suited to military

temperature applications demanding the highest level of performance and

reliability.

◆

Functional Block Diagram

ADDRESS

DECODER

262,144 BIT

MEMORY ARRAY

GND

I/O

INPUT

DATA

CIRCUIT

I/O

I/O CONTROL

CONTROL

CIRCUIT

2946 drw 01

FEBRUARY 2001

DSC-2946/9

IDT71256L25YI相似产品对比

	IDT71256L25YI	IDT71256L25Y	IDT71256L25Y8	IDT71256L25YI8	IDT71256L35YI8	IDT71256L35Y8	IDT71256L20Y8	IDT71256L35YI	IDT71256L35Y	IDT71256L20Y
描述	Standard SRAM, 32KX8, 25ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28	Standard SRAM, 32KX8, 25ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28	Standard SRAM, 32KX8, 25ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28	Standard SRAM, 32KX8, 25ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28	Standard SRAM, 32KX8, 35ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28	Standard SRAM, 32KX8, 35ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28	Standard SRAM, 32KX8, 20ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28	Standard SRAM, 32KX8, 35ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28	Standard SRAM, 32KX8, 35ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28	Standard SRAM, 32KX8, 20ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	SOJ	SOJ	SOJ	SOJ	SOJ	SOJ	SOJ	SOJ	SOJ	SOJ
包装说明	0.300 INCH, SOJ-28	0.300 INCH, SOJ-28	0.300 INCH, SOJ-28	0.300 INCH, SOJ-28	0.300 INCH, SOJ-28	0.300 INCH, SOJ-28	0.300 INCH, SOJ-28	0.300 INCH, SOJ-28	0.300 INCH, SOJ-28	0.300 INCH, SOJ-28
针数	28	28	28	28	28	28	28	28	28	28
Reach Compliance Code	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最长访问时间	25 ns	25 ns	25 ns	25 ns	35 ns	35 ns	20 ns	35 ns	35 ns	20 ns
JESD-30 代码	R-PDSO-J28	R-PDSO-J28	R-PDSO-J28	R-PDSO-J28	R-PDSO-J28	R-PDSO-J28	R-PDSO-J28	R-PDSO-J28	R-PDSO-J28	R-PDSO-J28
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0
长度	17.9324 mm	17.9324 mm	17.9324 mm	17.9324 mm	17.9324 mm	17.9324 mm	17.9324 mm	17.9324 mm	17.9324 mm	17.9324 mm
内存密度	262144 bit	262144 bit	262144 bit	262144 bit	262144 bit	262144 bit	262144 bit	262144 bit	262144 bit	262144 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	8	8	8	8	8	8	8	8	8	8
湿度敏感等级	3	3	3	3	3	3	3	3	3	3
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	28	28	28	28	28	28	28	28	28	28
字数	32768 words	32768 words	32768 words	32768 words	32768 words	32768 words	32768 words	32768 words	32768 words	32768 words
字数代码	32000	32000	32000	32000	32000	32000	32000	32000	32000	32000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	70 °C	70 °C	85 °C	85 °C	70 °C	70 °C	85 °C	70 °C	70 °C
组织	32KX8	32KX8	32KX8	32KX8	32KX8	32KX8	32KX8	32KX8	32KX8	32KX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOJ	SOJ	SOJ	SOJ	SOJ	SOJ	SOJ	SOJ	SOJ	SOJ
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	225	225	225	225	225	225	225	225	225	225
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	3.556 mm	3.556 mm	3.556 mm	3.556 mm	3.556 mm	3.556 mm	3.556 mm	3.556 mm	3.556 mm	3.556 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn85Pb15)	Tin/Lead (Sn85Pb15)	Tin/Lead (Sn85Pb15)	Tin/Lead (Sn85Pb15)	Tin/Lead (Sn85Pb15)	Tin/Lead (Sn85Pb15)	Tin/Lead (Sn85Pb15)	Tin/Lead (Sn85Pb15)	Tin/Lead (Sn85Pb15)	Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式	J BEND	J BEND	J BEND	J BEND	J BEND	J BEND	J BEND	J BEND	J BEND	J BEND
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	20	30	30	30	30	30	30	20	30	30
宽度	7.5184 mm	7.5184 mm	7.5184 mm	7.5184 mm	7.5184 mm	7.5184 mm	7.5184 mm	7.5184 mm	7.5184 mm	7.5184 mm
Base Number Matches	1	1	1	1	1	1	-	-	-	-
是否无铅	-	含铅	含铅	-	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅
I/O 类型	-	COMMON	COMMON	-	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
端口数量	-	1	1	-	-	1	1	-	1	1
输出特性	-	3-STATE	3-STATE	-	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
可输出	-	YES	YES	-	-	YES	YES	-	YES	YES
封装等效代码	-	SOJ28,.34	SOJ28,.34	-	SOJ28,.34	SOJ28,.34	SOJ28,.34	SOJ28,.34	SOJ28,.34	SOJ28,.34
电源	-	5 V	5 V	-	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
最大待机电流	-	0.00012 A	0.00012 A	-	0.0002 A	0.00012 A	0.00012 A	0.0002 A	0.00012 A	0.00012 A
最小待机电流	-	2 V	2 V	-	2 V	2 V	2 V	2 V	2 V	2 V
最大压摆率	-	0.115 mA	0.115 mA	-	0.105 mA	0.105 mA	0.135 mA	0.105 mA	0.105 mA	0.135 mA

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