Analog Switch ICs Quad SPST CMOS Analgo Switch
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Maxim(美信半导体) |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | DIP, DIP16,.3 |
| 针数 | 16 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| 模拟集成电路 - 其他类型 | SPST |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T16 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 负电源电压最大值（Vsup） | -18 V |
| 负电源电压最小值（Vsup） | -4.5 V |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -15 V |
| 正常位置 | NC |
| 信道数量 | 1 |
| 功能数量 | 4 |
| 端子数量 | 16 |
| 标称断态隔离度 | 70 dB |
| 最大通态电阻 (Ron) | 80 Ω |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 输出 | SEPARATE OUTPUT |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP16,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 240 |
| 电源 | +-15 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 5.842 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 18 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 15 V |
| 表面贴装 | NO |
| 最长断开时间 | 350 ns |
| 最长接通时间 | 500 ns |
| 切换 | BREAK-BEFORE-MAKE |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 20 |
| 宽度 | 7.62 mm |
| HI1-0201-9 | HI1-0509A-5- | HI3-0201-5 | HI1-0201-5 | HI3-0201-5- | |
|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | Analog Switch ICs Quad SPST CMOS Analgo Switch | Analog Switch ICs Quad SPST CMOS Analgo Switch | Analog Switch ICs Quad SPST, CMOS Analog Switch | Analog Switch ICs Quad SPST, CMOS Analog Switch | |
| 是否无铅 | 含铅 | - | 含铅 | 含铅 | - |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | - | 不符合 | 不符合 | - |
| 厂商名称 | Maxim(美信半导体) | - | Maxim(美信半导体) | Maxim(美信半导体) | - |
| 零件包装代码 | DIP | - | DIP | DIP | - |
| 包装说明 | DIP, DIP16,.3 | - | DIP, DIP16,.3 | DIP, DIP16,.3 | - |
| 针数 | 16 | - | 16 | 16 | - |
| Reach Compliance Code | not_compliant | - | not_compliant | not_compliant | - |
| 模拟集成电路 - 其他类型 | SPST | - | SPST | SPST | - |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T16 | - | R-PDIP-T16 | R-GDIP-T16 | - |
| JESD-609代码 | e0 | - | e0 | e0 | - |
| 湿度敏感等级 | 1 | - | 1 | 1 | - |
| 负电源电压最大值（Vsup） | -18 V | - | -18 V | -18 V | - |
| 负电源电压最小值（Vsup） | -4.5 V | - | -4.5 V | -4.5 V | - |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -15 V | - | -15 V | -15 V | - |
| 正常位置 | NC | - | NC | NC | - |
| 信道数量 | 1 | - | 1 | 1 | - |
| 功能数量 | 4 | - | 4 | 4 | - |
| 端子数量 | 16 | - | 16 | 16 | - |
| 标称断态隔离度 | 70 dB | - | 70 dB | 70 dB | - |
| 最大通态电阻 (Ron) | 80 Ω | - | 80 Ω | 80 Ω | - |
| 最高工作温度 | 85 °C | - | 70 °C | 70 °C | - |
| 输出 | SEPARATE OUTPUT | - | SEPARATE OUTPUT | SEPARATE OUTPUT | - |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED | - | PLASTIC/EPOXY | CERAMIC, GLASS-SEALED | - |
| 封装代码 | DIP | - | DIP | DIP | - |
| 封装等效代码 | DIP16,.3 | - | DIP16,.3 | DIP16,.3 | - |
| 封装形状 | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR | RECTANGULAR | - |
| 封装形式 | IN-LINE | - | IN-LINE | IN-LINE | - |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 240 | - | 240 | 240 | - |
| 电源 | +-15 V | - | +-15 V | +-15 V | - |
| 认证状态 | Not Qualified | - | Not Qualified | Not Qualified | - |
| 座面最大高度 | 5.842 mm | - | 4.572 mm | 5.842 mm | - |
| 最大供电电压 (Vsup) | 18 V | - | 18 V | 18 V | - |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | - | 4.5 V | 4.5 V | - |
| 标称供电电压 (Vsup) | 15 V | - | 15 V | 15 V | - |
| 表面贴装 | NO | - | NO | NO | - |
| 最长断开时间 | 350 ns | - | 350 ns | 350 ns | - |
| 最长接通时间 | 500 ns | - | 500 ns | 500 ns | - |
| 切换 | BREAK-BEFORE-MAKE | - | BREAK-BEFORE-MAKE | BREAK-BEFORE-MAKE | - |
| 技术 | CMOS | - | CMOS | CMOS | - |
| 温度等级 | INDUSTRIAL | - | COMMERCIAL | COMMERCIAL | - |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | - | Tin/Lead (Sn85Pb15) | Tin/Lead (Sn85Pb15) | - |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | - | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | - |
| 端子节距 | 2.54 mm | - | 2.54 mm | 2.54 mm | - |
| 端子位置 | DUAL | - | DUAL | DUAL | - |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 20 | - | 20 | 20 | - |
| 宽度 | 7.62 mm | - | 7.62 mm | 7.62 mm | - |
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