SPBI11N60C3,SPBI11N60C3 pdf中文资料,SPBI11N60C3引脚图,SPBI11N60C3电路-Datasheet-电子工程世界

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SPBI11N60C3: 产品描述11 A, 600 V, 0.38 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小195KB，共14页; 制造商Infineon(英飞凌); 官网地址http://www.infineon.com/

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SPBI11N60C3概述

11 A, 600 V, 0.38 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB

SPBI11N60C3规格参数

参数名称	属性值
端子数量	2
最小击穿电压	600 V
加工封装描述	绿色, 塑料, TO-263, 3 PIN
无铅	Yes
状态	ACTIVE
包装形状	矩形的
包装尺寸	SMALL OUTLINE
表面贴装	Yes
端子形式	GULL WING
端子涂层	MATTE 锡
端子位置	单一的
包装材料	塑料/环氧树脂
结构	单一的 WITH BUILT-IN 二极管
元件数量	1
晶体管元件材料	硅
通道类型	N沟道
场效应晶体管技术	金属-OXIDE SEMICONDUCTOR
操作模式	ENHANCEMENT
晶体管类型	通用电源
最大漏电流	11 A
额定雪崩能量	340 mJ
最大漏极导通电阻	0.3800 ohm
最大漏电流脉冲	33 A

SPBI11N60C3相似产品对比

	SPBI11N60C3	Q67040-S4396	Q67040-S4395	Q67042-S4403
描述	11 A, 600 V, 0.38 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB	11 A, 600 V, 0.38 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB	11 A, 600 V, 0.38 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB	11 A, 600 V, 0.38 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
端子数量	2	2	3	3
表面贴装	Yes	YES	NO	NO
端子形式	GULL WING	GULL WING	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子位置	单一的	SINGLE	SINGLE	SINGLE
元件数量	1	1	1	1
晶体管元件材料	硅	SILICON	SILICON	SILICON
是否Rohs认证	-	符合	符合	符合
厂商名称	-	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)
包装说明	-	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Code	-	compli	compli	compli
其他特性	-	AVALANCHE RATED	AVALANCHE RATED	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）	-	340 mJ	340 mJ	340 mJ
配置	-	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	-	600 V	600 V	600 V
最大漏极电流 (ID)	-	11 A	11 A	11 A
最大漏源导通电阻	-	0.38 Ω	0.38 Ω	0.38 Ω
FET 技术	-	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	-	TO-263AB	TO-220AB	TO-262AA
JESD-30 代码	-	R-PSSO-G2	R-PSFM-T3	R-PSIP-T3
JESD-609代码	-	e3	e3	e3
工作模式	-	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	-	SMALL OUTLINE	FLANGE MOUNT	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	-	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	-	33 A	33 A	33 A
端子面层	-	Matte Tin (Sn)	MATTE TIN	MATTE TIN
处于峰值回流温度下的最长时间	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED

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