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Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> 5962-9560008MUA
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5962-9560008MUA

产品描述Standard SRAM, 512KX8, 20ns, CMOS, CDSO32, CERAMIC, SOJ-32
产品类别存储    存储   
文件大小81KB，共2页
制造商Cypress(赛普拉斯)
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5962-9560008MUA概述

Standard SRAM, 512KX8, 20ns, CMOS, CDSO32, CERAMIC, SOJ-32

5962-9560008MUA规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
零件包装代码SOJ
包装说明CERAMIC, SOJ-32
针数32
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码3A001.A.2.C
最长访问时间20 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-CDSO-J32
JESD-609代码e0
长度20.955 mm
内存密度4194304 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
功能数量1
端子数量32
字数524288 words
字数代码512000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织512KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码SOJ
封装等效代码SOJ32,.44
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
筛选级别MIL-STD-883
座面最大高度4.064 mm
最大待机电流0.002 A
最小待机电流2 V
最大压摆率0.225 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度11.1506 mm
Base Number Matches1

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5962-95600:5/97
Revision: May 8, 1997
PRELIMINARY
5962-95600
512K x 8 Static RAM
Features
• High speed
— t
AA
= 20/25/35/45 ns
• Low active power
• Low CMOS standby power
• 2.0V Data Retention (2.0mA at 2.0V retention)
• 5V
±
10% Power Supply
• TTL-compatible inputs and outputs
• Operating temperature range (T
C
)
— T
C
= -55°C to +125°C
• Ceramic Package: 32-Pin 400mil SOJ
• Compliant to SMD 5962-95600
is provided by an active LOW chip enable (CE), an active LOW
output enable (OE), and three-state drivers. Writing to the de-
vice is accomplished by taking chip enable (CE) and write en-
able (WE) inputs LOW. Data on the eight I/O pins (I/O
0
through
I/O
7
) is then written into the location specified on the address
pins (A
0
through A
18
).
Reading from the device is accomplished by taking chip en-
able (CE) and output enable (OE) LOW while forcing write en-
able (WE) HIGH. Under these conditions, the contents of the
memory location specified by the address pins will appear on
the I/O pins.
The eight input/output pins (I/O
0
through I/O
7
) are placed in a
high-impedance state when the device is deselected (CE
HIGH), the outputs are disabled (OE HIGH), or during a write
operation (CE LOW, and WE LOW).
The 5962-95600 is available in a standard 400-mil-wide 32-pin
ceramic SOJ package.
Functional Description
The 5962-95600 is a high-performance CMOS static RAM or-
ganized as 524,288 words by 8 bits. Easy memory expansion
Logic Block Diagram
Pin Configuration
SOJ
Top View
A
18
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
I/O
0
I/O
1
I/O
2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
A
15
A
17
WE
A
13
A
8
A
9
A
11
OE
A
10
CE
I/O
7
I/O
6
I/O
5
I/O
4
I/O
3
I/O
0
INPUT BUFFER
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
I/O
1
ROW DECODER
I/O
2
SENSE AMPS
512K x 8
ARRAY
I/O
3
I/O
4
I/O
5
5962-95600–2
CE
WE
COLUMN
DECODER
POWER
DOWN
I/O
6
I/O
7
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
A
18
OE
5962-95600–1
Selection Guide
5962-95600
Device Types
Maximum Access Time (ns)
Maximum Operating Current (mA)
Maximum TTL Standby Current (mA)
Maximum CMOS Standby Current (mA)
Maximum Data-retention current (mA)
Shaded areas contain advance information
01 - 04
05 - 08
05 - 08
04 / 08
20
225
60
25
10
2
03 / 07
25
225
60
25
10
2
02 / 06
35
225
60
25
10
2
01 / 05
45
225
60
25
10
2
Cypress Semiconductor Corporation
•
3901 North First Street
•
San Jose
•
CA 95134
•
408-943-2600
May 1997

5962-9560008MUA相似产品对比

5962-9560008MUA 5962-9560001MUA 5962-9560006MUA 5962-9560005MUA 5962-9560004MUA 5962-9560007MUA 5962-9560002MUA
描述 Standard SRAM, 512KX8, 20ns, CMOS, CDSO32, CERAMIC, SOJ-32 Standard SRAM, 512KX8, 45ns, CMOS, CDSO32, CERAMIC, SOJ-32 Standard SRAM, 512KX8, 35ns, CMOS, CDSO32, CERAMIC, SOJ-32 Standard SRAM, 512KX8, 45ns, CMOS, CDSO32, CERAMIC, SOJ-32 Standard SRAM, 512KX8, 20ns, CMOS, CDSO32, CERAMIC, SOJ-32 Standard SRAM, 512KX8, 25ns, CMOS, CDSO32, CERAMIC, SOJ-32 Standard SRAM, 512KX8, 35ns, CMOS, CDSO32, CERAMIC, SOJ-32
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
零件包装代码 SOJ SOJ SOJ SOJ SOJ SOJ SOJ
包装说明 CERAMIC, SOJ-32 CERAMIC, SOJ-32 CERAMIC, SOJ-32 CERAMIC, SOJ-32 CERAMIC, SOJ-32 CERAMIC, SOJ-32 CERAMIC, SOJ-32
针数 32 32 32 32 32 32 32
Reach Compliance Code not_compliant _compli not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant
ECCN代码 3A001.A.2.C 3A001.A.2.C 3A001.A.2.C 3A001.A.2.C 3A001.A.2.C 3A001.A.2.C 3A001.A.2.C
最长访问时间 20 ns 45 ns 35 ns 45 ns 20 ns 25 ns 35 ns
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-CDSO-J32 R-CDSO-J32 R-CDSO-J32 R-CDSO-J32 R-CDSO-J32 R-CDSO-J32 R-CDSO-J32
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0
长度 20.955 mm 20.955 mm 20.955 mm 20.955 mm 20.955 mm 20.955 mm 20.955 mm
内存密度 4194304 bit 4194304 bi 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit
内存集成电路类型 STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM
内存宽度 8 8 8 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 32 32 32 32 32 32 32
字数 524288 words 524288 words 524288 words 524288 words 524288 words 524288 words 524288 words
字数代码 512000 512000 512000 512000 512000 512000 512000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C
组织 512KX8 512KX8 512KX8 512KX8 512KX8 512KX8 512KX8
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码 SOJ SOJ SOJ SOJ SOJ SOJ SOJ
封装等效代码 SOJ32,.44 SOJ32,.44 SOJ32,.44 SOJ32,.44 SOJ32,.44 SOJ32,.44 SOJ32,.44
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
筛选级别 MIL-STD-883 MIL-STD-883 MIL-STD-883 MIL-STD-883 MIL-STD-883 MIL-STD-883 MIL-STD-883
座面最大高度 4.064 mm 4.064 mm 4.064 mm 4.064 mm 4.064 mm 4.064 mm 4.064 mm
最大待机电流 0.002 A 0.025 A 0.002 A 0.002 A 0.025 A 0.002 A 0.025 A
最小待机电流 2 V 4.5 V 2 V 2 V 4.5 V 2 V 4.5 V
最大压摆率 0.225 mA 0.225 mA 0.225 mA 0.225 mA 0.225 mA 0.225 mA 0.225 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped
端子形式 J BEND J BEND J BEND J BEND J BEND J BEND J BEND
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 11.1506 mm 11.1506 mm 11.1506 mm 11.1506 mm 11.1506 mm 11.1506 mm 11.1506 mm
Base Number Matches 1 1 1 1 1 1 1

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