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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> CBR2-L060M
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CBR2-L060M

产品描述2 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小529KB，共3页
制造商Central Semiconductor
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CBR2-L060M概述

2 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE

CBR2-L060M规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Central Semiconductor
Reach Compliance Code_compli
最小击穿电压600 V
配置BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.1 V
JESD-30 代码R-PSIP-T4
JESD-609代码e0
最大非重复峰值正向电流60 A
元件数量4
相数1
端子数量4
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流2 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压600 V
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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CBR1-L010M SERIES
SILICON BRIDGE RECTIFIERS
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CBR1-L010M series
types are silicon single phase, full wave bridge rectifiers
designed for general purpose applications.
MARKING: FULL PART NUMBER
CASE B-M
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C unless otherwise noted)
CBR1
SYMBOL -L010M -L020M -L040M -L060M -L080M -L100M UNITS
Peak Repetitive Reverse Voltage
VRRM
100
200
400
600
800
1000
V
DC Blocking Voltage
VR
100
200
400
600
800
1000
V
RMS Reverse Voltage
Average Forward Current (TA=50°C)
Peak Forward Surge Current
Operating and Storage
Junction Temperature
ELECTRICAL
SYMBOL
IR
IR
VF
VR(RMS)
IO
IFSM
TJ, Tstg
70
140
280
1.5
50
-65 to +150
420
560
700
V
A
A
°C
CHARACTERISTICS PER DIODE:
(TA=25°C unless otherwise noted)
TEST CONDITIONS
MIN
MAX
VR=Rated VRRM
10
VR=Rated VRRM, TA=125°C
500
IF=1.0A
1.0
UNITS
μA
μA
V
R1 (25-February 2013)

CBR2-L060M相似产品对比

CBR2-L060M CBR1-L0100M CBR1-L040M CBR1-L020M CBR2-L0100M CBR2-L040M
描述 2 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 2 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 2 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 2 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 2 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 2 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
最小击穿电压 600 V 200 V 400 V 200 V 200 V 400 V
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
二极管类型 BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大非重复峰值正向电流 60 A 60 A 50 A 50 A 60 A 60 A
元件数量 4 4 4 4 4 4
相数 1 1 1 1 1 1
端子数量 4 4 4 4 4 4
最大输出电流 2 A 2 A 1.5 A 1.5 A 2 A 2 A
最大重复峰值反向电压 600 V 200 V 400 V 200 V 200 V 400 V
表面贴装 NO NO NO NO NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE WIRE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE WIRE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
是否无铅 含铅 - 含铅 含铅 - 含铅
是否Rohs认证 不符合 - 不符合 不符合 - 不符合
厂商名称 Central Semiconductor - Central Semiconductor Central Semiconductor - Central Semiconductor
Reach Compliance Code _compli - _compli _compli - _compli
配置 BRIDGE, 4 ELEMENTS - BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS - BRIDGE, 4 ELEMENTS
最大正向电压 (VF) 1.1 V - 1 V 1 V - 1.1 V
JESD-30 代码 R-PSIP-T4 - R-PSIP-T4 R-PSIP-T4 - R-PSIP-T4
JESD-609代码 e0 - e0 e0 - e0
最高工作温度 150 °C - 150 °C 150 °C - 150 °C
最低工作温度 -65 °C - -65 °C -65 °C - -65 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR - RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE - IN-LINE IN-LINE - IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED
认证状态 Not Qualified - Not Qualified Not Qualified - Not Qualified
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) - Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) - Tin/Lead (Sn/Pb)
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED

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