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2SC5975

产品描述SILICON NPN EPITAXIAL HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER / OSCILLATOR
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小236KB,共18页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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2SC5975概述

SILICON NPN EPITAXIAL HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER / OSCILLATOR

2SC5975规格参数

参数名称属性值
包装说明MFPAK-4
针数4
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.035 A
基于收集器的最大容量0.6 pF
集电极-发射极最大电压4 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)70
最高频带HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码R-PDSO-F4
元件数量1
端子数量4
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.2 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)20000 MHz
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