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Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> 212A625-159
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212A625-159

产品描述Standard SRAM, 512KX8, 55ns, CMOS, CDFP40, 1.130 X 1.065 INCH, CERAMIC, FP-40
产品类别存储    存储   
文件大小286KB，共12页
制造商BAE Systems
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212A625-159概述

Standard SRAM, 512KX8, 55ns, CMOS, CDFP40, 1.130 X 1.065 INCH, CERAMIC, FP-40

212A625-159规格参数

参数名称属性值
零件包装代码DFP
包装说明DFP,
针数40
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A001.A.2.C
最长访问时间55 ns
JESD-30 代码R-CDFP-F40
长度28.702 mm
内存密度4194304 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
功能数量1
端子数量40
字数524288 words
字数代码512000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织512KX8
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码DFP
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLATPACK
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
筛选级别MIL-STD-883 Class S
座面最大高度3.1496 mm
最大供电电压 (Vsup)3.46 V
最小供电电压 (Vsup)3.14 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子形式FLAT
端子节距0.635 mm
端子位置DUAL
总剂量1M Rad(Si) V
宽度27.051 mm
Base Number Matches1

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512K x 8
Radiation Hardened
Static RAM – 3.3 V
Features
212A625
Product Description
Other
• Read/Write Cycle Times
≤
30 ns and 40 ns (-55°C to
125°C)
• Read/Write Cycle Time 55ns (limited temperature
range)
• SMD Number TBD
• Asynchronous Operation
• CMOS Compatible I/O
• Single 3.3 V ±5% Power Supply
• Low Operating Power
• Packaging Options
• 40-Lead Flat Pack (1.130” x 1.065)
Radiation
• Fabricated with RHCMOS5XL 0.35 µm Process for
Strategic rad hard or R25 0.25 µm Commercial
process for rad hard
• Radiation Hardened Total Dose hardness through
1x10
6
rad(Si)
• Commercial Space Total Dose hardness of 100Krads
• Neutron Hardness through 1x10
14
N/cm
2
• Dynamic and Static Transient Upset Hardness
through 1x10
9
rad(Si)/s
• Soft Error Rate of < 1x10
-11
Upsets/Bit-Day
• Dose Rate Survivability through 1x10
12
rad(Si)/s
• Latchup Free
General Description
The 512K x 8 radiation hardened static RAM is
composed of one 512K x 8 SRAM memory die
assembled in a single, ceramic substrate.
Each die is a high performance 524,288 word x
8-bit static random access memory with
industry-standard functionality. It is fabricated
with BAE SYSTEMS’ radiation hardened
technology and is designed for use in systems
operating in strategic radiation environments; It
is fabricated using commercial 0.25 µm
technology for commercial space applications.
The RAM operates over the full military
temperature range and requires a single 3.3 V
±5% power supply. The RAM is available with
CMOS compatible I/O. Power consumption is
typically less than 25mW/MHz in operation, and
less than 15 mW in the low power disabled
mode. The RAM read operation is fully
asynchronous, with an associated typical
access time of 30 nanoseconds.
BAE SYSTEMS’ enhanced bulk CMOS
technology is radiation hardened through the
use of advanced and proprietary design, layout,
and process hardening techniques.
BAE SYSTEMS • 9300 Wellington Road • Manassas, Virginia 20110-4122

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描述 Standard SRAM, 512KX8, 55ns, CMOS, CDFP40, 1.130 X 1.065 INCH, CERAMIC, FP-40 Standard SRAM, 512KX8, 40ns, CMOS, CDFP40, 1.130 X 1.065 INCH, CERAMIC, FP-40 Standard SRAM, 512KX8, 55ns, CMOS, CDFP40, 1.130 X 1.065 INCH, CERAMIC, FP-40 Standard SRAM, 512KX8, 40ns, CMOS, CDFP40, 1.130 X 1.065 INCH, CERAMIC, FP-40 Standard SRAM, 512KX8, 30ns, CMOS, CDFP40, 1.130 X 1.065 INCH, CERAMIC, FP-40 Standard SRAM, 512KX8, 55ns, CMOS, CDFP40, 1.130 X 1.065 INCH, CERAMIC, FP-40 Standard SRAM, 512KX8, 30ns, CMOS, CDFP40, 1.130 X 1.065 INCH, CERAMIC, FP-40 Standard SRAM, 512KX8, 30ns, CMOS, CDFP40, 1.130 X 1.065 INCH, CERAMIC, FP-40 Standard SRAM, 512KX8, 40ns, CMOS, CDFP40, 1.130 X 1.065 INCH, CERAMIC, FP-40
零件包装代码 DFP DFP DFP DFP DFP DFP DFP DFP DFP
包装说明 DFP, DFP, DFP, DFP, DFP, DFP, DFP, DFP, DFP,
针数 40 40 40 40 40 40 40 40 40
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknow unknow unknow
ECCN代码 3A001.A.2.C 3A001.A.2.C 3A001.A.2.C 3A001.A.2.C 3A001.A.2.C 3A001.A.2.C 3A001.A.2.C 3A001.A.2.C 3A001.A.2.C
最长访问时间 55 ns 40 ns 55 ns 40 ns 30 ns 55 ns 30 ns 30 ns 40 ns
JESD-30 代码 R-CDFP-F40 R-CDFP-F40 R-CDFP-F40 R-CDFP-F40 R-CDFP-F40 R-CDFP-F40 R-CDFP-F40 R-CDFP-F40 R-CDFP-F40
长度 28.702 mm 28.702 mm 28.702 mm 28.702 mm 28.702 mm 28.702 mm 28.702 mm 28.702 mm 28.702 mm
内存密度 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bi 4194304 bi 4194304 bi
内存集成电路类型 STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM
内存宽度 8 8 8 8 8 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 40 40 40 40 40 40 40 40 40
字数 524288 words 524288 words 524288 words 524288 words 524288 words 524288 words 524288 words 524288 words 524288 words
字数代码 512000 512000 512000 512000 512000 512000 512000 512000 512000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C
组织 512KX8 512KX8 512KX8 512KX8 512KX8 512KX8 512KX8 512KX8 512KX8
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码 DFP DFP DFP DFP DFP DFP DFP DFP DFP
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLATPACK FLATPACK FLATPACK FLATPACK FLATPACK FLATPACK FLATPACK FLATPACK FLATPACK
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
筛选级别 MIL-STD-883 Class S MIL-PRF-38535 MIL-PRF-38535 MIL-STD-883 Class S MIL-PRF-38535 MIL-PRF-38535 MIL-PRF-38535 MIL-STD-883 Class S MIL-PRF-38535
座面最大高度 3.1496 mm 3.1496 mm 3.1496 mm 3.1496 mm 3.1496 mm 3.1496 mm 3.1496 mm 3.1496 mm 3.1496 mm
最大供电电压 (Vsup) 3.46 V 3.46 V 3.46 V 3.46 V 3.46 V 3.46 V 3.46 V 3.46 V 3.46 V
最小供电电压 (Vsup) 3.14 V 3.14 V 3.14 V 3.14 V 3.14 V 3.14 V 3.14 V 3.14 V 3.14 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY
端子形式 FLAT FLAT FLAT FLAT FLAT FLAT FLAT FLAT FLAT
端子节距 0.635 mm 0.635 mm 0.635 mm 0.635 mm 0.635 mm 0.635 mm 0.635 mm 0.635 mm 0.635 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
宽度 27.051 mm 27.051 mm 27.051 mm 27.051 mm 27.051 mm 27.051 mm 27.051 mm 27.051 mm 27.051 mm
Base Number Matches 1 1 1 1 1 1 - - -

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