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2SB1424_1

产品描述Low VCE(sat) Transistor (−20V, −3A)
文件大小67KB,共4页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
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2SB1424_1概述

Low VCE(sat) Transistor (−20V, −3A)

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2SB1424 / 2SA1585S
Transistors
Low V
CE
(
sat
)
Transistor (−20V,
−3A)
2SB1424 / 2SA1585S
Features
1) Low V
CE(sat)
.
V
CE(sat)
=
−0.2V
(Typ.)
(I
C
/I
B
=
−2A
/
−0.1A)
2) Excellent DC current gain characteristics.
3) Complements the 2SD2150 / 2SC4115S.
External dimensions
(Unit : mm)
2SB1424
0.5±0.1
4.5
+0.2
−0.1
1.6±0.1
1.5±0.1
2SA1585S
4±0.2
2±0.2
3±0.2
4.0
±0.3
2.5
+0.2
−0.1
(15Min.)
(1)
(2)
(3)
0.4±0.1
1.5±0.1
1.0±0.2
0.4
+0.1
−0.05
0.45
+0.15
−0.05
Structure
Epitaxial planar type
PNP silicon transistor
0.4±0.1
1.5±0.1
0.5±0.1
3.0±0.2
3Min.
5
2.5
+0.4
−0.1
0.5
+0.15
0.45
−0.05
ROHM : MPT3
EIAJ : SC-62
(1) Base
(2) Collector
(3) Emitter
(1) (2) (3)
Abbreviated symbol: AE
Denotes h
ROHM : SPT
EIAJ : SC-72
(1) Emitter
(2) Collector
(3) Base
FE
Absolute maximum ratings
(Ta=25°C)
Parameter
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CP
Limits
−20
−20
−6
−3
−2
−5
0.5
0.4
150
−55
to 150
Unit
V
V
V
A
A(Pulse)
W
2SB1424
Collector current
2SA1585S
Collector power
dissipation
2SB1424
2SA1585S
P
C
Tj
Tstg
Junction temperature
Storage temperature
°C
°C
Single pulse Pw=10ms
Rev.A
1/3

2SB1424_1相似产品对比

2SB1424_1 2SA1585S 2SB1424
描述 Low VCE(sat) Transistor (−20V, −3A) Low VCE(sat) Transistor (−20V, −3A) Low VCE(sat) Transistor (−20V, −3A)
是否无铅 - 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 - 符合 符合
包装说明 - IN-LINE, R-PSIP-T3 SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code - compli compli
ECCN代码 - EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) - 2 A 3 A
集电极-发射极最大电压 - 20 V 20 V
配置 - SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) - 270 82
JESD-30 代码 - R-PSIP-T3 R-PSSO-F3
JESD-609代码 - e1 e2
元件数量 - 1 1
端子数量 - 3 3
封装主体材料 - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 - RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 - IN-LINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) - 260 260
极性/信道类型 - PNP PNP
最大功率耗散 (Abs) - 0.4 W 2 W
认证状态 - Not Qualified Not Qualified
表面贴装 - NO YES
端子面层 - TIN SILVER COPPER Tin/Copper (Sn/Cu)
端子形式 - THROUGH-HOLE FLAT
端子位置 - SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 - 10 10
晶体管元件材料 - SILICON SILICON
Base Number Matches - 1 1
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