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CS8312YDR8

产品描述IGBT Ignition Predriver
产品类别模拟混合信号IC    驱动程序和接口   
文件大小60KB,共8页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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CS8312YDR8概述

IGBT Ignition Predriver

CS8312YDR8规格参数

参数名称属性值
Brand NameON Semiconduc
是否无铅含铅
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
零件包装代码SOIC
包装说明SOIC-8
针数8
制造商包装代码751-07
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
内置保护OVER CURRENT
接口集成电路类型BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER
JESD-30 代码R-PDSO-G8
功能数量1
端子数量8
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
输出电流流向SINK
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
温度等级AUTOMOTIVE
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
断开时间10 µs
接通时间10 µs

CS8312YDR8相似产品对比

CS8312YDR8 CS8312YD8 CS8312 CS8312YN8
描述 IGBT Ignition Predriver IGBT Ignition Predriver IGBT Ignition Predriver IGBT Ignition Predriver
Brand Name ON Semiconduc ON Semiconduc - ON Semiconduc
是否无铅 含铅 含铅 - 含铅
厂商名称 ON Semiconductor(安森美) ON Semiconductor(安森美) - ON Semiconductor(安森美)
零件包装代码 SOIC SOIC - DIP
包装说明 SOIC-8 SOIC-8 - PLASTIC, DIP-8
针数 8 8 - 8
制造商包装代码 751-07 751-07 - 626-05
Reach Compliance Code _compli _compli - _compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 - EAR99
内置保护 OVER CURRENT OVER CURRENT - OVER CURRENT
接口集成电路类型 BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER - BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER
JESD-30 代码 R-PDSO-G8 R-PDSO-G8 - R-PDIP-T8
功能数量 1 1 - 1
端子数量 8 8 - 8
最高工作温度 125 °C 125 °C - 125 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C - -40 °C
输出电流流向 SINK SINK - SINK
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR - RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE - IN-LINE
认证状态 Not Qualified Not Qualified - Not Qualified
表面贴装 YES YES - NO
温度等级 AUTOMOTIVE AUTOMOTIVE - AUTOMOTIVE
端子形式 GULL WING GULL WING - THROUGH-HOLE
端子位置 DUAL DUAL - DUAL
断开时间 10 µs 10 µs - 10 µs
接通时间 10 µs 10 µs - 10 µs

 
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