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CS8312YN8

产品描述IGBT Ignition Predriver
产品类别模拟混合信号IC    驱动程序和接口   
文件大小60KB,共8页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

CS8312YN8概述

IGBT Ignition Predriver

CS8312YN8规格参数

参数名称属性值
Brand NameON Semiconduc
是否无铅含铅
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
零件包装代码DIP
包装说明PLASTIC, DIP-8
针数8
制造商包装代码626-05
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
内置保护OVER CURRENT
接口集成电路类型BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER
JESD-30 代码R-PDIP-T8
功能数量1
端子数量8
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
输出电流流向SINK
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
温度等级AUTOMOTIVE
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置DUAL
断开时间10 µs
接通时间10 µs

CS8312YN8相似产品对比

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描述 IGBT Ignition Predriver IGBT Ignition Predriver IGBT Ignition Predriver IGBT Ignition Predriver
Brand Name ON Semiconduc ON Semiconduc - ON Semiconduc
是否无铅 含铅 含铅 - 含铅
厂商名称 ON Semiconductor(安森美) ON Semiconductor(安森美) - ON Semiconductor(安森美)
零件包装代码 DIP SOIC - SOIC
包装说明 PLASTIC, DIP-8 SOIC-8 - SOIC-8
针数 8 8 - 8
制造商包装代码 626-05 751-07 - 751-07
Reach Compliance Code _compli _compli - _compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 - EAR99
内置保护 OVER CURRENT OVER CURRENT - OVER CURRENT
接口集成电路类型 BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER - BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER
JESD-30 代码 R-PDIP-T8 R-PDSO-G8 - R-PDSO-G8
功能数量 1 1 - 1
端子数量 8 8 - 8
最高工作温度 125 °C 125 °C - 125 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C - -40 °C
输出电流流向 SINK SINK - SINK
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR - RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE SMALL OUTLINE - SMALL OUTLINE
认证状态 Not Qualified Not Qualified - Not Qualified
表面贴装 NO YES - YES
温度等级 AUTOMOTIVE AUTOMOTIVE - AUTOMOTIVE
端子形式 THROUGH-HOLE GULL WING - GULL WING
端子位置 DUAL DUAL - DUAL
断开时间 10 µs 10 µs - 10 µs
接通时间 10 µs 10 µs - 10 µs
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