Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> IS67WV51216DBLL-70TLA1

文档预览

IS67WV51216DBLL-70TLA1: 产品描述Pseudo Static RAM, 512KX16, 70ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, LEAD FREE, TSOP2-44; 产品类别存储存储; 文件大小463KB，共17页; 制造商Integrated Silicon Solution ( ISSI ); 标准

下载文档详细参数选型对比全文预览

IS67WV51216DBLL-70TLA1概述

Pseudo Static RAM, 512KX16, 70ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, LEAD FREE, TSOP2-44

IS67WV51216DBLL-70TLA1规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Integrated Silicon Solution ( ISSI )
零件包装代码	TSOP2
包装说明	TSOP2, TSOP44,.46,32
针数	44
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A
最长访问时间	70 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PDSO-G44
长度	18.41 mm
内存密度	8388608 bit
内存集成电路类型	PSEUDO STATIC RAM
内存宽度	16
功能数量	1
端子数量	44
字数	524288 words
字数代码	512000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	512KX16
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP2
封装等效代码	TSOP44,.46,32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行	PARALLEL
电源	3/3.3 V
认证状态	Not Qualified
筛选级别	AEC-Q100
座面最大高度	1.2 mm
最大待机电流	0.00015 A
最大压摆率	0.035 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	2.5 V
标称供电电压 (Vsup)	3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子形式	GULL WING
端子节距	0.8 mm
端子位置	DUAL
宽度	10.16 mm
Base Number Matches	1

文档预览

下载PDF文档

全文
预览

IS66WV51216DALL

IS66/67WV51216DBLL

8Mb LOW VOLTAGE,

ULTRA LOW POWER PSEUDO CMOS STATIC RAM

FEATURES

DESCRIPTION

• High-speed access time:

– 70ns (IS66WV51216DALL, IS66/67WV51216DBLL)

– 55ns (IS66/67WV51216DBLL)

JULY 2011

• CMOS low power operation

• Single power supply

– V

= 1.7V-1.95V

(IS66WV51216dALL)

– V

= 2.5V-3.6V

(IS66/67WV51216dBLL)

• Three state outputs

• Data control for upper and lower bytes

• Industrial temperature available

• Lead-free available

The

ISSI

IS66WV51216DALL and IS66/67WV51216DBLL

are high-speed, 8M bit static RAMs organized as 512K

words by 16 bits. It is fabricated using

ISSI

's high-

performance CMOS technology.This highly reliable process

coupled with innovative circuit design techniques, yields

high-performance and low power consumption devices.

When

CS1

is HIGH (deselected) or when CS2 is LOW

(deselected) or when

CS1

is LOW, CS2 is HIGH and both

and

are HIGH, the device assumes a standby mode

at which the power dissipation can be reduced down with

CMOS input levels.

Easy memory expansion is provided by using Chip Enable

and Output Enable inputs. The active LOW Write Enable

(WE)

controls both writing and reading of the memory. A

data byte allows Upper Byte

(UB)

and Lower Byte (LB)

access.

The IS66WV51216DALL and IS66/67WV51216DBLL are

packaged in the JEDEC standard 48-ball mini BGA (6mm

x 8mm) and 44-Pin TSOP (TYPE II). The device is aslo

available for die sales.

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

A0-A18

DECODER

512K x 16

MEMORY ARRAY

GND

I/O0-I/O7

Lower Byte

I/O8-I/O15

Upper Byte

I/O

DATA

CIRCUIT

COLUMN I/O

CS2

CS1

CONTROL

CIRCUIT

liability arising out of the application or use of any information, products or services described herein. Customers are advised to obtain the latest version of this device specification before relying on

any published information and before placing orders for products.

