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SFF20N60P

产品描述20 AMP / 600 Volts 0.40 ohm N-Channel Power MOSFET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小165KB,共2页
制造商SSDI
官网地址http://www.ssdi-power.com/
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

SFF20N60P概述

20 AMP / 600 Volts 0.40 ohm N-Channel Power MOSFET

SFF20N60P规格参数

参数名称属性值
厂商名称SSDI
包装说明FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3
Reach Compliance Codecompli
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压600 V
最大漏极电流 (ID)20 A
最大漏源导通电阻0.4 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-259
JESD-30 代码R-MSFM-P3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料METAL
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式PIN/PEG
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

SFF20N60P相似产品对比

SFF20N60P SFF20N60N
描述 20 AMP / 600 Volts 0.40 ohm N-Channel Power MOSFET 20 AMP / 600 Volts 0.40 ohm N-Channel Power MOSFET
厂商名称 SSDI SSDI
包装说明 FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3 FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3
Reach Compliance Code compli compli
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 600 V 600 V
最大漏极电流 (ID) 20 A 20 A
最大漏源导通电阻 0.4 Ω 0.4 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-259 TO-258AA
JESD-30 代码 R-MSFM-P3 R-MSFM-P3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 METAL METAL
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子形式 PIN/PEG PIN/PEG
端子位置 SINGLE SINGLE
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
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