Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> IS61NLP51236-200B3

IS61NLP51236-200B3: 产品描述SRAM 18Mb 512Kx36 200Mhz Sync SRAM 3.3v; 产品类别存储存储; 文件大小582KB，共37页; 制造商ISSI(芯成半导体); 官网地址http://www.issi.com/

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IS61NLP51236-200B3概述

SRAM 18Mb 512Kx36 200Mhz Sync SRAM 3.3v

IS61NLP51236-200B3规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	ISSI(芯成半导体)
零件包装代码	BGA
包装说明	TBGA, BGA165,11X15,40
针数	165
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A
Factory Lead Time	10 weeks
最长访问时间	3.1 ns
其他特性	PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)	200 MHz
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PBGA-B165
JESD-609代码	e0
长度	15 mm
内存密度	18874368 bit
内存集成电路类型	ZBT SRAM
内存宽度	36
功能数量	1
端子数量	165
字数	524288 words
字数代码	512000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	512KX36
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TBGA
封装等效代码	BGA165,11X15,40
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	2.5/3.3,3.3 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm
最大待机电流	0.06 A
最小待机电流	3.14 V
最大压摆率	0.425 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.465 V
最小供电电压 (Vsup)	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	BALL
端子节距	1 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	13 mm
Base Number Matches	1

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IS61NLP25672/IS61NVP25672

IS61NLP51236/IS61NVP51236

IS61NLP102418/IS61NVP102418

256K x 72, 512K x 36 and 1M x 18

18Mb, PIPELINE 'NO WAIT' STATE BUS SRAM

SEPTEMBER 2011

FEATURES

• 100 percent bus utilization

• No wait cycles between Read and Write

• Internal self-timed write cycle

• Individual Byte Write Control

• Single R/W (Read/Write) control pin

• Clock controlled, registered address,

data and control

DESCRIPTION

The 18 Meg 'NLP/NVP' product family feature high-speed,

low-power synchronous static RAMs designed to provide

a burstable, high-performance, 'no wait' state, device

for networking and communications applications. They

are organized as 256K words by 72 bits, 512K words

by 36 bits and 1M words by 18 bits, fabricated with

ISSI

advanced CMOS technology.

Incorporating a 'no wait' state feature, wait cycles are

eliminated when the bus switches from read to write, or

write to read. This device integrates a 2-bit burst counter,

high-speed SRAM core, and high-drive capability outputs

into a single monolithic circuit.

All synchronous inputs pass through registers are controlled

by a positive-edge-triggered single clock input. Operations

may be suspended and all synchronous inputs ignored

when Clock Enable, CKE is HIGH. In this state the internal

device will hold their previous values.

All Read, Write and Deselect cycles are initiated by the ADV

input. When the ADV is HIGH the internal burst counter

is incremented. New external addresses can be loaded

when ADV is LOW.

Write cycles are internally self-timed and are initiated by

the rising edge of the clock inputs and when WE is LOW.

Separate byte enables allow individual bytes to be written.

A burst mode pin (MODE) defines the order of the burst

sequence. When tied HIGH, the interleaved burst sequence

is selected. When tied LOW, the linear burst sequence is

selected.

• Interleaved or linear burst sequence control us-

ing MODE input

• Three chip enables for simple depth expansion

and address pipelining

• Power Down mode

• Common data inputs and data outputs

•

CKE pin to enable clock and suspend operation

• JEDEC 100-pin TQFP, 119-ball PBGA, 165-ball

PBGA and 209-ball (x72) PBGA packages

• Power supply:

NVP: V

2.5V (± 5%), V

ddq

2.5V (± 5%)

NLP: V

3.3V (± 5%), V

ddq

3.3V/2.5V (± 5%)

• JTAG Boundary Scan for PBGA packages

• Industrial temperature available

• Lead-free available

• Leaded option available upon request

FAST ACCESS TIME

Symbol

Parameter

Clock Access Time

Cycle Time

Frequency

-250

2.6

250

-200

3.1

200

Units

MHz

liability arising out of the application or use of any information, products or services described herein. Customers are advised to obtain the latest version of this device specification before relying on

any published information and before placing orders for products.

