Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> 212A625-134

文档预览

212A625-134: 产品描述Standard SRAM, 512KX8, 30ns, CMOS, CDFP40, 1.130 X 1.065 INCH, CERAMIC, FP-40; 产品类别存储存储; 文件大小286KB，共12页; 制造商BAE Systems

下载文档详细参数选型对比全文预览

212A625-134概述

Standard SRAM, 512KX8, 30ns, CMOS, CDFP40, 1.130 X 1.065 INCH, CERAMIC, FP-40

212A625-134规格参数

参数名称	属性值
零件包装代码	DFP
包装说明	DFP,
针数	40
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	3A001.A.2.C
最长访问时间	30 ns
JESD-30 代码	R-CDFP-F40
长度	28.702 mm
内存密度	4194304 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	40
字数	524288 words
字数代码	512000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
组织	512KX8
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	DFP
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLATPACK
并行/串行	PARALLEL
认证状态	Not Qualified
筛选级别	MIL-PRF-38535
座面最大高度	3.1496 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.46 V
最小供电电压 (Vsup)	3.14 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子形式	FLAT
端子节距	0.635 mm
端子位置	DUAL
宽度	27.051 mm
Base Number Matches	1

文档预览

下载PDF文档

全文
预览

512K x 8

Radiation Hardened

Static RAM – 3.3 V

Features

212A625

Product Description

Other

• Read/Write Cycle Times

≤

30 ns and 40 ns (-55°C to

125°C)

• Read/Write Cycle Time 55ns (limited temperature

range)

• SMD Number TBD

• Asynchronous Operation

• CMOS Compatible I/O

• Single 3.3 V ±5% Power Supply

• Low Operating Power

• Packaging Options

• 40-Lead Flat Pack (1.130” x 1.065)

Radiation

• Fabricated with RHCMOS5XL 0.35 µm Process for

Strategic rad hard or R25 0.25 µm Commercial

process for rad hard

• Radiation Hardened Total Dose hardness through

1x10

rad(Si)

• Commercial Space Total Dose hardness of 100Krads

• Neutron Hardness through 1x10

N/cm

• Dynamic and Static Transient Upset Hardness

through 1x10

rad(Si)/s

• Soft Error Rate of < 1x10

-11

Upsets/Bit-Day

• Dose Rate Survivability through 1x10

rad(Si)/s

• Latchup Free

General Description

The 512K x 8 radiation hardened static RAM is

composed of one 512K x 8 SRAM memory die

assembled in a single, ceramic substrate.

Each die is a high performance 524,288 word x

8-bit static random access memory with

industry-standard functionality. It is fabricated

with BAE SYSTEMS’ radiation hardened

technology and is designed for use in systems

operating in strategic radiation environments; It

is fabricated using commercial 0.25 µm

technology for commercial space applications.

The RAM operates over the full military

temperature range and requires a single 3.3 V

±5% power supply. The RAM is available with

CMOS compatible I/O. Power consumption is

typically less than 25mW/MHz in operation, and

less than 15 mW in the low power disabled

mode. The RAM read operation is fully

asynchronous, with an associated typical

access time of 30 nanoseconds.

BAE SYSTEMS’ enhanced bulk CMOS

technology is radiation hardened through the

use of advanced and proprietary design, layout,

and process hardening techniques.

