Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> CBR1-L020M

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CBR1-L020M: 产品描述2 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小529KB，共3页; 制造商Central Semiconductor

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CBR1-L020M概述

2 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE

CBR1-L020M规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Central Semiconductor
Reach Compliance Code	_compli
ECCN代码	EAR99
最小击穿电压	200 V
配置	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1 V
JESD-30 代码	R-PSIP-T4
JESD-609代码	e0
最大非重复峰值正向电流	50 A
元件数量	4
相数	1
端子数量	4
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-65 °C
最大输出电流	1.5 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	200 V
表面贴装	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED

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CBR1-L010M SERIES

SILICON BRIDGE RECTIFIERS

w w w. c e n t r a l s e m i . c o m

DESCRIPTION:

The CENTRAL SEMICONDUCTOR CBR1-L010M series

types are silicon single phase, full wave bridge rectifiers

designed for general purpose applications.

MARKING: FULL PART NUMBER

CASE B-M

MAXIMUM RATINGS:

(TA=25°C unless otherwise noted)

CBR1

SYMBOL -L010M -L020M -L040M -L060M -L080M -L100M UNITS

Peak Repetitive Reverse Voltage

VRRM

100

200

400

600

800

1000

DC Blocking Voltage

100

200

400

600

800

1000

RMS Reverse Voltage

Average Forward Current (TA=50°C)

Peak Forward Surge Current

Operating and Storage

Junction Temperature

ELECTRICAL

SYMBOL

VR(RMS)

IFSM

TJ, Tstg

140

280

1.5

-65 to +150

420

560

700

°C

CHARACTERISTICS PER DIODE:

(TA=25°C unless otherwise noted)

TEST CONDITIONS

MIN

MAX

VR=Rated VRRM

VR=Rated VRRM, TA=125°C

500

IF=1.0A

1.0

UNITS

μA

R1 (25-February 2013)

CBR1-L020M相似产品对比

	CBR1-L020M	CBR1-L0100M	CBR1-L040M	CBR2-L0100M	CBR2-L040M	CBR2-L060M
描述	2 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE	2 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE	2 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE	2 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE	2 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE	2 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
最小击穿电压	200 V	200 V	400 V	200 V	400 V	600 V
二极管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
二极管类型	BRIDGE RECTIFIER DIODE	BRIDGE RECTIFIER DIODE	BRIDGE RECTIFIER DIODE	BRIDGE RECTIFIER DIODE	BRIDGE RECTIFIER DIODE	BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大非重复峰值正向电流	50 A	60 A	50 A	60 A	60 A	60 A
元件数量	4	4	4	4	4	4
相数	1	1	1	1	1	1
端子数量	4	4	4	4	4	4
最大输出电流	1.5 A	2 A	1.5 A	2 A	2 A	2 A
最大重复峰值反向电压	200 V	200 V	400 V	200 V	400 V	600 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO
端子形式	THROUGH-HOLE	WIRE	THROUGH-HOLE	WIRE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
是否无铅	含铅	-	含铅	-	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	-	不符合	-	不符合	不符合
厂商名称	Central Semiconductor	-	Central Semiconductor	-	Central Semiconductor	Central Semiconductor
Reach Compliance Code	_compli	-	_compli	-	_compli	_compli
配置	BRIDGE, 4 ELEMENTS	-	BRIDGE, 4 ELEMENTS	-	BRIDGE, 4 ELEMENTS	BRIDGE, 4 ELEMENTS
最大正向电压 (VF)	1 V	-	1 V	-	1.1 V	1.1 V
JESD-30 代码	R-PSIP-T4	-	R-PSIP-T4	-	R-PSIP-T4	R-PSIP-T4
JESD-609代码	e0	-	e0	-	e0	e0
最高工作温度	150 °C	-	150 °C	-	150 °C	150 °C
最低工作温度	-65 °C	-	-65 °C	-	-65 °C	-65 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	-	IN-LINE	-	IN-LINE	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified	-	Not Qualified	-	Not Qualified	Not Qualified
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	-	Tin/Lead (Sn/Pb)	-	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED

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