Integrated Silicon Solution, Inc. does not recommend the use of any of its products in life support applications where the failure or malfunction of the product can reasonably be expected to cause

failure of the life support system or to significantly affect its safety or effectiveness. Products are not authorized for use in such applications unless Integrated Silicon Solution, Inc. receives written

assurance to its satisfaction, that:

a.) the risk of injury or damage has been minimized;

b.) the user assume all such risks; and

c.) potential liability of Integrated Silicon Solution, Inc is adequately protected under the circumstances

Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com

Rev. O

09/19/2011

IS61NLP51236-200B3相似产品对比

	IS61NLP51236-200B3	IS61NVP51236-200B3I	IS61NVP25672-250B1	IS61NLP51236-200B3-TR	IS61NVP51236-200B3I-TR	IS61NLP102418-200TQ-TR	IS61NLP25672-200B1	IS61NLP102418-250B3-TR
描述	SRAM 18Mb 512Kx36 200Mhz Sync SRAM 3.3v	SRAM 18Mb 512Kx36 Sync SRAM 2.5v	SRAM 18Mb 256Kx72 250Mhz 2.5v - I/O	SRAM 18Mb 512Kx36 200Mhz Sync SRAM 3.3v	SRAM 18Mb 512Kx36 Sync SRAM 2.5v	SRAM 18Mb 1Mbx18 200Mhz Sync SRAM 3.3v	SRAM 18Mb 256Kx72 200Mhz Sync SRAM 3.3v	SRAM 18Mb 1Mbx18 250Mhz Sync SRAM 3.3v
Product Attribute	-	Attribute Value	Attribute Value	Attribute Value	Attribute Value	Attribute Value	-	Attribute Value
制造商 Manufacturer	-	ISSI(芯成半导体)	ISSI(芯成半导体)	ISSI(芯成半导体)	ISSI(芯成半导体)	ISSI(芯成半导体)	-	ISSI(芯成半导体)
产品种类 Product Category	-	SRAM	SRAM	SRAM	SRAM	SRAM	-	SRAM
RoHS	-	N	N	N	N	N	-	N
Memory Size	-	18 Mbit	18 Mbit	18 Mbit	18 Mbit	18 Mbit	-	18 Mbit
Organization	-	512 k x 36	256 k x 72	512 k x 36	512 k x 36	1 M x 18	-	1 M x 18
Access Time	-	3.1 ns	2.6 ns	3.1 ns	3.1 ns	3.1 ns	-	2.6 ns
Maximum Clock Frequency	-	200 MHz	250 MHz	200 MHz	200 MHz	200 MHz	-	250 MHz
接口类型 Interface Type	-	Parallel	Parallel	Parallel	Parallel	Parallel	-	Parallel
电源电压-最大 Supply Voltage - Max	-	2.625 V	2.625 V	3.465 V	2.625 V	3.465 V	-	3.465 V
电源电压-最小 Supply Voltage - Min	-	2.375 V	2.375 V	3.135 V	2.375 V	3.135 V	-	3.135 V
Supply Current - Max	-	475 mA	600 mA	425 mA	475 mA	425 mA	-	450 mA
最小工作温度 Minimum Operating Temperature	-	- 40 C	0 C	0 C	- 40 C	0 C	-	0 C
最大工作温度 Maximum Operating Temperature	-	+ 85 C	+ 70 C	+ 70 C	+ 85 C	+ 70 C	-	+ 70 C
安装风格 Mounting Style	-	SMD/SMT	SMD/SMT	SMD/SMT	SMD/SMT	SMD/SMT	-	SMD/SMT
封装 / 箱体 Package / Case	-	FBGA-165	PBGA-209	FBGA-165	FBGA-165	TQFP-100	-	FBGA-165
系列 Packaging	-	Tray	Tube	Reel	Reel	Reel	-	Reel
数据速率 Data Rate	-	SDR	SDR	SDR	SDR	SDR	-	SDR
类型 Type	-	Synchronous	Synchronous	Synchronous	Synchronous	Synchronous	-	Synchronous
Number of Ports	-	4	8	4	4	2	-	2
Moisture Sensitive	-	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes	-	Yes
工厂包装数量 Factory Pack Quantity	-	144	84	2000	2000	800	-	2000

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