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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> BYV27-300(Z)
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BYV27-300(Z)

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.9A, 300V V(RRM), Silicon, DO-15L, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小72KB，共2页
制造商Galaxy Semi-Conductor Co Ltd
标准
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BYV27-300(Z)概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.9A, 300V V(RRM), Silicon, DO-15L, 2 PIN

BYV27-300(Z)规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Galaxy Semi-Conductor Co Ltd
包装说明O-PALF-W2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
应用SUPER FAST RECOVERY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.05 V
JESD-30 代码O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流50 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流1.9 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
最大重复峰值反向电压300 V
最大反向电流5 µA
最大反向恢复时间0.05 µs
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL

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BL
FEATURES
Low cost
GALAXY ELECTRICAL
BYV27 - 50(Z) - - - BYV27 - 600(Z)
VOLTAGE RANGE: 50 --- 600 V
CURRENT: 2.0, 1.9,1.6 A
SUPER FAST RECTIFIER
DO - 15L
Diffused junction
Low leakage
Low forward voltage drop
High current capability
Easily cleaned with alcohol,Isopropanol
and sim ilar solvents
MECHANICAL DATA
Case: JEDEC DO-15L,m olded plastic
Term inals: Axial lead ,solderable per
MIL- STD-202,Method 208
Polarity: Color band denotes cathode
Weight: 0.017 ounces,0.48 gram s
Mounting position: Any
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
am bient tem perature unless otherwise specified.
Single phase,half wave,50 Hz,resistive or inductive load. For capacitive load,derate by 20%.
BYV27 BYV27 BYV27 BYV27 BYV27 BYV27 BYV27
UNITS
-100
-50
-150
-200
-300
-400
-600
Maximum recurrent peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forw ard rectif ied current
9.5mm lead length,
@T
A
=75
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
50
35
50
100
70
100
2.0
150
105
150
200
140
200
300
210
300
1.9
400
280
400
600
420
600
1.6
V
V
V
A
Peak forw ard surge current
10ms single half -sine-w ave
superimposed on rated load
@T
J
=125
I
FSM
50.0
40.0
A
Maximum instantaneous forw ard voltage
@ I
F
=I
F(AV)
Maximum reverse current
at rated DC blocking voltage
Maximum reverse recovery time
Typical junction capacitance
Typical thermal resistance
@T
A
=25
@T
A
=100
(Note1)
(Note2)
(Note3)
V
F
I
R
t
rr
C
J
R
θ
JA
T
J
T
STG
0.98
5.0
100.0
25
62
100
- 55 ----- + 150
- 55 ----- + 150
1.05
1.25
V
A
50
ns
pF
/W
Operating junction temperature range
Storage temperature range
NOTE: 1. Measured with I
F
=0.5A, I
R
=1A, I
rr
=0.25A.
www.galaxycn.com
2. Measured at 1.0MHz and applied rev erse v oltage of 4.1V DC.
3. Thermal resistance f rom junction to ambient.
Document Number 0264014
BL
GALAXY ELECTRICAL
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BYV27-300(Z) BYV27-200(Z) BYV27-100(Z) BYV27-50(Z) BYV27-600(Z) BYV27-150(Z) BYV27-400(Z)
描述 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.9A, 300V V(RRM), Silicon, DO-15L, 2 PIN Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 200V V(RRM), Silicon, DO-15L, 2 PIN Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 100V V(RRM), Silicon, DO-15L, 2 PIN Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 50V V(RRM), Silicon, DO-15L, 2 PIN Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.6A, 600V V(RRM), Silicon, DO-15L, 2 PIN Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 150V V(RRM), Silicon, DO-15L, 2 PIN Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.9A, 400V V(RRM), Silicon, DO-15L, 2 PIN
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合
包装说明 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
应用 SUPER FAST RECOVERY SUPER FAST RECOVERY SUPER FAST RECOVERY SUPER FAST RECOVERY SUPER FAST RECOVERY SUPER FAST RECOVERY SUPER FAST RECOVERY
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.05 V 0.98 V 0.98 V 0.98 V 1.25 V 0.98 V 1.05 V
JESD-30 代码 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流 50 A 50 A 50 A 50 A 40 A 50 A 50 A
元件数量 1 1 1 1 1 1 1
相数 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 2 2 2 2 2 2 2
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C
最大输出电流 1.9 A 2 A 2 A 2 A 1.6 A 2 A 1.9 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM
最大重复峰值反向电压 300 V 200 V 100 V 50 V 600 V 150 V 400 V
最大反向电流 5 µA 5 µA 5 µA 5 µA 5 µA 5 µA 5 µA
最大反向恢复时间 0.05 µs 0.025 µs 0.025 µs 0.025 µs 0.05 µs 0.025 µs 0.05 µs
表面贴装 NO NO NO NO NO NO NO
端子形式 WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE
端子位置 AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL
厂商名称 Galaxy Semi-Conductor Co Ltd - Galaxy Semi-Conductor Co Ltd Galaxy Semi-Conductor Co Ltd Galaxy Semi-Conductor Co Ltd Galaxy Semi-Conductor Co Ltd Galaxy Semi-Conductor Co Ltd

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