20 AMP / 600 Volts 0.40 ohm N-Channel Power MOSFET
| 参数名称 | 属性值 |
| 厂商名称 | SSDI |
| 零件包装代码 | TO-258 |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3 |
| 针数 | 3 |
| Reach Compliance Code | compli |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 600 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 20 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.4 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | TO-258AA |
| JESD-30 代码 | R-MSFM-P3 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料 | METAL |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子形式 | PIN/PEG |
| 端子位置 | SINGLE |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| SFF20N60N | SFF20N60P | |
|---|---|---|
| 描述 | 20 AMP / 600 Volts 0.40 ohm N-Channel Power MOSFET | 20 AMP / 600 Volts 0.40 ohm N-Channel Power MOSFET |
| 厂商名称 | SSDI | SSDI |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3 | FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3 |
| Reach Compliance Code | compli | compli |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 600 V | 600 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 20 A | 20 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.4 Ω | 0.4 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | TO-258AA | TO-259 |
| JESD-30 代码 | R-MSFM-P3 | R-MSFM-P3 |
| 元件数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 3 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料 | METAL | METAL |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO | NO |
| 端子形式 | PIN/PEG | PIN/PEG |
| 端子位置 | SINGLE | SINGLE |
| 晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
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