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30DF1

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.66A, 100V V(RRM), Silicon
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小56KB,共2页
制造商Nihon Inter Electronics Corporation
官网地址http://www.niec.co.jp
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30DF1概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.66A, 100V V(RRM), Silicon

30DF1规格参数

参数名称属性值
包装说明O-PALF-W2
Reach Compliance Codeunknown
其他特性LOW POWER LOSS
应用SUPER FAST RECOVERY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.05 V
JESD-30 代码O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流110 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-40 °C
最大输出电流1.66 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压100 V
最大反向电流5 µA
最大反向恢复时间0.2 µs
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
Base Number Matches1

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This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer

30DF1相似产品对比

30DF1 30DF2
描述 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.66A, 100V V(RRM), Silicon Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.66A, 200V V(RRM), Silicon,
包装说明 O-PALF-W2 O-PALF-W2
Reach Compliance Code unknown unknown
其他特性 LOW POWER LOSS LOW POWER LOSS
应用 SUPER FAST RECOVERY SUPER FAST RECOVERY
外壳连接 ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.05 V 1.05 V
JESD-30 代码 O-PALF-W2 O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流 110 A 110 A
元件数量 1 1
相数 1 1
端子数量 2 2
最高工作温度 150 °C 150 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C
最大输出电流 1.66 A 1.66 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM LONG FORM
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 100 V 200 V
最大反向电流 5 µA 5 µA
最大反向恢复时间 0.2 µs 0.2 µs
表面贴装 NO NO
端子形式 WIRE WIRE
端子位置 AXIAL AXIAL
Base Number Matches 1 1

 
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