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IDT70V27S35PFGI

产品描述Dual-Port SRAM, 32KX16, 35ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, TQFP-100
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文件大小173KB,共21页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
标准
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IDT70V27S35PFGI概述

Dual-Port SRAM, 32KX16, 35ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, TQFP-100

IDT70V27S35PFGI规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码QFP
包装说明LFQFP,
针数100
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最长访问时间35 ns
JESD-30 代码S-PQFP-G100
JESD-609代码e3
长度14 mm
内存密度524288 bit
内存集成电路类型DUAL-PORT SRAM
内存宽度16
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量100
字数32768 words
字数代码32000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织32KX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LFQFP
封装形状SQUARE
封装形式FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.6 mm
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层MATTE TIN
端子形式GULL WING
端子节距0.5 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度14 mm
Base Number Matches1

IDT70V27S35PFGI相似产品对比

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描述 Dual-Port SRAM, 32KX16, 35ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, TQFP-100 Dual-Port SRAM, 32KX16, 20ns, CMOS, PBGA144, 12 X 12 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, FBGA-144 Dual-Port SRAM, 32KX16, 35ns, CMOS, PBGA144, 12 X 12 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, FBGA-144 Dual-Port SRAM, 32KX16, 20ns, CMOS, PBGA144, 12 X 12 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, FBGA-144 Dual-Port SRAM, 32KX16, 20ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, TQFP-100 Dual-Port SRAM, 32KX16, 35ns, CMOS, PBGA144, 12 X 12 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, FBGA-144
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合 符合
厂商名称 IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码 QFP BGA BGA BGA QFP BGA
包装说明 LFQFP, LFBGA, LFBGA, LFBGA, LFQFP, LFBGA,
针数 100 144 144 144 100 144
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 3A991.B.2.B EAR99 3A991.B.2.B 3A991.B.2.B EAR99
最长访问时间 35 ns 20 ns 35 ns 20 ns 20 ns 35 ns
JESD-30 代码 S-PQFP-G100 S-PBGA-B144 S-PBGA-B144 S-PBGA-B144 S-PQFP-G100 S-PBGA-B144
JESD-609代码 e3 e3 e3 e3 e3 e3
长度 14 mm 12 mm 12 mm 12 mm 14 mm 12 mm
内存密度 524288 bit 524288 bit 524288 bit 524288 bit 524288 bit 524288 bit
内存集成电路类型 DUAL-PORT SRAM DUAL-PORT SRAM DUAL-PORT SRAM DUAL-PORT SRAM DUAL-PORT SRAM DUAL-PORT SRAM
内存宽度 16 16 16 16 16 16
功能数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 100 144 144 144 100 144
字数 32768 words 32768 words 32768 words 32768 words 32768 words 32768 words
字数代码 32000 32000 32000 32000 32000 32000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C
组织 32KX16 32KX16 32KX16 32KX16 32KX16 32KX16
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 LFQFP LFBGA LFBGA LFBGA LFQFP LFBGA
封装形状 SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE
封装形式 FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 260 260 260 260
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.6 mm 1.5 mm 1.5 mm 1.5 mm 1.6 mm 1.5 mm
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子面层 MATTE TIN Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) MATTE TIN Matte Tin (Sn)
端子形式 GULL WING BALL BALL BALL GULL WING BALL
端子节距 0.5 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.5 mm 0.8 mm
端子位置 QUAD BOTTOM BOTTOM BOTTOM QUAD BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30 30 30 30 30
宽度 14 mm 12 mm 12 mm 12 mm 14 mm 12 mm
Base Number Matches 1 1 1 1 1 -
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