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HN3C10F

产品描述NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (VHF~UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS)
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小86KB,共1页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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HN3C10F概述

NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (VHF~UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS)

HN3C10F规格参数

参数名称属性值
厂商名称Toshiba(东芝)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)0.08 A
基于收集器的最大容量1.15 pF
集电极-发射极最大电压12 V
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)80
最高频带ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码R-PDSO-G6
JESD-609代码e0
元件数量2
端子数量6
最高工作温度125 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层TIN LEAD
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)7000 MHz

HN3C10F相似产品对比

HN3C10F HN3C11F
描述 NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (VHF~UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS) NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (VHF~UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS)
厂商名称 Toshiba(东芝) Toshiba(东芝)
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
Reach Compliance Code unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99
其他特性 LOW NOISE LOW NOISE
最大集电极电流 (IC) 0.08 A 0.04 A
基于收集器的最大容量 1.15 pF 1.15 pF
集电极-发射极最大电压 12 V 10 V
配置 SEPARATE, 2 ELEMENTS SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE) 80 50
最高频带 ULTRA HIGH FREQUENCY BAND ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码 R-PDSO-G6 R-PDSO-G6
JESD-609代码 e0 e0
元件数量 2 2
端子数量 6 6
最高工作温度 125 °C 125 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 NPN NPN
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子面层 TIN LEAD TIN LEAD
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 7000 MHz 10000 MHz
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