Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> BYV27-200(Z)

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BYV27-200(Z): 产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 200V V(RRM), Silicon, DO-15L, 2 PIN; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小72KB，共2页; 制造商Galaxy Semi-Conductor Co Ltd; 标准

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BYV27-200(Z)概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 200V V(RRM), Silicon, DO-15L, 2 PIN

BYV27-200(Z)规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
包装说明	O-PALF-W2
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
应用	SUPER FAST RECOVERY
外壳连接	ISOLATED
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	0.98 V
JESD-30 代码	O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流	50 A
元件数量	1
相数	1
端子数量	2
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-55 °C
最大输出电流	2 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND
封装形式	LONG FORM
最大重复峰值反向电压	200 V
最大反向电流	5 µA
最大反向恢复时间	0.025 µs
表面贴装	NO
端子形式	WIRE
端子位置	AXIAL
Base Number Matches	1

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FEATURES

Low cost

GALAXY ELECTRICAL

BYV27 - 50(Z) - - - BYV27 - 600(Z)

VOLTAGE RANGE: 50 --- 600 V

CURRENT: 2.0, 1.9,1.6 A

SUPER FAST RECTIFIER

DO - 15L

Diffused junction

Low leakage

Low forward voltage drop

High current capability

Easily cleaned with alcohol,Isopropanol

and sim ilar solvents

MECHANICAL DATA

Case: JEDEC DO-15L,m olded plastic

Term inals: Axial lead ,solderable per

MIL- STD-202,Method 208

Polarity: Color band denotes cathode

Weight: 0.017 ounces,0.48 gram s

Mounting position: Any

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Ratings at 25

am bient tem perature unless otherwise specified.

Single phase,half wave,50 Hz,resistive or inductive load. For capacitive load,derate by 20%.

BYV27 BYV27 BYV27 BYV27 BYV27 BYV27 BYV27

UNITS

-100

-50

-150

-200

-300

-400

-600

Maximum recurrent peak reverse voltage

Maximum RMS voltage

Maximum DC blocking voltage

Maximum average forw ard rectif ied current

9.5mm lead length,

=75

RRM

RMS

F(AV)

100

2.0

150

105

150

200

140

200

300

210

300

1.9

400

280

400

600

420

600

1.6

Peak forw ard surge current

10ms single half -sine-w ave

superimposed on rated load

=125

FSM

50.0

40.0

Maximum instantaneous forw ard voltage

@ I

F(AV)

Maximum reverse current

at rated DC blocking voltage

Maximum reverse recovery time

Typical junction capacitance

Typical thermal resistance

=25

=100

(Note1)

(Note2)

(Note3)

STG

0.98

5.0

100.0

100

- 55 ----- + 150

1.05

1.25

Operating junction temperature range

Storage temperature range

NOTE: 1. Measured with I

=0.5A, I

=1A, I

=0.25A.

www.galaxycn.com

2. Measured at 1.0MHz and applied rev erse v oltage of 4.1V DC.

3. Thermal resistance f rom junction to ambient.

Document Number 0264014

GALAXY ELECTRICAL

BYV27-200(Z)相似产品对比

	BYV27-200(Z)	BYV27-100(Z)	BYV27-50(Z)	BYV27-600(Z)	BYV27-150(Z)	BYV27-300(Z)	BYV27-400(Z)
描述	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 200V V(RRM), Silicon, DO-15L, 2 PIN	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 100V V(RRM), Silicon, DO-15L, 2 PIN	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 50V V(RRM), Silicon, DO-15L, 2 PIN	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.6A, 600V V(RRM), Silicon, DO-15L, 2 PIN	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 150V V(RRM), Silicon, DO-15L, 2 PIN	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.9A, 300V V(RRM), Silicon, DO-15L, 2 PIN	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.9A, 400V V(RRM), Silicon, DO-15L, 2 PIN
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合
包装说明	O-PALF-W2	O-PALF-W2	O-PALF-W2	O-PALF-W2	O-PALF-W2	O-PALF-W2	O-PALF-W2
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
应用	SUPER FAST RECOVERY	SUPER FAST RECOVERY	SUPER FAST RECOVERY	SUPER FAST RECOVERY	SUPER FAST RECOVERY	SUPER FAST RECOVERY	SUPER FAST RECOVERY
外壳连接	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
二极管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	0.98 V	0.98 V	0.98 V	1.25 V	0.98 V	1.05 V	1.05 V
JESD-30 代码	O-PALF-W2	O-PALF-W2	O-PALF-W2	O-PALF-W2	O-PALF-W2	O-PALF-W2	O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流	50 A	50 A	50 A	40 A	50 A	50 A	50 A
元件数量	1	1	1	1	1	1	1
相数	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	2	2	2	2	2	2	2
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
最低工作温度	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C
最大输出电流	2 A	2 A	2 A	1.6 A	2 A	1.9 A	1.9 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND
封装形式	LONG FORM	LONG FORM	LONG FORM	LONG FORM	LONG FORM	LONG FORM	LONG FORM
最大重复峰值反向电压	200 V	100 V	50 V	600 V	150 V	300 V	400 V
最大反向电流	5 µA	5 µA	5 µA	5 µA	5 µA	5 µA	5 µA
最大反向恢复时间	0.025 µs	0.025 µs	0.025 µs	0.05 µs	0.025 µs	0.05 µs	0.05 µs
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
端子形式	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE
端子位置	AXIAL	AXIAL	AXIAL	AXIAL	AXIAL	AXIAL	AXIAL
厂商名称	-	Galaxy Semi-Conductor Co Ltd	Galaxy Semi-Conductor Co Ltd	Galaxy Semi-Conductor Co Ltd	Galaxy Semi-Conductor Co Ltd	Galaxy Semi-Conductor Co Ltd	Galaxy Semi-Conductor Co Ltd

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