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IDT7008S35JB

产品描述Dual-Port SRAM, 64KX8, 35ns, CMOS, PQCC84, 1.15 X 1.15 INCH, 0.17 INCH HEIGHT, PLASTIC, LCC-84
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文件大小164KB,共19页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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IDT7008S35JB概述

Dual-Port SRAM, 64KX8, 35ns, CMOS, PQCC84, 1.15 X 1.15 INCH, 0.17 INCH HEIGHT, PLASTIC, LCC-84

IDT7008S35JB规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码LCC
包装说明QCCJ, LDCC84,1.2SQ
针数84
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码3A001.A.2.C
最长访问时间35 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码S-PQCC-J84
JESD-609代码e0
长度29.3116 mm
内存密度524288 bit
内存集成电路类型DUAL-PORT SRAM
内存宽度8
湿度敏感等级1
功能数量1
端口数量2
端子数量84
字数65536 words
字数代码64000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织64KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码QCCJ
封装等效代码LDCC84,1.2SQ
封装形状SQUARE
封装形式CHIP CARRIER
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)225
电源5 V
认证状态Not Qualified
筛选级别MIL-PRF-38535
座面最大高度4.57 mm
最大待机电流0.03 A
最小待机电流4.5 V
最大压摆率0.335 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度29.3116 mm
Base Number Matches1

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HIGH-SPEED
64K x 8 DUAL-PORT
STATIC RAM
Features
x
x
x
IDT7008S/L
x
x
True Dual-Ported memory cells which allow simultaneous
reads of the same memory location
High-speed access
– Military: 25/35/55ns (max.)
– Industrial: 55ns (max.)
– Commercial: 20/25/35/55ns (max.)
Low-power operation
– IDT7008S
Active: 750mW (typ.)
Standby: 5mW (typ.)
– IDT7008L
Active: 750mW (typ.)
Standby: 1mW (typ.)
Dual chip enables allow for depth expansion without
external logic
x
x
x
x
x
x
x
x
IDT7008 easily expands data bus width to 16 bits or
more using the Master/Slave select when cascading more
than one device
M/S = V
IH
for
BUSY
output flag on Master,
M/S = V
IL
for
BUSY
input on Slave
Interrupt Flag
On-chip port arbitration logic
Full on-chip hardware support of semaphore signaling
between ports
Fully asynchronous operation from either port
TTL-compatible, single 5V (±10%) power supply
Available in 84-pin PGA, 84-pin PLCC, and a 100-pin TQFP
Industrial temperature range (–40°C to +85°C) is available
for selected speeds
Functional Block Diagram
R/W
L
CE
0L
CE
1L
OE
L
R/W
R
CE
0R
CE
1R
OE
R
I/O
0-7L
I/O
Control
I/O
Control
I/O
0-7R
BUSY
L
A
15L
A
0L
(1,2)
BUSY
R
64Kx8
MEMORY
ARRAY
7008
16
16
(1,2)
Address
Decoder
Address
Decoder
A
15R
A
0R
CE
0L
CE
1L
OE
L
R/W
L
SEM
L
(2)
INT
L
ARBITRATION
INTERRUPT
SEMAPHORE
LOGIC
CE
0R
CE
1R
OE
R
R/W
R
SEM
R
(2)
INT
R
3198 drw 01
M/S
(1)
NOTES:
1.
BUSY
is an input as a Slave (M/S = V
IL
) and an output when it is a Master (M/S = V
IH
).
2.
BUSY
and
INT
are non-tri-state totem-pole outputs (push-pull).
MAY 2000
DSC 3198/6
1
©2000 Integrated Device Technology, Inc.
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