NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (VHF~UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS)
| 参数名称 | 属性值 |
| 厂商名称 | Toshiba(东芝) |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 |
| Reach Compliance Code | unknow |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 其他特性 | LOW NOISE |
| 最大集电极电流 (IC) | 0.08 A |
| 基于收集器的最大容量 | 1.15 pF |
| 集电极-发射极最大电压 | 12 V |
| 配置 | SEPARATE, 2 ELEMENTS |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 80 |
| 最高频带 | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G6 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 元件数量 | 2 |
| 端子数量 | 6 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型 | NPN |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | TIN LEAD |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL |
| 晶体管应用 | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 7000 MHz |
| HN3C10F | HN3C11F | |
|---|---|---|
| 描述 | NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (VHF~UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS) | NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (VHF~UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS) |
| 厂商名称 | Toshiba(东芝) | Toshiba(东芝) |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 |
| Reach Compliance Code | unknow | unknow |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
| 其他特性 | LOW NOISE | LOW NOISE |
| 最大集电极电流 (IC) | 0.08 A | 0.04 A |
| 基于收集器的最大容量 | 1.15 pF | 1.15 pF |
| 集电极-发射极最大电压 | 12 V | 10 V |
| 配置 | SEPARATE, 2 ELEMENTS | SEPARATE, 2 ELEMENTS |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 80 | 50 |
| 最高频带 | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G6 | R-PDSO-G6 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 |
| 元件数量 | 2 | 2 |
| 端子数量 | 6 | 6 |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型 | NPN | NPN |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES | YES |
| 端子面层 | TIN LEAD | TIN LEAD |
| 端子形式 | GULL WING | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL | DUAL |
| 晶体管应用 | AMPLIFIER | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 7000 MHz | 10000 MHz |
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