DRAM
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 包装说明 | TFBGA, |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Factory Lead Time | 8 weeks |
| 访问模式 | FOUR BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间 | 6.5 ns |
| 其他特性 | AUTO/SELF REFRESH |
| JESD-30 代码 | S-PBGA-B54 |
| 长度 | 8 mm |
| 内存密度 | 134217728 bit |
| 内存集成电路类型 | SYNCHRONOUS DRAM |
| 内存宽度 | 16 |
| 湿度敏感等级 | 3 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 1 |
| 端子数量 | 54 |
| 字数 | 8388608 words |
| 字数代码 | 8000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 105 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 组织 | 8MX16 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TFBGA |
| 封装形状 | SQUARE |
| 封装形式 | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 座面最大高度 | 1.2 mm |
| 自我刷新 | YES |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子形式 | BALL |
| 端子节距 | 0.8 mm |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 8 mm |
| Base Number Matches | 1 |
| AS4C8M16SA-6BAN | AS4C8M16SA-6BANTR | 231290763703 | |
|---|---|---|---|
| 描述 | DRAM | DRAM | Fixed Resistor, Metal Film, 0.25W, 37000ohm, 200V, 0.25% +/-Tol, 15ppm/Cel, Through Hole Mount, AXIAL LEADED, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT |
| 是否Rohs认证 | 符合 | - | 符合 |
| 包装说明 | TFBGA, | - | AXIAL LEADED, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT |
| Reach Compliance Code | compliant | - | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 | - | EAR99 |
| 其他特性 | AUTO/SELF REFRESH | - | LASER TRIMMABLE, PRECISION, RATED AC VOLTAGE(V): 200 |
| 端子数量 | 54 | - | 2 |
| 最高工作温度 | 105 °C | - | 125 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C | - | -55 °C |
| 封装形状 | SQUARE | - | TUBULAR PACKAGE |
| 封装形式 | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | - | Axial |
| 表面贴装 | YES | - | NO |
| 技术 | CMOS | - | METAL FILM |
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