Integrated Silicon Solution, Inc. does not recommend the use of any of its products in life support applications where the failure or malfunction of the product can reasonably be expected to cause

failure of the life support system or to significantly affect its safety or effectiveness. Products are not authorized for use in such applications unless Integrated Silicon Solution, Inc. receives written

assurance to its satisfaction, that:

a.) the risk of injury or damage has been minimized;

b.) the user assume all such risks; and

c.) potential liability of Integrated Silicon Solution, Inc is adequately protected under the circumstances

Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com

Rev. A

06/28/2011

IS67WV51216DBLL-70TLA1相似产品对比

	IS67WV51216DBLL-70TLA1	IS67WV51216DBLL-55TLA1	IS67WV51216DBLL-70TLA1-TR	IS67WV51216DBLL-55TLA1-TR	IS67WV51216DBLL-70BLA1	IS67WV51216DBLL-55BLA1	IS66WV51216DALL-70TLI	IS66WV51216DALL-70BLI	IS66WV51216DALL-70BLI-TR
描述	Pseudo Static RAM, 512KX16, 70ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, LEAD FREE, TSOP2-44	Pseudo Static RAM, 512KX16, 55ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, LEAD FREE, TSOP2-44	Application Specific SRAM, 512KX16, 70ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, LEAD FREE, TSOP2-44	Application Specific SRAM, 512KX16, 55ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, LEAD FREE, TSOP2-44	Pseudo Static RAM, 512KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, LEAD FREE, MO-207, BGA-48	Pseudo Static RAM, 512KX16, 55ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, LEAD FREE, MO-207, BGA-48	Pseudo Static RAM, 512KX16, 70ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, LEAD FREE, TSOP2-44	Pseudo Static RAM, 512KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, LEAD FREE, MO-207, BGA-48	Application Specific SRAM, 512KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, LEAD FREE, MO-207, BGA-48
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合
包装说明	TSOP2, TSOP44,.46,32	TSOP2, TSOP44,.46,32	TSOP2, TSOP44,.46,32	TSOP2, TSOP44,.46,32	TFBGA, BGA48,6X8,30	TFBGA, BGA48,6X8,30	TSOP2, TSOP44,.46,32	TFBGA, BGA48,6X8,30	TFBGA, BGA48,6X8,30
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compli
最长访问时间	70 ns	55 ns	70 ns	55 ns	70 ns	55 ns	70 ns	70 ns	70 ns
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PDSO-G44	R-PDSO-G44	R-PDSO-G44	R-PDSO-G44	R-PBGA-B48	R-PBGA-B48	R-PDSO-G44	R-PBGA-B48	R-PBGA-B48
长度	18.41 mm	18.41 mm	18.41 mm	18.41 mm	8 mm	8 mm	18.41 mm	8 mm	8 mm
内存密度	8388608 bit	8388608 bit	8388608 bit	8388608 bit	8388608 bit	8388608 bit	8388608 bit	8388608 bit	8388608 bi
内存集成电路类型	PSEUDO STATIC RAM	PSEUDO STATIC RAM	APPLICATION SPECIFIC SRAM	APPLICATION SPECIFIC SRAM	PSEUDO STATIC RAM	PSEUDO STATIC RAM	PSEUDO STATIC RAM	PSEUDO STATIC RAM	APPLICATION SPECIFIC SRAM
内存宽度	16	16	16	16	16	16	16	16	16
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	44	44	44	44	48	48	44	48	48
字数	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words
字数代码	512000	512000	512000	512000	512000	512000	512000	512000	512000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C
组织	512KX16	512KX16	512KX16	512KX16	512KX16	512KX16	512KX16	512KX16	512KX16
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TFBGA	TFBGA	TSOP2	TFBGA	TFBGA
封装等效代码	TSOP44,.46,32	TSOP44,.46,32	TSOP44,.46,32	TSOP44,.46,32	BGA48,6X8,30	BGA48,6X8,30	TSOP44,.46,32	BGA48,6X8,30	BGA48,6X8,30
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
电源	3/3.3 V	3/3.3 V	3/3.3 V	3/3.3 V	3/3.3 V	3/3.3 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm
最大待机电流	0.00015 A	0.00015 A	0.00015 A	0.00015 A	0.00015 A	0.00015 A	0.00012 A	0.00012 A	0.00012 A
最大压摆率	0.035 mA	0.035 mA	0.035 mA	0.035 mA	0.035 mA	0.035 mA	0.025 mA	0.025 mA	0.025 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	1.95 V	1.95 V	1.95 V
最小供电电压 (Vsup)	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	BALL	BALL	GULL WING	BALL	BALL
端子节距	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.75 mm	0.75 mm	0.8 mm	0.75 mm	0.75 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	BOTTOM	BOTTOM	DUAL	BOTTOM	BOTTOM
宽度	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	6 mm	6 mm	10.16 mm	6 mm	6 mm
厂商名称	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	-	-	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )
零件包装代码	TSOP2	TSOP2	-	-	DSBGA	DSBGA	TSOP2	DSBGA	-
针数	44	44	-	-	48	48	44	48	-
ECCN代码	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	-	-	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A
筛选级别	AEC-Q100	AEC-Q100	AEC-Q100	AEC-Q100	AEC-Q100	AEC-Q100	-	-	-
Base Number Matches	1	1	1	1	1	1	-	-	-

