Datasheet> 器件分类 > 模拟混合信号IC> 放大器电路> 5962-88630023A

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5962-88630023A: 产品描述5962-88630023A放大器基础信息： 5962-88630023A是一款INSTRUMENTATION AMPLIFIER。 5962-88630023A放大器核心信息： 5962-88630023A的最低工作温度是-55 °C，最高工作温度是125 °C。其峰值回流温度为NOT SPECIFIED他的最大平均偏置电流为0.015 µA而其最大的输入失调电流（IIO）则仅为0.006 µA 如何简单看一个放大器效率？看它的压摆率，5962-88630023A的标称压摆率有4.5 V/us。其最大电压增益为1000，最小电压增益为1。而在运放闭环使用时，某个指定闭环增益（一般为 1 或者 2、 10 等）下，5962-88630023A增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为0.57 MHz。 5962-88630023A的标称供电电压为15 V，其对应的标称负供电电压为-15 V。5962-88630023A的输入失调电压为150 µV（输入失调电压：使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。） 5962-88630023A的相关尺寸： 5962-88630023A的宽度为：11.43 mm，长度为11.43 mm5962-88630023A拥有28个端子.其端子位置类型为：QUAD。端子节距为1.27 mm。 5962-88630023A放大器其他信息：其温度等级为：MILITARY。其对应的的JESD-30代码为：S-CQCC-N28。其对应的的JESD-609代码为：e0。5962-88630023A的封装代码是：QCCN。5962-88630023A封装的材料多为CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED。而其封装形状为SQUARE。5962-88630023A封装引脚的形式有：CHIP CARRIER。其端子形式有：NO LEAD。座面最大高度为2.54 mm。; 产品类别模拟混合信号IC 放大器电路; 文件大小75KB，共13页; 制造商Precision Monolithics Inc; 器件替换：5962-88630023A替换放大器

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5962-88630023A概述

5962-88630023A放大器基础信息：

5962-88630023A是一款INSTRUMENTATION AMPLIFIER。

5962-88630023A放大器核心信息：

5962-88630023A的最低工作温度是-55 °C，最高工作温度是125 °C。其峰值回流温度为NOT SPECIFIED他的最大平均偏置电流为0.015 µA而其最大的输入失调电流（IIO）则仅为0.006 µA

如何简单看一个放大器效率？看它的压摆率，5962-88630023A的标称压摆率有4.5 V/us。其最大电压增益为1000，最小电压增益为1。而在运放闭环使用时，某个指定闭环增益（一般为 1 或者 2、 10 等）下，5962-88630023A增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为0.57 MHz。

5962-88630023A的标称供电电压为15 V，其对应的标称负供电电压为-15 V。5962-88630023A的输入失调电压为150 µV（输入失调电压：使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。）

5962-88630023A的相关尺寸：

5962-88630023A的宽度为：11.43 mm，长度为11.43 mm5962-88630023A拥有28个端子.其端子位置类型为：QUAD。端子节距为1.27 mm。

5962-88630023A放大器其他信息：

其温度等级为：MILITARY。其对应的的JESD-30代码为：S-CQCC-N28。其对应的的JESD-609代码为：e0。5962-88630023A的封装代码是：QCCN。5962-88630023A封装的材料多为CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED。

而其封装形状为SQUARE。5962-88630023A封装引脚的形式有：CHIP CARRIER。其端子形式有：NO LEAD。座面最大高度为2.54 mm。

5962-88630023A规格参数

参数名称	属性值
Reach Compliance Code	unknown
放大器类型	INSTRUMENTATION AMPLIFIER
最大平均偏置电流 (IIB)	0.015 µA
标称带宽 (3dB)	0.57 MHz
最小共模抑制比	75 dB
最大输入失调电流 (IIO)	0.006 µA
最大输入失调电压	150 µV
JESD-30 代码	S-CQCC-N28
JESD-609代码	e0
长度	11.43 mm
负供电电压上限	-18 V
标称负供电电压 (Vsup)	-15 V
最大非线性	0.005%
功能数量	1
端子数量	28
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	QCCN
封装形状	SQUARE
封装形式	CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	2.54 mm
标称压摆率	4.5 V/us
供电电压上限	18 V
标称供电电压 (Vsup)	15 V
表面贴装	YES
温度等级	MILITARY
端子面层	TIN LEAD
端子形式	NO LEAD
端子节距	1.27 mm
端子位置	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
最大电压增益	1000
最小电压增益	1
标称电压增益	10
宽度	11.43 mm
Base Number Matches	1

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LTR

DESCRIPTION

Changes to slew rate test. Changes IAW NOR 5962-R194-93.

Changes boilerplate to add one-part numbers. Add device type 03.

Add delta test limits. Redrawn.

Change to group A subgroups for TCVOOS in table I. Update boilerplate. - rrp

Add device type 01 limits to table I

. - ro

Drawing updated to reflect current requirements. - ro

DATE (YR-MO-DA)

93-08-25

97-06-03

00-10-26

02-11-22

06-05-16

APPROVED

M. A. FRYE

R. MONNIN

THE ORIGINAL FIRST PAGE OF THIS DRAWING HAS BEEN REPLACED.

