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AS4C8M16SA-6BANTR

产品描述DRAM
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文件大小1MB,共54页
制造商Alliance Memory
标准
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AS4C8M16SA-6BANTR概述

DRAM

AS4C8M16SA-6BANTR规格参数

参数名称属性值
Product AttributeAttribute Value
制造商
Manufacturer
Alliance Memory
产品种类
Product Category
DRAM
RoHSDetails
类型
Type
SDRAM
Data Bus Width16 bit
Organization8 M x 16
封装 / 箱体
Package / Case
TFBGA-54
Memory Size128 Mbit
Maximum Clock Frequency166 MHz
Access Time5 ns
电源电压-最大
Supply Voltage - Max
3.6 V
电源电压-最小
Supply Voltage - Min
3 V
Supply Current - Max60 mA
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 40 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 105 C
系列
Packaging
Reel
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT
Moisture SensitiveYes
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
2500

AS4C8M16SA-6BANTR相似产品对比

AS4C8M16SA-6BANTR AS4C8M16SA-6BAN 231290763703
描述 DRAM DRAM Fixed Resistor, Metal Film, 0.25W, 37000ohm, 200V, 0.25% +/-Tol, 15ppm/Cel, Through Hole Mount, AXIAL LEADED, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT
是否Rohs认证 - 符合 符合
包装说明 - TFBGA, AXIAL LEADED, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT
Reach Compliance Code - compliant unknown
ECCN代码 - EAR99 EAR99
其他特性 - AUTO/SELF REFRESH LASER TRIMMABLE, PRECISION, RATED AC VOLTAGE(V): 200
端子数量 - 54 2
最高工作温度 - 105 °C 125 °C
最低工作温度 - -40 °C -55 °C
封装形状 - SQUARE TUBULAR PACKAGE
封装形式 - GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH Axial
表面贴装 - YES NO
技术 - CMOS METAL FILM

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