BAE SYSTEMS • 9300 Wellington Road • Manassas, Virginia 20110-4122

212A625-134相似产品对比

	212A625-134	212A625-145	212A625-155	212A625-159	212A625-149	212A625-154	212A625-135	212A625-139	212A625-144
描述	Standard SRAM, 512KX8, 30ns, CMOS, CDFP40, 1.130 X 1.065 INCH, CERAMIC, FP-40	Standard SRAM, 512KX8, 40ns, CMOS, CDFP40, 1.130 X 1.065 INCH, CERAMIC, FP-40	Standard SRAM, 512KX8, 55ns, CMOS, CDFP40, 1.130 X 1.065 INCH, CERAMIC, FP-40	Standard SRAM, 512KX8, 55ns, CMOS, CDFP40, 1.130 X 1.065 INCH, CERAMIC, FP-40	Standard SRAM, 512KX8, 40ns, CMOS, CDFP40, 1.130 X 1.065 INCH, CERAMIC, FP-40	Standard SRAM, 512KX8, 55ns, CMOS, CDFP40, 1.130 X 1.065 INCH, CERAMIC, FP-40	Standard SRAM, 512KX8, 30ns, CMOS, CDFP40, 1.130 X 1.065 INCH, CERAMIC, FP-40	Standard SRAM, 512KX8, 30ns, CMOS, CDFP40, 1.130 X 1.065 INCH, CERAMIC, FP-40	Standard SRAM, 512KX8, 40ns, CMOS, CDFP40, 1.130 X 1.065 INCH, CERAMIC, FP-40
零件包装代码	DFP	DFP	DFP	DFP	DFP	DFP	DFP	DFP	DFP
包装说明	DFP,	DFP,	DFP,	DFP,	DFP,	DFP,	DFP,	DFP,	DFP,
针数	40	40	40	40	40	40	40	40	40
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknow	unknow	unknow
ECCN代码	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C
最长访问时间	30 ns	40 ns	55 ns	55 ns	40 ns	55 ns	30 ns	30 ns	40 ns
JESD-30 代码	R-CDFP-F40	R-CDFP-F40	R-CDFP-F40	R-CDFP-F40	R-CDFP-F40	R-CDFP-F40	R-CDFP-F40	R-CDFP-F40	R-CDFP-F40
长度	28.702 mm	28.702 mm	28.702 mm	28.702 mm	28.702 mm	28.702 mm	28.702 mm	28.702 mm	28.702 mm
内存密度	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bi	4194304 bi	4194304 bi
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	8	8	8	8	8	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	40	40	40	40	40	40	40	40	40
字数	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words
字数代码	512000	512000	512000	512000	512000	512000	512000	512000	512000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C
最低工作温度	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C
组织	512KX8	512KX8	512KX8	512KX8	512KX8	512KX8	512KX8	512KX8	512KX8
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	DFP	DFP	DFP	DFP	DFP	DFP	DFP	DFP	DFP
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLATPACK	FLATPACK	FLATPACK	FLATPACK	FLATPACK	FLATPACK	FLATPACK	FLATPACK	FLATPACK
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
筛选级别	MIL-PRF-38535	MIL-PRF-38535	MIL-PRF-38535	MIL-STD-883 Class S	MIL-STD-883 Class S	MIL-PRF-38535	MIL-PRF-38535	MIL-STD-883 Class S	MIL-PRF-38535
座面最大高度	3.1496 mm	3.1496 mm	3.1496 mm	3.1496 mm	3.1496 mm	3.1496 mm	3.1496 mm	3.1496 mm	3.1496 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.46 V	3.46 V	3.46 V	3.46 V	3.46 V	3.46 V	3.46 V	3.46 V	3.46 V
最小供电电压 (Vsup)	3.14 V	3.14 V	3.14 V	3.14 V	3.14 V	3.14 V	3.14 V	3.14 V	3.14 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY
端子形式	FLAT	FLAT	FLAT	FLAT	FLAT	FLAT	FLAT	FLAT	FLAT
端子节距	0.635 mm	0.635 mm	0.635 mm	0.635 mm	0.635 mm	0.635 mm	0.635 mm	0.635 mm	0.635 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
宽度	27.051 mm	27.051 mm	27.051 mm	27.051 mm	27.051 mm	27.051 mm	27.051 mm	27.051 mm	27.051 mm
Base Number Matches	1	1	1	1	1	1	-	-	-

推荐资源

分享一个使用软件解决工作麻烦如何解决PDF文件过大？: 　　当我们在做完一份PDF文件的时候，发现PDF文件过大，超出了规定的大小，我们该怎么办？怎么轻松的解决PDF文件过大这个问题呢？今天，小编就来带大家解决这个问题。　　当我们知道文件过大的 ......; 大雨啊 TI技术论坛

单相PFC变换器中电流型控制的发展: 单相PFC变换器中电流型控制的发展摘要：传统的电压型控制是一种单环控制系统，是一种有条件的稳定系统。因而出现了双环控制系统即电流型控制系统。从原理、应用方面系统地论述了单相PFC变换 ......; zbz0529 工业自动化与控制

Altera FPGA管脚弱上拉电阻的软件设置方法: 本帖最后由 paulhyde 于 2014-9-15 08:55 编辑 Altera FPGA管脚弱上拉电阻的软件设置方法 ...; kay0821 电子竞赛

Buck变换器的数字模糊PID控制: Buck变换器的数字模糊PID控制摘要：由Buck电路的状态空间平均法，可得到其电压控制下的动态小信号模型，并应用PID实现其精确控制。为提高控制精度和抗干扰能力，用模糊控制器对PID参数进行实 ......; zbz0529 工业自动化与控制

