11 A, 600 V, 0.38 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Infineon(英飞凌) |
| 包装说明 | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| Reach Compliance Code | compli |
| 其他特性 | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas） | 340 mJ |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 600 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 11 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.38 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | TO-262AA |
| JESD-30 代码 | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 33 A |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | MATTE TIN |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| Q67042-S4403 | Q67040-S4396 | Q67040-S4395 | SPBI11N60C3 | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | 11 A, 600 V, 0.38 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB | 11 A, 600 V, 0.38 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB | 11 A, 600 V, 0.38 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB | 11 A, 600 V, 0.38 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
| 元件数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 3 | 2 | 3 | 2 |
| 表面贴装 | NO | YES | NO | Yes |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | GULL WING | THROUGH-HOLE | GULL WING |
| 端子位置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE | 单一的 |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON | 硅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 符合 | - |
| 厂商名称 | Infineon(英飞凌) | Infineon(英飞凌) | Infineon(英飞凌) | - |
| 包装说明 | IN-LINE, R-PSIP-T3 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | - |
| Reach Compliance Code | compli | compli | compli | - |
| 其他特性 | AVALANCHE RATED | AVALANCHE RATED | AVALANCHE RATED | - |
| 雪崩能效等级（Eas） | 340 mJ | 340 mJ | 340 mJ | - |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - |
| 最小漏源击穿电压 | 600 V | 600 V | 600 V | - |
| 最大漏极电流 (ID) | 11 A | 11 A | 11 A | - |
| 最大漏源导通电阻 | 0.38 Ω | 0.38 Ω | 0.38 Ω | - |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - |
| JEDEC-95代码 | TO-262AA | TO-263AB | TO-220AB | - |
| JESD-30 代码 | R-PSIP-T3 | R-PSSO-G2 | R-PSFM-T3 | - |
| JESD-609代码 | e3 | e3 | e3 | - |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | - |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | - |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | - |
| 封装形式 | IN-LINE | SMALL OUTLINE | FLANGE MOUNT | - |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL | - |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 33 A | 33 A | 33 A | - |
| 端子面层 | MATTE TIN | Matte Tin (Sn) | MATTE TIN | - |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - |
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
