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IDT6116LA20DG

产品描述Standard SRAM, 2KX8, 19ns, CMOS, CDIP24, 0.600 INCH, CERDIP-24
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文件大小284KB,共10页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
标准
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IDT6116LA20DG概述

Standard SRAM, 2KX8, 19ns, CMOS, CDIP24, 0.600 INCH, CERDIP-24

IDT6116LA20DG规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码DIP
包装说明DIP,
针数24
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最长访问时间19 ns
JESD-30 代码R-GDIP-T24
JESD-609代码e3
长度32.004 mm
内存密度16384 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
功能数量1
端口数量1
端子数量24
字数2048 words
字数代码2000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织2KX8
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码DIP
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)225
认证状态Not Qualified
座面最大高度4.826 mm
最小待机电流2 V
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层MATTE TIN
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间20
宽度15.24 mm
Base Number Matches1
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