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82008013A

产品描述OTP ROM, 4KX8, 95ns, Bipolar, CQCC28, CERAMIC, LCC-28
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文件大小654KB,共20页
制造商Raytheon Company
官网地址https://www.raytheon.com/
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82008013A概述

OTP ROM, 4KX8, 95ns, Bipolar, CQCC28, CERAMIC, LCC-28

82008013A规格参数

参数名称属性值
Objectid1516189159
包装说明CERAMIC, LCC-28
Reach Compliance Codeunknown
YTEOL0
最长访问时间95 ns
JESD-30 代码S-CQCC-N28
内存密度32768 bit
内存集成电路类型OTP ROM
内存宽度8
功能数量1
端子数量28
字数4096 words
字数代码4000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织4KX8
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码QCCN
封装形状SQUARE
封装形式CHIP CARRIER
并行/串行PARALLEL
筛选级别MIL-STD-883
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术BIPOLAR
温度等级MILITARY
端子形式NO LEAD
端子位置QUAD

82008013A相似产品对比

82008013A 82008013X
描述 OTP ROM, 4KX8, 95ns, Bipolar, CQCC28, CERAMIC, LCC-28 OTP ROM, 4KX8, 95ns, Bipolar, CQCC28, CERAMIC, LCC-28
Objectid 1516189159 1516187310
包装说明 CERAMIC, LCC-28 CERAMIC, LCC-28
Reach Compliance Code unknown unknown
最长访问时间 95 ns 95 ns
JESD-30 代码 S-CQCC-N28 S-CQCC-N28
内存密度 32768 bit 32768 bit
内存集成电路类型 OTP ROM OTP ROM
内存宽度 8 8
功能数量 1 1
端子数量 28 28
字数 4096 words 4096 words
字数代码 4000 4000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C
组织 4KX8 4KX8
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码 QCCN QCCN
封装形状 SQUARE SQUARE
封装形式 CHIP CARRIER CHIP CARRIER
并行/串行 PARALLEL PARALLEL
筛选级别 MIL-STD-883 MIL-STD-883
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V
表面贴装 YES YES
技术 BIPOLAR BIPOLAR
温度等级 MILITARY MILITARY
端子形式 NO LEAD NO LEAD
端子位置 QUAD QUAD
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