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27C256TRPDI-15

产品描述OTP ROM, 32KX8, 150ns, CMOS, PDIP32, DIP-32
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制造商Maxwell_Technologies_Inc.
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27C256TRPDI-15概述

OTP ROM, 32KX8, 150ns, CMOS, PDIP32, DIP-32

27C256TRPDI-15规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
零件包装代码DIP
包装说明DIP-32
针数32
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最长访问时间150 ns
JESD-30 代码R-PDIP-T32
长度40.64 mm
内存密度262144 bit
内存集成电路类型OTP ROM
内存宽度8
功能数量1
端子数量32
字数32768 words
字数代码32000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织32KX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
座面最大高度6.096 mm
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
宽度15.24 mm
Base Number Matches1

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27C256T
256K (32K x 8-Bit) OTP EPROM
A5-A9
1024 x 1022
Memory Matrix
x-Decoder
NC
A12-A14
A12-A16
I/O0
I/O 7
I/O15
Input
Data
Control
Y- Gating
Y - Decoder
27C256T
CE
OE
PGM
A0-A4
A10-A11
V
CC
V
PP
V
SS
H
H
: High Threshhold Inverter
Memory
Logic Diagram
F
EATURES
:
• 32K x 8-bit OTP EPROM organization
• R
AD
-P
AK
® radiation-hardened against natural space
radiation
• Total dose hardness:
- > 100 Krad (Si), depending upon space mission
• Excellent Single Event Effects:
-SEL
TH
> 80 MeV/mg/cm2
-SEU
TH
> 80 Mev/mg/cm2
• Package:
-32 pin R
AD
-P
AK
® flat pack
-32 pin R
AD
-P
AK
® DIP
• Fast access time:
- 120, 150, 200 ns (max)
• Low power dissipation:
- Active mode: 100 mW/MHz (typ)
- Standby mode: 10 µ W (typ)
Page programming time: 14 sec (typ)
• Programming power supply:
- V
PP
= 12.5 V
• One-time programmable
• Pin arrangement
- JEDEC standard byte-wide EPROM
- Flash memory and mask ROM compatible
D
ESCRIPTION
:
Maxwell Technologies’ 27C256T high density 256-Kilobit one-
time programmable electrically programmable read only mem-
ory microcircuit features a greater than 100 krad (Si) total
dose tolerance, depending upon space mission. The 27C256T
features fast address times and low power dissipation. The
27C256T offers high speed programming using page pro-
gramming mode.
Maxwell Technologies' patented R
AD
-P
AK
® packaging technol-
ogy incorporates radiation shielding in the microcircuit pack-
age. It eliminates the need for box shielding while providing
the required radiation shielding for a lifetime in orbit or space
mission. In a GEO orbit, R
AD
-P
AK
® provides greater than 100
krad (Si) radiation dose tolerance. This product is available
with screening up to Class S.
06.24.02 REV 4
All data sheets are subject to change without notice
1
(858) 503-3300 - Fax: (858) 503-3301 - www.maxwell.com
©2003 Maxwell Technologies
All rights reserved.

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描述 OTP ROM, 32KX8, 150ns, CMOS, PDIP32, DIP-32 OTP ROM, 32KX8, 120ns, CMOS, PDIP32, DIP-32 OTP ROM, 32KX8, 150ns, CMOS, PDIP32, DIP-32 OTP ROM, 32KX8, 200ns, CMOS, PDIP32, DIP-32 OTP ROM, 32KX8, 200ns, CMOS, PDIP32, DIP-32 OTP ROM, 32KX8, 120ns, CMOS, PDIP32, DIP-32 OTP ROM, 32KX8, 150ns, CMOS, PDIP32, DIP-32 OTP ROM, 32KX8, 200ns, CMOS, PDIP32, DIP-32 OTP ROM, 32KX8, 120ns, CMOS, PDIP32, DIP-32
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
零件包装代码 DIP DIP DIP DIP DIP DIP DIP DIP DIP
包装说明 DIP-32 DIP, DIP, DIP, DIP, DIP-32 DIP, DIP-32 DIP,
针数 32 32 32 32 32 32 32 32 32
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最长访问时间 150 ns 120 ns 150 ns 200 ns 200 ns 120 ns 150 ns 200 ns 120 ns
JESD-30 代码 R-PDIP-T32 R-PDIP-T32 R-PDIP-T32 R-PDIP-T32 R-PDIP-T32 R-PDIP-T32 R-PDIP-T32 R-PDIP-T32 R-PDIP-T32
长度 40.64 mm 40.64 mm 40.64 mm 40.64 mm 40.64 mm 40.64 mm 40.64 mm 40.64 mm 40.64 mm
内存密度 262144 bit 262144 bit 262144 bit 262144 bit 262144 bit 262144 bit 262144 bit 262144 bit 262144 bit
内存集成电路类型 OTP ROM OTP ROM OTP ROM OTP ROM OTP ROM OTP ROM OTP ROM OTP ROM OTP ROM
内存宽度 8 8 8 8 8 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 32 32 32 32 32 32 32 32 32
字数 32768 words 32768 words 32768 words 32768 words 32768 words 32768 words 32768 words 32768 words 32768 words
字数代码 32000 32000 32000 32000 32000 32000 32000 32000 32000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C
组织 32KX8 32KX8 32KX8 32KX8 32KX8 32KX8 32KX8 32KX8 32KX8
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIP DIP DIP DIP DIP DIP DIP DIP DIP
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 6.096 mm 6.096 mm 6.096 mm 6.096 mm 6.096 mm 6.096 mm 6.096 mm 6.096 mm 6.096 mm
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO NO NO NO NO NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
宽度 15.24 mm 15.24 mm 15.24 mm 15.24 mm 15.24 mm 15.24 mm 15.24 mm 15.24 mm 15.24 mm
Base Number Matches 1 1 1 1 1 1 1 1 1
筛选级别 - MIL-STD-883 Class B MIL-STD-883 Class S MIL-STD-883 Class S MIL-STD-883 Class B - MIL-STD-883 Class B - MIL-STD-883 Class S
总剂量 - 100k Rad(Si) V 100k Rad(Si) V 100k Rad(Si) V 100k Rad(Si) V - 100k Rad(Si) V - 100k Rad(Si) V
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