REV

SHEET

REV

SHEET

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OF SHEETS

PMIC N/A

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PREPARED BY

CHARLES E. BESORE

STANDARD

MICROCIRCUIT

DRAWING

THIS DRAWING IS AVAILABLE

FOR USE BY ALL

DEPARTMENTS

AND AGENCIES OF THE

DEPARTMENT OF DEFENSE

CHECKED BY

WILLIAM J. JOHNSON

DEFENSE SUPPLY CENTER COLUMBUS

COLUMBUS, OHIO 43218-3990

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APPROVED BY

MICHAEL A. FRYE

MICROCIRCUIT, LINEAR, INSTRUMENTATION

AMPLIFIER, MONOLITHIC SILICON

DRAWING APPROVAL DATE

88-09-13

AMSC N/A

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SIZE

SHEET

CAGE CODE

67268

1 OF

5962-88630

DSCC FORM 2233

APR 97

5962-E464-06

DEPARTMENT OF DEFENSE HANDBOOKS

MIL-HDBK-103 -

MIL-HDBK-780 -

List of Standard Microcircuit Drawings.

Standard Microcircuit Drawings.

(Copies of these documents are available online at

http://assist.daps.dla.mil/quicksearch/

http://assist.daps.dla.mil

or from

the Standardization Document Order Desk, 700 Robbins Avenue, Building 4D, Philadelphia, PA 19111-5094.)

2.2 Order of precedence. In the event of a conflict between the text of this drawing and the references cited herein, the text of

this drawing takes precedence. Nothing in this document, however, supersedes applicable laws and regulations unless a

specific exemption has been obtained.

3. REQUIREMENTS

3.1 Item requirements. The individual item requirements for device classes Q and V shall be in accordance with

MIL-PRF-38535 and as specified herein or as modified in the device manufacturer's Quality Management (QM) plan. The

modification in the QM plan shall not affect the form, fit, or function as described herein. The individual item requirements for

device class M shall be in accordance with MIL-PRF-38535, appendix A for non-JAN class level B devices and as specified

herein.

3.2 Design, construction, and physical dimensions. The design, construction, and physical dimensions shall be as specified in

MIL-PRF-38535 and herein for device classes Q and V or MIL-PRF-38535, appendix A and herein for device class M.

3.2.1 Case outlines. The case outlines shall be in accordance with 1.2.4 herein.

3.2.2 Terminal connections. The terminal connections shall be as specified on figure 1.

3.3 Electrical performance characteristics and postirradiation parameter limits. Unless otherwise specified herein, the

electrical performance characteristics and postirradiation parameter limits are as specified in table I and shall apply over the full

ambient operating temperature range.

3.4 Electrical test requirements. The electrical test requirements shall be the subgroups specified in table IIA. The electrical

tests for each subgroup are defined in table I.

3.5 Marking. The part shall be marked with the PIN listed in 1.2 herein. In addition, the manufacturer's PIN may also be

marked. For packages where marking of the entire SMD PIN number is not feasible due to space limitations, the manufacturer

has the option of not marking the "5962-" on the device. For RHA product using this option, the RHA designator shall still be

marked. Marking for device classes Q and V shall be in accordance with MIL-PRF-38535. Marking for device class M shall be

in accordance with MIL-PRF-38535, appendix A.

3.5.1 Certification/compliance mark. The certification mark for device classes Q and V shall be a "QML" or "Q" as required in

MIL-PRF-38535. The compliance mark for device class M shall be a "C" as required in MIL-PRF-38535, appendix A.

3.6 Certificate of compliance. For device classes Q and V, a certificate of compliance shall be required from a QML-38535

listed manufacturer in order to supply to the requirements of this drawing (see 6.6.1 herein). For device class M, a certificate of

compliance shall be required from a manufacturer in order to be listed as an approved source of supply in MIL-HDBK-103 (see

6.6.2 herein). The certificate of compliance submitted to DSCC-VA prior to listing as an approved source of supply for this

drawing shall affirm that the manufacturer's product meets, for device classes Q and V, the requirements of MIL-PRF-38535 and

herein or for device class M, the requirements of MIL-PRF-38535, appendix A and herein.

3.7 Certificate of conformance. A certificate of conformance as required for device classes Q and V in MIL-PRF-38535 or for

device class M in MIL-PRF-38535, appendix A shall be provided with each lot of microcircuits delivered to this drawing.

3.8 Notification of change for device class M. For device class M, notification to DSCC-VA of change of product (see 6.2

herein) involving devices acquired to this drawing is required for any change that affects this drawing.