传统GPIB控制: GPIB接口是一种通用总线；它的主要用途是将一台或几台兼容GPIB的仪器连至PC机。GPIB接口能以100k/s至10MB/s的速度在几台不同设备之间一次交换一个字节的数据。GPIB结合了有效的握手协议后就成 ......; Jack_ma 测试/测量

linux 驱动入门级的手册: http://www.freesoftwaremagazine.com/articles/drivers_linux“Do you pine for the nice days of Minix-1.1, when men were men and wrote their own device drivers?” Linus Torvalds ......; ycdhonker ARM技术

简单易制的自动充电

用6V免维护电瓶供电的应急手提灯在农村应用非常广泛，其配用的充电器是一个变压器降压、单二极管半波整流装置，充电时间很难掌握。由于电池亏电或过充电往往会造成电池寿命缩短，为了有效延长电池寿命。设计制作了一个简易自动充电装置。工作原理电路如下图所示。GB为待充电电瓶，平时只要不再使用，就将充电器插头X1、X2插入手提灯的充电插孔内。按一下启动按钮SB，220V交流市电经保险FU、SB加在电源变压...[详细]
PIC18F46J50：8位无线开发解决方案[图]

Microchip公司的PIC18F46J50是采用nanoWatt XLP技术的低功耗高性能8位USB微控制器（MCU），深度睡眠模式的电流可低到13nA，工作电压2.0V~3.6V，片内集成了2.5V稳压器,具有丰富外设，主要用在智能手机、音频附属设备、视频游戏外设和先进的医疗电子。 PIC18F46J50是采用nanoWatt XLP技术的低功耗、高性能USB控制器。这一系列推出了一个产...[详细]
基于LabWindows/CVI的光谱分析系统的设计与实现

　　针对WDP500-2A平面光栅单色仪在不同电流下测试大功率激光二极管的发射波长时，匹配激光二极管的自动化程度不高、效率低以及分析界面不友好等缺点。　　采用自制的RS232串口通讯接口卡，并运用美国NI公司的虚拟仪器编程语言LabWindows/CVI开发分析软件，实现了单色仪的自动定位、扫描、数据分析、数据处理等功能。该光谱分析系统运行良好，提高了测试效率。　　1 引言 ...[详细]
无人驾驶技术颠覆汽车使用模式

谷歌无人驾驶技术带来的不仅仅是一项吸引眼球的技术，更是对汽车使用模式的颠覆。看过反恐题材影视剧的人想必对美军的无人机印象深刻，无人机能在避免本方人员伤亡的情况下完成对敌轰炸或者侦查任务。如今，互联网巨头谷歌公司推出了无人驾驶汽车的技术，将无人技术带进消费领域。智能汽车上路谷歌从去年10月开始在公共道路上实验无人驾驶汽车，今年3月获得内华达州许可并于5月7日获得牌照上路。在此之前，谷歌...[详细]
通过示波器探头响应改善MIPI设计裕量

移动行业处理器接口(MIPI)联盟是负责推广移动设备软硬件标准化的组织。它已经发布了D-PHY规范，该规范可在芯片与设备之间的通信链路上实现高达1.5Gbps(1,500,000,000比特/秒)的数据传输率。MIPI联盟还计划在近期发布M-PHY规范，进一步提高数据传输率，达到大约6Gbps的水平。随着需要更高数据吞吐量的移动应用和特性不断出现，对传输速率的要求也相应提高。这些应用和特性包...[详细]
可编程逻辑器件在高准确度A／D转换器中的应用

1　引　言可编程逻辑器件（PLD）是当今国际上流行的新一代数字系统逻辑器件。它主要是一种“与－或”两级式结构器件，除了具有高速度、高集成度性能之外，其最大的特点就是用户可定义其逻辑功能。因此PLD能够适应各种需求，大大简化系统设计，缩小系统规模，提高系统可靠性，受到广大工程技术人员的青睐。可编程逻辑器件种类繁多，性能各异，主要有以下几种基本类型：可编程只读存储器（PROM），...[详细]
互联网公司做手机的十大败像

互联网公司都在做手机，不管大的小的，不管有名的还是没名的，不管有钱的还是没钱的。一窝蜂的创新，这是中国式发展的模式，也更是中国互联网企业多年来的惯例。从互联网发展的历史看，这种你追我赶的状态并不会损害互联网的未来，相反，大进军大淘汰已经是互联网的发展必然。互联网公司为了适应移动互联网的大势，推出自己品牌的手机也并不意外。当然，我们需要思考的是，为何在PC桌面互联网时代中没有互联网企业这...[详细]
全球半导体业绩4年后破4000亿美元

