30DF2概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.66A, 200V V(RRM), Silicon,

30DF2规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Nihon Inter Electronics Corporation
包装说明	O-PALF-W2
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
其他特性	LOW POWER LOSS
应用	SUPER FAST RECOVERY
外壳连接	ISOLATED
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1.05 V
JESD-30 代码	O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流	110 A
元件数量	1
相数	1
端子数量	2
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-40 °C
最大输出电流	1.66 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND
封装形式	LONG FORM
认证状态	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	200 V
最大反向电流	5 µA
最大反向恢复时间	0.2 µs
表面贴装	NO
端子形式	WIRE
端子位置	AXIAL
Base Number Matches	1

This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer

	30DF2	30DF1
描述	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.66A, 200V V(RRM), Silicon,	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.66A, 100V V(RRM), Silicon
包装说明	O-PALF-W2	O-PALF-W2
Reach Compliance Code	unknown	unknown
其他特性	LOW POWER LOSS	LOW POWER LOSS
应用	SUPER FAST RECOVERY	SUPER FAST RECOVERY
外壳连接	ISOLATED	ISOLATED
配置	SINGLE	SINGLE
二极管元件材料	SILICON	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1.05 V	1.05 V
JESD-30 代码	O-PALF-W2	O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流	110 A	110 A
元件数量	1	1
相数	1	1
端子数量	2	2
最高工作温度	150 °C	150 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C
最大输出电流	1.66 A	1.66 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND	ROUND
封装形式	LONG FORM	LONG FORM
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	200 V	100 V
最大反向电流	5 µA	5 µA
最大反向恢复时间	0.2 µs	0.2 µs
表面贴装	NO	NO
端子形式	WIRE	WIRE
端子位置	AXIAL	AXIAL
Base Number Matches	1	1

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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