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2SC4116-GR,LF(T

产品描述Small Signal Bipolar Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小382KB,共4页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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2SC4116-GR,LF(T概述

Small Signal Bipolar Transistor

2SC4116-GR,LF(T规格参数

参数名称属性值
厂商名称Toshiba(东芝)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Codeunknown
其他特性LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)0.15 A
基于收集器的最大容量3.5 pF
集电极-发射极最大电压50 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)200
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度125 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型NPN
功耗环境最大值0.1 W
最大功率耗散 (Abs)0.1 W
参考标准AEC-Q101
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)80 MHz
VCEsat-Max0.25 V
Base Number Matches1

2SC4116-GR,LF(T相似产品对比

2SC4116-GR,LF(T 2SC4116-BL(TE85L,F) 2SC4116-Y,LF(T
描述 Small Signal Bipolar Transistor Small Signal Bipolar Transistor Small Signal Bipolar Transistor
厂商名称 Toshiba(东芝) Toshiba(东芝) Toshiba(东芝)
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
其他特性 LOW NOISE LOW NOISE LOW NOISE
最大集电极电流 (IC) 0.15 A 0.15 A 0.15 A
基于收集器的最大容量 3.5 pF 3.5 pF 3.5 pF
集电极-发射极最大电压 50 V 50 V 50 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 200 350 120
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
元件数量 1 1 1
端子数量 3 3 3
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 NPN NPN NPN
功耗环境最大值 0.1 W 0.1 W 0.1 W
最大功率耗散 (Abs) 0.1 W 0.1 W 0.1 W
参考标准 AEC-Q101 AEC-Q101 AEC-Q101
表面贴装 YES YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL DUAL
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 80 MHz 80 MHz 80 MHz
VCEsat-Max 0.25 V 0.25 V 0.25 V
Base Number Matches 1 1 1

 
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