14 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
14 A, 600 V, N沟道 IGBT
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | International Rectifier （ Infineon ） |
| 零件包装代码 | TO-262 |
| 包装说明 | LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3 |
| 针数 | 3 |
| Reach Compliance Code | _compli |
| 其他特性 | LOW CONDUCTION LOSS |
| 最大集电极电流 (IC) | 14 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 600 V |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最大降落时间（tf） | 1080 ns |
| 门极发射器阈值电压最大值 | 6 V |
| JEDEC-95代码 | TO-262 |
| JESD-30 代码 | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 38 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrie |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| 晶体管应用 | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 标称断开时间 (toff) | 1780 ns |
| 标称接通时间 (ton) | 106 ns |
| IRG4BC10SD-LPBF | IRG4BC10SD-SPBF | |
|---|---|---|
| 描述 | 14 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT | 14 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
| 厂商名称 | International Rectifier （ Infineon ） | International Rectifier （ Infineon ） |
| 零件包装代码 | TO-262 | D2PAK |
| 包装说明 | LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3 | LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3 |
| 针数 | 3 | 3 |
| Reach Compliance Code | _compli | _compli |
| 其他特性 | LOW CONDUCTION LOSS | LOW CONDUCTION LOSS |
| 最大集电极电流 (IC) | 14 A | 14 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 600 V | 600 V |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最大降落时间（tf） | 1080 ns | 1080 ns |
| 门极发射器阈值电压最大值 | 6 V | 6 V |
| JESD-30 代码 | R-PSIP-T3 | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码 | e3 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 | 1 |
| 元件数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 3 | 2 |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 | 260 |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 38 W | 38 W |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO | YES |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrie | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrie |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | GULL WING |
| 端子位置 | SINGLE | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 | 30 |
| 晶体管应用 | POWER CONTROL | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
| 标称断开时间 (toff) | 1780 ns | 1780 ns |
| 标称接通时间 (ton) | 106 ns | 106 ns |
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