根据最新的预测，2016年全球半导体市场营业额将突破4000亿美元大关，达4116亿美元（约12.34兆元台币），创下半导体市场新里程碑。回顾半导体市场历史，1980年全球半导体产业的营业额首度达100亿美元，并于1983年站稳百亿美元营业额，自此之后，半导体产业快速成长，其中偶有1~2年拉回，产业趋势仍是快速向上成长。 10年站稳2000亿门槛 1994年半导体产业创下新的里程碑，全...[详细]
基于IRS2530D的4级智能可调光荧光灯电子镇流器电路设计

　　 1 关于IRS2530D和PIC12F629 　　1）IRS2530D简介　　IRS2530D采用8引脚 DIP 或8引脚 SOIC 封装，IRS2530D的引脚图如图1所示， IRS2130D 的外形封装图如图2所示，IRS2530D的内部功能框图如图3所示，IRS2530D的引脚功能如表1所示。图1 IRS2530D的引脚图图2 ...[详细]
仅用一个微处理器管脚驱动两个低静态电流的LED

　　两个简单的电路实现用电池供电的微处理器驱动两个LED。　　本设计方案的基础是使用三个电阻和一个微处理器I/O引脚作为输入高阻抗或输出，独立地驱动两个LED工作的电路（参考文献1）。本设计的想法听上去很好，主要出于微处理器缺少多余I/O引脚和简化设计的考虑。不幸的是，电路不能使于电池供电设计，因为其在正常工作下的有2mA泄漏电流，甚至在两个LED都不工作的情况下也存在。本设计方案改进了原电路...[详细]
Maxim推出四款全新的数字光传感器

中国，北京，2012年7月11日。Maxim Integrated Products (NASDAQ: MXIM)推出四款全新的数字光传感器，器件内置多个传感器，具有极高的模拟集成度。 MAX44004/05/06/08支持红/绿/蓝(RGB)光信号检测、环境光(ALS)检测、接近检测以及红外(IR)信号和温度信息的测量。紧凑的封装集成了多达7个传感器，这些传感器提供可靠且可重复的测量，MAX...[详细]
Mouser 在其工业应用中心推出楼宇自动化站点

2012年7月11日 – 半导体与电子元器件业顶尖设计工程资源与全球分销商Mouser Electronics, Inc.日前在Mouser.com上发布了新的工业应用培训站点。这个全新的站点旨在帮助设计工程师迅速获得楼宇自动化技术的最新发展和主要趋势，以及配套产品信息。站点分为四个区域：应用、特色产品、文章和资源，Mouser的工业应用培训站点是一个综合性资源，涵盖楼宇自动化的...[详细]
燃料电池发动机智能测试平台的设计

　　本文建立了基于NI集成软硬件环境燃料电池发动机测试平台。该平台可以实现燃料电池发动机及其辅助系统的测试与控制、燃料电池发动机系统参数测量、为燃料电池发动机提供多种工况环境，甚至系统控制策略的评价。利用NI开发套件建立了一个内嵌专家系统的智能软件平台，不仅确保了测试平台的工作安全性，同时也可以对系统的潜在故障进行诊断。此外，由于该测试平台的高速采样，使得燃料电池发动机动态特性参数的准确性得...[详细]
MEMS技术在非制冷红外探测器中的应用

　　1 引言　　微电子机械系统（MEMS）技术作为一项新兴的微细加工技术，已开始在各领域应用。它可将信息获取、处理和执行等功能集成，具有微小、智能、可执行、可集成、工艺兼容性好、成本低等优点，在红外探测技术领域也有非常广泛的应用前景，将为该领域的研究提供一条更新的途径。将MEMS技术用于非制冷红外探测器的研制能够使器件向高可靠性、微型化、智能化、高密度阵列集成和低成本、可批量生产等方向发展，...[详细]
基于μC/OS-Ⅱ和ARM处理器的高精度超声波测距系统设计

1 引言超声波指向性强，能量消耗缓慢，在介质中传播的距离较远，因而用于距离测量。利用超声波检测往往较迅速、方便、计算简单、易于实时控制，且测量精度能达到工业实用要求，因此在移动机器人的研制中得到广泛应用。移动机器人要在未知和不确定环境下运行，必须具备自动导航和避障功能。超声波传感器以其信息处理简单、速度快和价格低的特点广泛用作移动机器人的测距传感器，实现避障、定位、环境建模和导航等功能。 ...[详细]

器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多