推荐资源

Ikalogic测试与测量产品系列，你了解吗？

在LM3S9B96移植UCOSII遇到点问题，请高手帮忙解答！: 看到一段话不是很理解 ”本移植根据 Cortex-M3 内核的特点，对临界区的关中断范围进行管理，在OS_CPU_A.Asm 文件中定义了程序清单 1.5 的宏。这里把 OS_CRITICAL_INT_PRIO 临界区中断优先级设 ......; fendou 微控制器 MCU

最新SI4432芯片，国内首家做出的成品模块: 目前国内首家使用SI4432的射频芯片做出来的无线数传模块，最大传输距离1500米，技术指标： 1、模块发射功率100毫瓦，7级可调，每下调一级模块的功率降一倍，从100毫瓦到50毫瓦，功耗 ......; suwei0071 无线连接

请求gooolgeman----关于2440lcd 24bpp显示问题 !!!: 我在移置2440的Bootload中的lcd驱动时候，设置24bpp Mode显示，现在屏幕上显示的内容为屏幕的上半边水平依次显示了两个一摸一样的我欲显示的开机画面，下半部分无任何显示，请问应该调节那几个 ......; hzxiaobao 嵌入式系统

z-stack协调器加入白名单的方法。: 第一种方法，在Zmac_cb.c文件中，找到函数MAC_CbackEvent，这个函数是MAC层把消息上传给NWK层的，可以过滤AssoReq命令。这个地方是判断MAC层生成的消息，并进一步传递给NWK，在传递给NWK前要用o ......; 罗菜鸟无线连接

PIC18F25K80单片机IIC通讯: 请问各位大神，怎么通过单片机18F25K80的IIC端口与Aptina的设备的摄像头通讯，有大神做过这样的案例么，求助。需要发送的存储器地址是REG= 0xFC00, 0x0000 这样类型的...; 137081866 Microchip MCU

晶振为什么不能放置在PCB边缘？用实际案例来解释！: 晶振在布局时，一般是不能放置在PCB边缘的，今天以一个实际案例讲解。某行车记录仪，测试的时候要加一个外接适配器，在机器上电运行测试时发现超标，具体频点是84MHz、144MHz、168MHz ......; buildele PCB设计

SIMATIC S7-1500 PLC左移指令（SHL）及样

TIA博途软件位移指令能将将累加器的内容逐位向左或者向右移动。移动的位数由N决定，向左移N位相当于累加器的内容乘以2N，向右移相当于累加器的内容处理2N。移位指令在逻辑控制中使用也很方便。 (1)左移指令(SHL) 当左移指令（SHL）的EN位为高电平“1”时，将执行移位指令，将IN端制定的内容送入累加器1低字中，并左移N端制定的位数，然后写入OUT端指令的目的地址中，左移指令（SHL）和参...[详细]
从两个层面来说电动汽车为什么不适合跑长途

