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2SA1585S

产品描述Low VCE(sat) Transistor (−20V, −3A)
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小67KB,共4页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
标准
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2SA1585S概述

Low VCE(sat) Transistor (−20V, −3A)

2SA1585S规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
包装说明IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)2 A
集电极-发射极最大电压20 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)270
JESD-30 代码R-PSIP-T3
JESD-609代码e1
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)0.4 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层TIN SILVER COPPER
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间10
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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2SB1424 / 2SA1585S
Transistors
Low V
CE
(
sat
)
Transistor (−20V,
−3A)
2SB1424 / 2SA1585S
Features
1) Low V
CE(sat)
.
V
CE(sat)
=
−0.2V
(Typ.)
(I
C
/I
B
=
−2A
/
−0.1A)
2) Excellent DC current gain characteristics.
3) Complements the 2SD2150 / 2SC4115S.
External dimensions
(Unit : mm)
2SB1424
0.5±0.1
4.5
+0.2
−0.1
1.6±0.1
1.5±0.1
2SA1585S
4±0.2
2±0.2
3±0.2
4.0
±0.3
2.5
+0.2
−0.1
(15Min.)
(1)
(2)
(3)
0.4±0.1
1.5±0.1
1.0±0.2
0.4
+0.1
−0.05
0.45
+0.15
−0.05
Structure
Epitaxial planar type
PNP silicon transistor
0.4±0.1
1.5±0.1
0.5±0.1
3.0±0.2
3Min.
5
2.5
+0.4
−0.1
0.5
+0.15
0.45
−0.05
ROHM : MPT3
EIAJ : SC-62
(1) Base
(2) Collector
(3) Emitter
(1) (2) (3)
Abbreviated symbol: AE
Denotes h
ROHM : SPT
EIAJ : SC-72
(1) Emitter
(2) Collector
(3) Base
FE
Absolute maximum ratings
(Ta=25°C)
Parameter
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CP
Limits
−20
−20
−6
−3
−2
−5
0.5
0.4
150
−55
to 150
Unit
V
V
V
A
A(Pulse)
W
2SB1424
Collector current
2SA1585S
Collector power
dissipation
2SB1424
2SA1585S
P
C
Tj
Tstg
Junction temperature
Storage temperature
°C
°C
Single pulse Pw=10ms
Rev.A
1/3

2SA1585S相似产品对比

2SA1585S 2SB1424 2SB1424_1
描述 Low VCE(sat) Transistor (−20V, −3A) Low VCE(sat) Transistor (−20V, −3A) Low VCE(sat) Transistor (−20V, −3A)
是否无铅 不含铅 不含铅 -
是否Rohs认证 符合 符合 -
包装说明 IN-LINE, R-PSIP-T3 SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 -
Reach Compliance Code compli compli -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -
最大集电极电流 (IC) 2 A 3 A -
集电极-发射极最大电压 20 V 20 V -
配置 SINGLE SINGLE -
最小直流电流增益 (hFE) 270 82 -
JESD-30 代码 R-PSIP-T3 R-PSSO-F3 -
JESD-609代码 e1 e2 -
元件数量 1 1 -
端子数量 3 3 -
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY -
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR -
封装形式 IN-LINE SMALL OUTLINE -
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 -
极性/信道类型 PNP PNP -
最大功率耗散 (Abs) 0.4 W 2 W -
认证状态 Not Qualified Not Qualified -
表面贴装 NO YES -
端子面层 TIN SILVER COPPER Tin/Copper (Sn/Cu) -
端子形式 THROUGH-HOLE FLAT -
端子位置 SINGLE SINGLE -
处于峰值回流温度下的最长时间 10 10 -
晶体管元件材料 SILICON SILICON -
Base Number Matches 1 1 -

 
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