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W332M72V-100SBM

产品描述32M X 72 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PBGA208
产品类别存储    存储   
文件大小473KB,共15页
制造商White Electronic Designs Corporation
官网地址http://www.wedc.com/
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W332M72V-100SBM在线购买

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W332M72V-100SBM概述

32M X 72 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PBGA208

32M × 72 同步动态随机存取存储器, 6 ns, PBGA208

W332M72V-100SBM规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称White Electronic Designs Corporation
包装说明BGA, BGA208,11X19,40
Reach Compliance Codeunknow
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间7 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)100 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PBGA-B208
长度22 mm
内存密度2415919104 bi
内存集成电路类型SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度72
功能数量1
端口数量1
端子数量208
字数33554432 words
字数代码32000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织32MX72
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码BGA
封装等效代码BGA208,11X19,40
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
座面最大高度3.63 mm
自我刷新YES
最大待机电流0.225 A
最大压摆率0.575 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子形式BALL
端子节距1 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度16 mm

W332M72V-100SBM相似产品对比

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描述 32M X 72 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PBGA208 32M X 72 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PBGA208 32M X 72 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PBGA208 32M X 72 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PBGA208 32M X 72 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PBGA208 32M X 72 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PBGA208 32M X 72 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PBGA208
内存宽度 72 72 72 72 72 72 72
功能数量 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 208 208 208 208 208 208 208
组织 32MX72 32MX72 32MX72 32MX72 32MX72 32MX72 32MX72
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES
温度等级 MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY COMMERCIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子形式 BALL BALL BALL BALL BALL BALL BALL
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 - 不符合 不符合 不符合
厂商名称 White Electronic Designs Corporation White Electronic Designs Corporation White Electronic Designs Corporation - White Electronic Designs Corporation White Electronic Designs Corporation White Electronic Designs Corporation
包装说明 BGA, BGA208,11X19,40 BGA, BGA208,11X19,40 BGA, BGA208,11X19,40 - BGA, BGA208,11X19,40 BGA, BGA208,11X19,40 BGA, BGA208,11X19,40
Reach Compliance Code unknow unknow unknow - unknow unknow unknown
访问模式 FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST - FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间 7 ns 6 ns 5.5 ns - 5.5 ns 5.5 ns 7 ns
其他特性 AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH - AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK) 100 MHz 125 MHz 133 MHz - 133 MHz 133 MHz 100 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON - COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-PBGA-B208 R-PBGA-B208 R-PBGA-B208 - R-PBGA-B208 R-PBGA-B208 R-PBGA-B208
内存密度 2415919104 bi 2415919104 bi 2415919104 bi - 2415919104 bi 2415919104 bi 2415919104 bit
内存集成电路类型 SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM - SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM
端口数量 1 1 1 - 1 1 1
字数 33554432 words 33554432 words 33554432 words - 33554432 words 33554432 words 33554432 words
字数代码 32000000 32000000 32000000 - 32000000 32000000 32000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS - SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C - 70 °C 85 °C 85 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C - - -40 °C -40 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 BGA BGA BGA - BGA BGA BGA
封装等效代码 BGA208,11X19,40 BGA208,11X19,40 BGA208,11X19,40 - BGA208,11X19,40 BGA208,11X19,40 BGA208,11X19,40
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY GRID ARRAY GRID ARRAY - GRID ARRAY GRID ARRAY GRID ARRAY
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 3.3 V 3.3 V 3.3 V - 3.3 V 3.3 V 3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified - Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 8192 8192 8192 - 8192 8192 8192
自我刷新 YES YES YES - YES YES YES
最大待机电流 0.225 A 0.225 A 0.225 A - 0.225 A 0.225 A 0.225 A
最大压摆率 0.575 mA 0.575 mA 0.575 mA - 0.575 mA 0.575 mA 0.575 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V - 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 3 V - 3 V 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V - 3.3 V 3.3 V 3.3 V
技术 CMOS CMOS CMOS - CMOS CMOS CMOS
端子节距 1 mm 1 mm 1 mm - 1 mm 1 mm 1 mm
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED

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