纯电动汽车跑长途是否是个伪命题？至少就我个人的观点来看，至少就目前的技术水准以及基建水平来看，我认为是的。以下我会从两个大的层面来和大家聊聊，为什么纯电动汽车不适合跑长途。开着纯电动汽车跑长途，你需要对你的路程做出一个十分精准的规划，到哪里需要进行充电、需要预留多少的安全电量、具体路线的选择等等。除此以外，当你花了非常多的心思，对自己的旅程做出安排之后，实际路途中如果遇上一次充电桩的损坏、...[详细]
纯电动汽车智能供电系统对我们生活的影响

纯电动汽车作为新能源汽车中的主推车型，近年来得到了国家的大力支持与鼓励，发展也是日新月异，对于纯电动汽车在我们之前的认知，它是一个需要进行充电才能够提供动力输出的一个庞大的耗电体，而在近期发布的车型不知道大家有没有发现，不管是北汽EX5、还是最新发布的几何A都增加了对外放电功能，纯电动汽车摇身一变成为了可充放电的智能移动终端，今天小编就带大家一起纯电动汽车的对外放电功能，看看它究竟会为我们带来哪...[详细]
自备智能手机，实现门禁控制和电脑桌面登录

主题：自备终端(BYOD)发展趋势;用员工自己的移动设备来控制对工作设施及设备的使用，会对信息安全产生怎样的影响;在不使公司有安全风险或不损害员工隐私的前提下，有哪些方式能安全地实现这样的设施及设备使用。自备终端(Bring Your Own Device，简称BYOD)，即企业允许员工离职时保留自己的手机，这种做法正日益流行。如今智能手机功能也越来越多，我们不仅能用自己的手机访问电脑、网...[详细]
苹果印度扩张计划遇到新麻烦，富士康被曝在当地召回约 300 名中国工程师

8 月 25 日消息，苹果在印度的扩张遇到新麻烦。据彭博社报道，富士康科技集团已从印度召回约 300 名中国工程师，使苹果在当地的生产计划再度受阻。这些工程师来自富士康旗下裕展科技位于泰米尔纳德邦的工厂，这是数月以来第二次发生类似情况。裕展工厂主要生产旧款 iPhone 的金属外壳和显示模组，并未参与新一代 iPhone 17 的制造。该工厂才投产数月，而苹果的显示器依旧大量依赖进口。苹果...[详细]
是德科技研究发现：人工智能发展速度已超越基础设施准备程度

随着AI在各个行业中加速发展，对数据中心基础设施的需求也在迅速增长是德科技与Heavy Reading合作发布了《超越瓶颈：2025年AI集群网络报告》，探讨运营商如何演进以适应人工智能（AI）工作负载的规模和速度。报告显示近九成（89%）电信和云服务提供商计划扩大或维持AI基础设施投资，其中前三大增长因素分别为云集成（51%）、更高速的GPU（49%）和高速网络升级（45%）。 ...[详细]
汽车电机技术以后可以往哪里发展

永磁体是大量家用和工业设备的重要组件。它们在可再生能源领域尤其重要，包括电动汽车电动机。目前，这些磁铁基于稀土元素钕和镝，在用于电动汽车电机设计中越来越贵。欧盟已开始致力于消除或大大减少对永磁体中重稀土的需求。他们正在研究一些新的微结构工程策略，这将大大改善纯轻稀土元素磁体的性能。目前，用于电动汽车的高功率密度电机主要依靠稀土基永磁电机。随着成本的不断提高，稀土磁性材料的限制和稀缺，行业开...[详细]
全球电动汽车电池供需失衡：供应或达需求三倍以上

据日经新闻报道，调查发现，由于电动汽车需求降温，全球电动汽车电池供应量有望达到需求量的三倍以上，这为日本和美国等国家建立本土生产的举措带来了阻力。图片来源：宁德时代基于标普全球移动出行（S&P Global Mobility）的数据，日经新闻指出，电动汽车电池生产设施的总年产能预计将达到3,930 GWh，而需求量预计为1,161 GWh。到2026年，电动汽车电池供...[详细]
10000台！这家公司拿下全球首个人形机器人最大单笔订单

