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2N2193A

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-5, TO-5, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小698KB,共1页
制造商Raytheon Company
官网地址https://www.raytheon.com/
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2N2193A概述

Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-5, TO-5, 3 PIN

2N2193A规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Objectid1676908753
包装说明TO-5, 3 PIN
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
YTEOL0
最大集电极电流 (IC)1 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)40
JEDEC-95代码TO-5
JESD-30 代码O-MBCY-W3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度200 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.8 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层TIN LEAD
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)50 MHz

2N2193A相似产品对比

2N2193A 2N2193
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-5, TO-5, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-5, TO-5, 3 PIN
是否Rohs认证 不符合 不符合
Objectid 1676908753 1676908754
包装说明 TO-5, 3 PIN TO-5, 3 PIN
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 1 A 1 A
集电极-发射极最大电压 50 V 50 V
配置 SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 40 40
JEDEC-95代码 TO-5 TO-5
JESD-30 代码 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3
JESD-609代码 e0 e0
元件数量 1 1
端子数量 3 3
最高工作温度 200 °C 200 °C
封装主体材料 METAL METAL
封装形状 ROUND ROUND
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL
极性/信道类型 NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 0.8 W 0.8 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子面层 TIN LEAD TIN LEAD
端子形式 WIRE WIRE
端子位置 BOTTOM BOTTOM
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 50 MHz 50 MHz

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