256Mb F-die DDR400 SDRAM Specification
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | SAMSUNG(三星) |
| 包装说明 | TSSOP, TSSOP66,.46 |
| Reach Compliance Code | compli |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 200 MHz |
| I/O 类型 | COMMON |
| 交错的突发长度 | 2,4,8 |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G66 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 内存密度 | 268435456 bi |
| 内存集成电路类型 | DDR DRAM |
| 内存宽度 | 8 |
| 端子数量 | 66 |
| 字数 | 33554432 words |
| 字数代码 | 32000000 |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 32MX8 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TSSOP |
| 封装等效代码 | TSSOP66,.46 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
| 电源 | 2.6 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 刷新周期 | 8192 |
| 连续突发长度 | 2,4,8 |
| 最大待机电流 | 0.004 A |
| 最大压摆率 | 0.35 mA |
| 标称供电电压 (Vsup) | 2.6 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子节距 | 0.635 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| K4H560838F-TCC4 | K4H560838F-TC | K4H560838F-TCCC | K4H561638F-TCCC | K4H561638F-TCC4 | |
|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | 256Mb F-die DDR400 SDRAM Specification | 256Mb F-die DDR400 SDRAM Specification | 256Mb F-die DDR400 SDRAM Specification | 256Mb F-die DDR400 SDRAM Specification | 256Mb F-die DDR400 SDRAM Specification |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | - | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | SAMSUNG(三星) | - | SAMSUNG(三星) | SAMSUNG(三星) | SAMSUNG(三星) |
| 包装说明 | TSSOP, TSSOP66,.46 | - | TSSOP, TSSOP66,.46 | TSOP2, TSSOP66,.46 | TSOP2, TSSOP66,.46 |
| Reach Compliance Code | compli | - | compli | compliant | compli |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 200 MHz | - | 200 MHz | 200 MHz | 200 MHz |
| I/O 类型 | COMMON | - | COMMON | COMMON | COMMON |
| 交错的突发长度 | 2,4,8 | - | 2,4,8 | 2,4,8 | 2,4,8 |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G66 | - | R-PDSO-G66 | R-PDSO-G66 | R-PDSO-G66 |
| JESD-609代码 | e0 | - | e0 | e0 | e0 |
| 内存密度 | 268435456 bi | - | 268435456 bi | 268435456 bit | 268435456 bi |
| 内存集成电路类型 | DDR DRAM | - | DDR DRAM | DDR DRAM | DDR DRAM |
| 内存宽度 | 8 | - | 8 | 16 | 16 |
| 端子数量 | 66 | - | 66 | 66 | 66 |
| 字数 | 33554432 words | - | 33554432 words | 16777216 words | 16777216 words |
| 字数代码 | 32000000 | - | 32000000 | 16000000 | 16000000 |
| 最高工作温度 | 70 °C | - | 70 °C | 70 °C | 70 °C |
| 组织 | 32MX8 | - | 32MX8 | 16MX16 | 16MX16 |
| 输出特性 | 3-STATE | - | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | - | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TSSOP | - | TSSOP | TSOP2 | TSOP2 |
| 封装等效代码 | TSSOP66,.46 | - | TSSOP66,.46 | TSSOP66,.46 | TSSOP66,.46 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH | - | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 电源 | 2.6 V | - | 2.6 V | 2.6 V | 2.6 V |
| 认证状态 | Not Qualified | - | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 刷新周期 | 8192 | - | 8192 | 8192 | 8192 |
| 连续突发长度 | 2,4,8 | - | 2,4,8 | 2,4,8 | 2,4,8 |
| 最大待机电流 | 0.004 A | - | 0.004 A | 0.004 A | 0.004 A |
| 最大压摆率 | 0.35 mA | - | 0.31 mA | 0.38 mA | 0.38 mA |
| 标称供电电压 (Vsup) | 2.6 V | - | 2.6 V | 2.6 V | 2.6 V |
| 表面贴装 | YES | - | YES | YES | YES |
| 技术 | CMOS | - | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL | - | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | - | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | GULL WING | - | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
| 端子节距 | 0.635 mm | - | 0.635 mm | 0.65 mm | 0.65 mm |
| 端子位置 | DUAL | - | DUAL | DUAL | DUAL |
| 是否无铅 | - | - | 含铅 | 含铅 | 含铅 |
| 峰值回流温度（摄氏度） | - | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | - | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
