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IRFP132

产品描述22 A, 100 V, 0.064 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小356KB,共6页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
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IRFP132概述

22 A, 100 V, 0.064 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB

IRFP132规格参数

参数名称属性值
零件包装代码TO-3P
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数2
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
雪崩能效等级(Eas)69 mJ
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)12 A
最大漏极电流 (ID)12 A
最大漏源导通电阻0.23 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值77 W
最大功率耗散 (Abs)77 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)48 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
最大关闭时间(toff)71 ns
最大开启时间(吨)66 ns
Base Number Matches1

IRFP132相似产品对比

IRFP132 IRF530 IRF531 IRF532 IRF533 IRFP130 IRFP131 IRFP133
描述 22 A, 100 V, 0.064 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB 22 A, 100 V, 0.064 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB 22 A, 100 V, 0.064 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB 12 A, 100 V, 0.23 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB 22 A, 100 V, 0.064 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB 22 A, 100 V, 0.064 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB 22 A, 100 V, 0.064 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 80V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3P, 3 PIN
零件包装代码 TO-3P SFM SFM SFM SFM - - -
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 - - -
针数 2 3 3 3 3 - - -
Reach Compliance Code unknow unknown unknow unknow unknow - - -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 - - -
雪崩能效等级(Eas) 69 mJ 69 mJ 69 mJ 69 mJ 69 mJ - - -
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE SINGLE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE - - -
最小漏源击穿电压 100 V 100 V 80 V 100 V 80 V - - -
最大漏极电流 (Abs) (ID) 12 A 14 A 14 A 12 A 12 A - - -
最大漏极电流 (ID) 12 A 14 A 14 A 12 A 12 A - - -
最大漏源导通电阻 0.23 Ω 0.16 Ω 0.16 Ω 0.23 Ω 0.23 Ω - - -
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR - - -
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 - - -
元件数量 1 1 1 1 1 - - -
端子数量 3 3 3 3 3 - - -
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE - - -
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C - - -
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - - -
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR - - -
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT - - -
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL - - -
功耗环境最大值 77 W 77 W 77 W 77 W 77 W - - -
最大功率耗散 (Abs) 77 W 75 W 79 W 79 W 79 W - - -
最大脉冲漏极电流 (IDM) 48 A 56 A 56 A 48 A 48 A - - -
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified - - -
表面贴装 NO NO NO NO NO - - -
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE - - -
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE - - -
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING - - -
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON - - -
最大关闭时间(toff) 71 ns 71 ns 71 ns 71 ns 71 ns - - -
最大开启时间(吨) 66 ns 66 ns 66 ns 66 ns 66 ns - - -
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