Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> 27C256TRPDI-20

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27C256TRPDI-20: 产品描述OTP ROM, 32KX8, 200ns, CMOS, PDIP32, DIP-32; 产品类别存储存储; 文件大小121KB，共14页; 制造商Maxwell_Technologies_Inc.

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27C256TRPDI-20概述

OTP ROM, 32KX8, 200ns, CMOS, PDIP32, DIP-32

27C256TRPDI-20规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
零件包装代码	DIP
包装说明	DIP-32
针数	32
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	200 ns
JESD-30 代码	R-PDIP-T32
长度	40.64 mm
内存密度	262144 bit
内存集成电路类型	OTP ROM
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	32
字数	32768 words
字数代码	32000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
组织	32KX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	6.096 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
宽度	15.24 mm
Base Number Matches	1

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27C256T

256K (32K x 8-Bit) OTP EPROM

A5-A9

1024 x 1022

Memory Matrix

x-Decoder

A12-A14

A12-A16

I/O0

I/O 7

I/O15

Input

Data

Control

Y- Gating

Y - Decoder

27C256T

PGM

A0-A4

A10-A11

: High Threshhold Inverter

Memory

Logic Diagram

EATURES

• 32K x 8-bit OTP EPROM organization

• R

-P

® radiation-hardened against natural space

radiation

• Total dose hardness:

- > 100 Krad (Si), depending upon space mission

• Excellent Single Event Effects:

-SEL

> 80 MeV/mg/cm2

-SEU

> 80 Mev/mg/cm2

• Package:

-32 pin R

-P

® flat pack

-32 pin R

-P

® DIP

• Fast access time:

- 120, 150, 200 ns (max)

• Low power dissipation:

- Active mode: 100 mW/MHz (typ)

- Standby mode: 10 µ W (typ)

Page programming time: 14 sec (typ)

• Programming power supply:

- V

= 12.5 V

• One-time programmable

• Pin arrangement

- JEDEC standard byte-wide EPROM

- Flash memory and mask ROM compatible

ESCRIPTION

Maxwell Technologies’ 27C256T high density 256-Kilobit one-

time programmable electrically programmable read only mem-

ory microcircuit features a greater than 100 krad (Si) total

dose tolerance, depending upon space mission. The 27C256T

features fast address times and low power dissipation. The

27C256T offers high speed programming using page pro-

gramming mode.

Maxwell Technologies' patented R

-P

® packaging technol-

ogy incorporates radiation shielding in the microcircuit pack-

age. It eliminates the need for box shielding while providing

the required radiation shielding for a lifetime in orbit or space

mission. In a GEO orbit, R

-P

® provides greater than 100

krad (Si) radiation dose tolerance. This product is available

with screening up to Class S.

06.24.02 REV 4

All data sheets are subject to change without notice

(858) 503-3300 - Fax: (858) 503-3301 - www.maxwell.com

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描述	OTP ROM, 32KX8, 200ns, CMOS, PDIP32, DIP-32	OTP ROM, 32KX8, 120ns, CMOS, PDIP32, DIP-32	OTP ROM, 32KX8, 150ns, CMOS, PDIP32, DIP-32	OTP ROM, 32KX8, 200ns, CMOS, PDIP32, DIP-32	OTP ROM, 32KX8, 200ns, CMOS, PDIP32, DIP-32	OTP ROM, 32KX8, 120ns, CMOS, PDIP32, DIP-32	OTP ROM, 32KX8, 150ns, CMOS, PDIP32, DIP-32	OTP ROM, 32KX8, 150ns, CMOS, PDIP32, DIP-32	OTP ROM, 32KX8, 120ns, CMOS, PDIP32, DIP-32
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
零件包装代码	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP
包装说明	DIP-32	DIP,	DIP,	DIP,	DIP,	DIP-32	DIP,	DIP-32	DIP,
针数	32	32	32	32	32	32	32	32	32
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最长访问时间	200 ns	120 ns	150 ns	200 ns	200 ns	120 ns	150 ns	150 ns	120 ns
JESD-30 代码	R-PDIP-T32	R-PDIP-T32	R-PDIP-T32	R-PDIP-T32	R-PDIP-T32	R-PDIP-T32	R-PDIP-T32	R-PDIP-T32	R-PDIP-T32
长度	40.64 mm	40.64 mm	40.64 mm	40.64 mm	40.64 mm	40.64 mm	40.64 mm	40.64 mm	40.64 mm
内存密度	262144 bit	262144 bit	262144 bit	262144 bit	262144 bit	262144 bit	262144 bit	262144 bit	262144 bit
内存集成电路类型	OTP ROM	OTP ROM	OTP ROM	OTP ROM	OTP ROM	OTP ROM	OTP ROM	OTP ROM	OTP ROM
内存宽度	8	8	8	8	8	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	32	32	32	32	32	32	32	32	32
字数	32768 words	32768 words	32768 words	32768 words	32768 words	32768 words	32768 words	32768 words	32768 words
字数代码	32000	32000	32000	32000	32000	32000	32000	32000	32000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C
最低工作温度	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C
组织	32KX8	32KX8	32KX8	32KX8	32KX8	32KX8	32KX8	32KX8	32KX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
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最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
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表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
宽度	15.24 mm	15.24 mm	15.24 mm	15.24 mm	15.24 mm	15.24 mm	15.24 mm	15.24 mm	15.24 mm
Base Number Matches	1	1	1	1	1	1	1	1	1
筛选级别	-	MIL-STD-883 Class B	MIL-STD-883 Class S	MIL-STD-883 Class S	MIL-STD-883 Class B	-	MIL-STD-883 Class B	-	MIL-STD-883 Class S
总剂量	-	100k Rad(Si) V	100k Rad(Si) V	100k Rad(Si) V	100k Rad(Si) V	-	100k Rad(Si) V	-	100k Rad(Si) V

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