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2N2193: 产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-5, TO-5, 3 PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小698KB，共1页; 制造商Raytheon Company; 官网地址https://www.raytheon.com/

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2N2193概述

Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-5, TO-5, 3 PIN

	2N2193	2N2193A
描述	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-5, TO-5, 3 PIN	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-5, TO-5, 3 PIN
是否Rohs认证	不符合	不符合
Objectid	1676908754	1676908753
包装说明	TO-5, 3 PIN	TO-5, 3 PIN
Reach Compliance Code	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99
最大集电极电流 (IC)	1 A	1 A
集电极-发射极最大电压	50 V	50 V
配置	SINGLE	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	40	40
JEDEC-95代码	TO-5	TO-5
JESD-30 代码	O-MBCY-W3	O-MBCY-W3
JESD-609代码	e0	e0
元件数量	1	1
端子数量	3	3
最高工作温度	200 °C	200 °C
封装主体材料	METAL	METAL
封装形状	ROUND	ROUND
封装形式	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL
极性/信道类型	NPN	NPN
最大功率耗散 (Abs)	0.8 W	0.8 W
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO
端子面层	TIN LEAD	TIN LEAD
端子形式	WIRE	WIRE
端子位置	BOTTOM	BOTTOM
晶体管元件材料	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	50 MHz	50 MHz

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