天太机器人官微8月20日晚间发布消息，天太机器人有限公司8月20日与山东未来机器人技术有限公司、山东未来数据科技、港仔机器人集团等战略合作伙伴，共同签署全球首个具身智能人形机器人10000台订单，这是全球人形机器人行业诞生以来数量最大的单笔订单。这意味着，曾被视作“科幻”的人形机器人，正式走出实验室、跨越概念阶段，作为一种可量产、可交付、可解决实际问题的生产力工具，浩浩荡荡地涌入现实世界的...[详细]
铅酸电池和锂电池对于新能源汽车哪个性价比高

电池作为新能源汽车的核心，关乎车辆的用车和续航，根据现有汽车电池的种类来说分为铅酸电池以及锂电池等各类的电池，当前，新能源汽车是以锂电池作为车辆的动力电池。而采用铅酸电池的基本上是以低速电动汽车为主，例如老年代步车等，而对于新能源汽车来说，使用铅酸电池和锂电池哪个性价比更高？根据电池的特征来说，自然是锂电池的性价比要高，首先从锂电池是由金属元素构成电池的电芯，依靠锂离子在正极和负极之间移动...[详细]
瑞萨电子全新超低功耗RA4C1 MCU具备高级安全性和专用外设集

瑞萨电子全新超低功耗RA4C1 MCU具备高级安全性和专用外设集，是表计应用及其他应用的理想选择全新产品满足DLMS Suite2表计应用安全法规，提供丰富的通信选项、电容式触摸界面，以及支持软件更新的双区闪存 2025 年 8 月 21 日，中国北京讯 - 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子今日宣布推出基于80MHz Arm ® Cortex ® -M33处理器的RA4C1微控制器...[详细]
纳芯微推出三款用于 GaN、汽车和电池安全的芯片

纳芯微正在推出涵盖各种电源应用的器件，包括氮化镓 (GaN) 驱动器、双通道汽车驱动器和电池保护 MOSFET。随着各行各业的电源系统日益紧凑和复杂，工程师们不得不重新思考如何在高压、汽车和电池供电设计中管理效率、控制和保护。氮化镓技术有望实现更高的功率密度，汽车电子设备需要具有严格 EMC 限制的多电机控制，而锂电池系统的能量和电流需求也在迅速增长。挑战在于找到既能满足这些需求，又不会增...[详细]
了解您的可穿戴设备的图形内存需求

　　高清媒体消费正在经历双重增长，一是消费者数量的增加，二是向更加高清的内容过渡。增长动力来自日益普及、速度越来越快的互联网接入服务以及移动设备(手机、平板电脑、可穿戴设备等)的爆炸式增长。因此，当今的很多可穿戴设备都能处理高清媒体的消费。　　即使按照最保守的估计，到2020年，市场对物联网(IoT) 和可穿戴设备的需求将增长三倍。这意味着全球将有500亿件设备。这将催生对新一代显示器驱动...[详细]
以高整合度混合信号单片机实现两线式Force Sensor应用设计

　　1. 内容简介　　在2015年，苹果新一代的MacBook和Apple Watch皆搭载压力触控感应技术，它被Apple称为Force Touch，用户每次按下触控板之后除了可以在萤幕看见视觉回馈，它同时能够分辨出用户点按的力度强弱来做出一系列的相关操控与应用。而本文将介绍以HY16F184内建高精密Sigma-delta 24 Bit ADC搭配Uneo Force Sensor来实现一...[详细]
华为问界M7首搭舱内激光视觉方案，可识别锥桶等障碍物

8月20日，华为终端宣布全新问界M7首搭舱内激光视觉方案，该方案相较于主视觉辅助驾驶方案具备更强的主动安全能力，能在恶劣光线环境下精准检测突发状况，新增紧急转向辅助ESA，可识别锥桶等障碍物，提升出行安全。问界M7尺寸为5080×1999×1780mm，轴距3030mm，可选车顶有无激光雷达。无车顶激光雷达的车型将搭载舱内激光方案，号称“行业首发舱内激光”。华为智能汽车解决方案BU CEO靳玉志...[详细]

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多