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5962-9325801VCA

产品描述

5962-9325801VCA放大器基础信息:

5962-9325801VCA是一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为DIP, DIP14,.3

5962-9325801VCA放大器核心信息:

5962-9325801VCA的最低工作温度是-55 °C,最高工作温度是125 °C。其峰值回流温度为NOT SPECIFIED25℃下的最大偏置电流为:0.6 µA他的最大平均偏置电流为0.6 µA

厂商给出的5962-9325801VCA的最大压摆率为13 mA,而最小压摆率为85 V/us。其最小电压增益为5000。而在运放闭环使用时,某个指定闭环增益(一般为 1 或者 2、 10 等)下,5962-9325801VCA增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为21000 kHz。

5962-9325801VCA的标称供电电压为5 V,其对应的标称负供电电压为-5 V。5962-9325801VCA的输入失调电压为500 µV(输入失调电压:使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。)

5962-9325801VCA的相关尺寸:

5962-9325801VCA拥有14个端子.其端子位置类型为:DUAL。端子节距为2.54 mm。共有针脚:14

5962-9325801VCA放大器其他信息:

5962-9325801VCA采用了VOLTAGE-FEEDBACK的架构。其不属于低失调类放大器。5962-9325801VCA的频率补偿情况是:YES。其温度等级为:MILITARY。5962-9325801VCA不符合Rohs认证。

其含有铅成分。其对应的的JESD-30代码为:R-GDIP-T14。其对应的的JESD-609代码为:e0。5962-9325801VCA的封装代码是:DIP。5962-9325801VCA封装的材料多为CERAMIC, GLASS-SEALED。

而其封装形状为RECTANGULAR。5962-9325801VCA封装引脚的形式有:IN-LINE。其端子形式有:THROUGH-HOLE。

产品类别模拟混合信号IC    放大器电路   
文件大小100KB,共12页
制造商ADI(亚德诺半导体)
官网地址https://www.analog.com
器件替换:5962-9325801VCA替换放大器
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5962-9325801VCA概述

5962-9325801VCA放大器基础信息:

5962-9325801VCA是一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为DIP, DIP14,.3

5962-9325801VCA放大器核心信息:

5962-9325801VCA的最低工作温度是-55 °C,最高工作温度是125 °C。其峰值回流温度为NOT SPECIFIED25℃下的最大偏置电流为:0.6 µA他的最大平均偏置电流为0.6 µA

厂商给出的5962-9325801VCA的最大压摆率为13 mA,而最小压摆率为85 V/us。其最小电压增益为5000。而在运放闭环使用时,某个指定闭环增益(一般为 1 或者 2、 10 等)下,5962-9325801VCA增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为21000 kHz。

5962-9325801VCA的标称供电电压为5 V,其对应的标称负供电电压为-5 V。5962-9325801VCA的输入失调电压为500 µV(输入失调电压:使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。)

5962-9325801VCA的相关尺寸:

5962-9325801VCA拥有14个端子.其端子位置类型为:DUAL。端子节距为2.54 mm。共有针脚:14

5962-9325801VCA放大器其他信息:

5962-9325801VCA采用了VOLTAGE-FEEDBACK的架构。其不属于低失调类放大器。5962-9325801VCA的频率补偿情况是:YES。其温度等级为:MILITARY。5962-9325801VCA不符合Rohs认证。

其含有铅成分。其对应的的JESD-30代码为:R-GDIP-T14。其对应的的JESD-609代码为:e0。5962-9325801VCA的封装代码是:DIP。5962-9325801VCA封装的材料多为CERAMIC, GLASS-SEALED。

而其封装形状为RECTANGULAR。5962-9325801VCA封装引脚的形式有:IN-LINE。其端子形式有:THROUGH-HOLE。

5962-9325801VCA规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称ADI(亚德诺半导体)
零件包装代码DIP
包装说明DIP, DIP14,.3
针数14
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
放大器类型OPERATIONAL AMPLIFIER
架构VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB)0.6 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB)0.6 µA
标称共模抑制比80 dB
频率补偿YES
最大输入失调电压500 µV
JESD-30 代码R-GDIP-T14
JESD-609代码e0
低-失调NO
负供电电压上限-18 V
标称负供电电压 (Vsup)-5 V
功能数量4
端子数量14
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码DIP
封装等效代码DIP14,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源+-5/+-15 V
认证状态Not Qualified
筛选级别MIL-PRF-38535 Class V
最小摆率85 V/us
最大压摆率13 mA
供电电压上限18 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术BIPOLAR
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
标称均一增益带宽21000 kHz
最小电压增益5000
Base Number Matches1