STANDARD

MICROCIRCUIT DRAWING

DEFENSE SUPPLY CENTER COLUMBUS

COLUMBUS, OHIO 43218-3990

DSCC FORM 2234

APR 97

SIZE

REVISION LEVEL

5962-88630

SHEET

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描述	Instrumentation Amplifier, 1 Func, 150uV Offset-Max, 0.57MHz Band Width, CQCC28,	Instrumentation Amplifier, 1 Func, 80uV Offset-Max, 0.57MHz Band Width, CDIP18,	Instrumentation Amplifier, 1 Func, 150uV Offset-Max, 0.57MHz Band Width, CDIP18,	Instrumentation Amplifier, 1 Func, 150uV Offset-Max, 0.57MHz Band Width, CDIP18,	Instrumentation Amplifier, 1 Func, 150uV Offset-Max, 0.57MHz Band Width, CDIP18, CERAMIC, DIP-18	Instrumentation Amplifier, 1 Func, 80uV Offset-Max, 0.57MHz Band Width, CDIP18,	Instrumentation Amplifier, 1 Func, 150uV Offset-Max, 0.57MHz Band Width, CQCC28,	Instrumentation Amplifier, 1 Func, CDIP18,	Instrumentation Amplifier, 1 Func, CQCC28, CERAMIC, LCC-28
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
放大器类型	INSTRUMENTATION AMPLIFIER	INSTRUMENTATION AMPLIFIER	INSTRUMENTATION AMPLIFIER	INSTRUMENTATION AMPLIFIER	INSTRUMENTATION AMPLIFIER	INSTRUMENTATION AMPLIFIER	INSTRUMENTATION AMPLIFIER	INSTRUMENTATION AMPLIFIER	INSTRUMENTATION AMPLIFIER
最大平均偏置电流 (IIB)	0.015 µA	0.01 µA	0.015 µA	0.015 µA	0.015 µA	0.01 µA	0.015 µA	0.01 µA	0.015 µA
最小共模抑制比	75 dB	80 dB	75 dB	75 dB	75 dB	80 dB	75 dB	80 dB	75 dB
最大输入失调电流 (IIO)	0.006 µA	0.003 µA	0.006 µA	0.002 µA	0.006 µA	0.001 µA	0.002 µA	0.003 µA	0.006 µA
负供电电压上限	-18 V	-18 V	-18 V	-18 V	-18 V	-18 V	-18 V	-18 V	-18 V
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	28	18	18	18	18	18	28	18	28
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C
最低工作温度	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形式	CHIP CARRIER	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	CHIP CARRIER	IN-LINE	CHIP CARRIER
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
供电电压上限	18 V	18 V	18 V	18 V	18 V	18 V	18 V	18 V	18 V
温度等级	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY
端子位置	QUAD	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	QUAD	DUAL	QUAD
最大电压增益	1000	1000	1000	10000	1000	10000	10000	1000	1000
最小电压增益	1	1	1	0.1	1	0.1	0.1	1	1
标称电压增益	10	10	10	1000	10	1000	1000	10	10
标称带宽 (3dB)	0.57 MHz	0.57 MHz	0.57 MHz	0.57 MHz	0.57 MHz	0.57 MHz	0.57 MHz	-	-
最大输入失调电压	150 µV	80 µV	150 µV	150 µV	150 µV	80 µV	150 µV	-	-
JESD-30 代码	S-CQCC-N28	R-GDIP-T18	R-GDIP-T18	R-GDIP-T18	R-GDIP-T18	R-GDIP-T18	S-CQCC-N28	-	S-CQCC-N28
JESD-609代码	e0	e0	e0	-	e0	-	-	e0	e0
标称负供电电压 (Vsup)	-15 V	-15 V	-15 V	-15 V	-15 V	-15 V	-15 V	-	-15 V
最大非线性	0.005%	0.005%	0.005%	0.005%	0.005%	0.005%	0.005%	-	-
封装代码	QCCN	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP	QCCN	-	QCCN
封装形状	SQUARE	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	SQUARE	-	SQUARE
座面最大高度	2.54 mm	5.08 mm	5.08 mm	5.08 mm	5.08 mm	5.08 mm	2.54 mm	-	-
标称压摆率	4.5 V/us	4.5 V/us	4.5 V/us	4.5 V/us	4.5 V/us	4.5 V/us	4.5 V/us	-	-
标称供电电压 (Vsup)	15 V	15 V	15 V	15 V	15 V	15 V	15 V	-	15 V
表面贴装	YES	NO	NO	NO	NO	NO	YES	-	YES
端子面层	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	-	TIN LEAD	-	-	TIN LEAD	TIN LEAD
端子形式	NO LEAD	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	NO LEAD	-	NO LEAD
端子节距	1.27 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	1.27 mm	-	-
宽度	11.43 mm	7.62 mm	7.62 mm	7.62 mm	7.62 mm	7.62 mm	11.43 mm	-	-
Base Number Matches	1	1	1	1	1	1	1	-	-
包装说明	-	DIP,	DIP,	DIP,	DIP,	DIP,	-	,	CERAMIC, LCC-28

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51单片机+点阵8*8上、下、左、右移显示C程序

最近在研究点阵，这东西看起来简单，但是要完全掌握它，可是要花一定时间的！我现在做得8*8点阵硬件电路是这样的，行采用74HC138＋三极管8550驱动，列采用74HC595驱动，这种电路是非常用的，其次的扫描原理就是，先打开第一行，然后送代码给列，即595端，像这样扫描8次行，一个字就完成了，具体原理图如下图：下面我将我写得代码下载地址分享下：一、上移： #include reg52.h...[详细]

器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ

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