256Mb F-die DDR400 SDRAM Specification
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | SAMSUNG(三星) |
包装说明 | TSSOP, TSSOP66,.46 |
Reach Compliance Code | compli |
最大时钟频率 (fCLK) | 200 MHz |
I/O 类型 | COMMON |
交错的突发长度 | 2,4,8 |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G66 |
JESD-609代码 | e0 |
内存密度 | 268435456 bi |
内存集成电路类型 | DDR DRAM |
内存宽度 | 8 |
端子数量 | 66 |
字数 | 33554432 words |
字数代码 | 32000000 |
最高工作温度 | 70 °C |
最低工作温度 | |
组织 | 32MX8 |
输出特性 | 3-STATE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | TSSOP |
封装等效代码 | TSSOP66,.46 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
电源 | 2.6 V |
认证状态 | Not Qualified |
刷新周期 | 8192 |
连续突发长度 | 2,4,8 |
最大待机电流 | 0.004 A |
最大压摆率 | 0.31 mA |
标称供电电压 (Vsup) | 2.6 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | GULL WING |
端子节距 | 0.635 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
K4H560838F-TCCC | K4H560838F-TCC4 | K4H560838F-TC | K4H561638F-TCCC | K4H561638F-TCC4 | |
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描述 | 256Mb F-die DDR400 SDRAM Specification | 256Mb F-die DDR400 SDRAM Specification | 256Mb F-die DDR400 SDRAM Specification | 256Mb F-die DDR400 SDRAM Specification | 256Mb F-die DDR400 SDRAM Specification |
是否无铅 | 含铅 | - | - | 含铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | - | 不符合 | 不符合 |
厂商名称 | SAMSUNG(三星) | SAMSUNG(三星) | - | SAMSUNG(三星) | SAMSUNG(三星) |
包装说明 | TSSOP, TSSOP66,.46 | TSSOP, TSSOP66,.46 | - | TSOP2, TSSOP66,.46 | TSOP2, TSSOP66,.46 |
Reach Compliance Code | compli | compli | - | compliant | compli |
最大时钟频率 (fCLK) | 200 MHz | 200 MHz | - | 200 MHz | 200 MHz |
I/O 类型 | COMMON | COMMON | - | COMMON | COMMON |
交错的突发长度 | 2,4,8 | 2,4,8 | - | 2,4,8 | 2,4,8 |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G66 | R-PDSO-G66 | - | R-PDSO-G66 | R-PDSO-G66 |
JESD-609代码 | e0 | e0 | - | e0 | e0 |
内存密度 | 268435456 bi | 268435456 bi | - | 268435456 bit | 268435456 bi |
内存集成电路类型 | DDR DRAM | DDR DRAM | - | DDR DRAM | DDR DRAM |
内存宽度 | 8 | 8 | - | 16 | 16 |
端子数量 | 66 | 66 | - | 66 | 66 |
字数 | 33554432 words | 33554432 words | - | 16777216 words | 16777216 words |
字数代码 | 32000000 | 32000000 | - | 16000000 | 16000000 |
最高工作温度 | 70 °C | 70 °C | - | 70 °C | 70 °C |
组织 | 32MX8 | 32MX8 | - | 16MX16 | 16MX16 |
输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | - | 3-STATE | 3-STATE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | - | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | TSSOP | TSSOP | - | TSOP2 | TSOP2 |
封装等效代码 | TSSOP66,.46 | TSSOP66,.46 | - | TSSOP66,.46 | TSSOP66,.46 |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH | - | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | - | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
电源 | 2.6 V | 2.6 V | - | 2.6 V | 2.6 V |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | - | Not Qualified | Not Qualified |
刷新周期 | 8192 | 8192 | - | 8192 | 8192 |
连续突发长度 | 2,4,8 | 2,4,8 | - | 2,4,8 | 2,4,8 |
最大待机电流 | 0.004 A | 0.004 A | - | 0.004 A | 0.004 A |
最大压摆率 | 0.31 mA | 0.35 mA | - | 0.38 mA | 0.38 mA |
标称供电电压 (Vsup) | 2.6 V | 2.6 V | - | 2.6 V | 2.6 V |
表面贴装 | YES | YES | - | YES | YES |
技术 | CMOS | CMOS | - | CMOS | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL | - | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | - | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | GULL WING | GULL WING | - | GULL WING | GULL WING |
端子节距 | 0.635 mm | 0.635 mm | - | 0.65 mm | 0.65 mm |
端子位置 | DUAL | DUAL | - | DUAL | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | - | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
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