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REVISIONS
LTR
A
B
C
DESCRIPTION
Change to the supply current test, I
CC
, in table I. Update boilerplate. - rrp
Add radiation hardness requirements. Add case outline D. Add table IIB. - rrp
Add footnote to the supply voltage test in section 1.3. Add footnote to the
supply current and power supply rejection ratio test in table I. Update
boilerplate. – rrp
Change to the post irradiation test limits in table I for I
IO
, IIB, A
VO
, and I
CC
.
Removed accelerated aging and dose rate burnout provisions in
section 4. – rrp
Added subgroup 4 to table IIA under group E end-point for device class V. – gt
Drawing updated to reflect current requirements. - rrp
Delete footnote 2/ from section 1.3. Delete footnote 5/ from Table I.
These footnotes were incorrectly added under revision C. - ro
DATE (YR-MO-DA)
99-11-16
00-05-05
01-10-17
APPROVED
R. MONNIN
R. MONNIN
R. MONNIN
D
E
F
G
01-11-15
03-03-11
05-09-07
10-04-22
R. MONNIN
R. MONNIN
R. MONNIN
C. SAFFLE
REV
SHEET
REV
SHEET
REV STATUS
OF SHEETS
PMIC N/A
REV
SHEET
PREPARED BY
RICK C. OFFICER
G
1
G
2
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3
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4
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5
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6
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7
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G
10
G
11
STANDARD
MICROCIRCUIT
DRAWING
THIS DRAWING IS AVAILABLE
FOR USE BY ALL
DEPARTMENTS
AND AGENCIES OF THE
DEPARTMENT OF DEFENSE
CHECKED BY
RAJESH R. PITHADIA
APPROVED BY
MICHAEL A. FRYE
DRAWING APPROVAL DATE
94-03-02
REVISION LEVEL
G
DEFENSE SUPPLY CENTER COLUMBUS
COLUMBUS, OHIO 43218-3990
http://www.dscc.dla.mil
MICROCIRCUIT, LINEAR, RADIATION
HARDENED, PRECISION, HIGH SPEED, QUAD
OPERATIONAL AMPLIFIER, MONOLITHIC
SILICON
SIZE
A
CAGE CODE
AMSC N/A
67268
SHEET
1 OF 11
5962-93258
DSCC FORM 2233
APR 97
5962-E240-10

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描述 IC QUAD OP-AMP, 500 uV OFFSET-MAX, 21 MHz BAND WIDTH, CDIP14, CERDIP-14, Operational Amplifier Aerospace Quad High-Speed Precision Op Amp
是否无铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 ADI(亚德诺半导体) ADI(亚德诺半导体)
零件包装代码 DIP QLCC
包装说明 DIP, DIP14,.3 QCCN, LCC20,.35SQ
针数 14 20
Reach Compliance Code unknown compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
放大器类型 OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER
架构 VOLTAGE-FEEDBACK VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB) 0.6 µA 0.6 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB) 0.6 µA 0.6 µA
标称共模抑制比 80 dB 80 dB
频率补偿 YES YES
最大输入失调电压 500 µV 500 µV
JESD-30 代码 R-GDIP-T14 S-CQCC-N20
低-失调 NO NO
负供电电压上限 -18 V -18 V
标称负供电电压 (Vsup) -5 V -5 V
功能数量 4 4
端子数量 14 20
最高工作温度 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C
封装主体材料 CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码 DIP QCCN
封装等效代码 DIP14,.3 LCC20,.35SQ
封装形状 RECTANGULAR SQUARE
封装形式 IN-LINE CHIP CARRIER
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED 220
电源 +-5/+-15 V +-5/+-15 V
认证状态 Not Qualified Qualified
筛选级别 MIL-PRF-38535 Class V MIL-PRF-38535 Class V
最小摆率 85 V/us 85 V/us
最大压摆率 13 mA 13 mA
供电电压上限 18 V 18 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V
表面贴装 NO YES
技术 BIPOLAR BIPOLAR
温度等级 MILITARY MILITARY
端子形式 THROUGH-HOLE NO LEAD
端子节距 2.54 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED 30
标称均一增益带宽 21000 kHz 21000 kHz
最小电压增益 5000 5000
Base Number Matches 1 1

 
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