Small Signal Bipolar Transistor
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | Toshiba(东芝) |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
Reach Compliance Code | unknown |
其他特性 | LOW NOISE |
最大集电极电流 (IC) | 0.15 A |
基于收集器的最大容量 | 3.5 pF |
集电极-发射极最大电压 | 50 V |
配置 | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 350 |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
最高工作温度 | 125 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型 | NPN |
功耗环境最大值 | 0.1 W |
最大功率耗散 (Abs) | 0.1 W |
参考标准 | AEC-Q101 |
表面贴装 | YES |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | DUAL |
晶体管应用 | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 80 MHz |
VCEsat-Max | 0.25 V |
Base Number Matches | 1 |
2SC4116-BL(TE85L,F) | 2SC4116-GR,LF(T | 2SC4116-Y,LF(T | |
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描述 | Small Signal Bipolar Transistor | Small Signal Bipolar Transistor | Small Signal Bipolar Transistor |
厂商名称 | Toshiba(东芝) | Toshiba(东芝) | Toshiba(东芝) |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown |
其他特性 | LOW NOISE | LOW NOISE | LOW NOISE |
最大集电极电流 (IC) | 0.15 A | 0.15 A | 0.15 A |
基于收集器的最大容量 | 3.5 pF | 3.5 pF | 3.5 pF |
集电极-发射极最大电压 | 50 V | 50 V | 50 V |
配置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 350 | 200 | 120 |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 | R-PDSO-G3 | R-PDSO-G3 |
元件数量 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 3 | 3 | 3 |
最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | 125 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型 | NPN | NPN | NPN |
功耗环境最大值 | 0.1 W | 0.1 W | 0.1 W |
最大功率耗散 (Abs) | 0.1 W | 0.1 W | 0.1 W |
参考标准 | AEC-Q101 | AEC-Q101 | AEC-Q101 |
表面贴装 | YES | YES | YES |
端子形式 | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL |
晶体管应用 | AMPLIFIER | AMPLIFIER | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 80 MHz | 80 MHz | 80 MHz |
VCEsat-Max | 0.25 V | 0.25 V | 0.25 V |
Base Number Matches | 1 | 1 | 1 |
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