Datasheet> 器件分类 > 半导体> 分立半导体> CBR2-L0100M

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CBR2-L0100M: 产品描述2 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小529KB，共3页; 制造商Central Semiconductor

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CBR2-L0100M概述

2 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE

CBR2-L0100M规格参数

参数名称	属性值
最小击穿电压	200 V
元件数量	4
端子数量	4
each_compli	Yes
状态	Active
二极管类型	BRIDGE RECTIFIER DIODE
结构	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料	SILICON
最大正向电压	1.1 V
jesd_30_code	R-PSIP-W4
jesd_609_code	e0
moisture_sensitivity_level	NOT SPECIFIED
最大非重复峰值正向电流	60 A
相数	1
最大工作温度	175 Cel
最大输出电流	2 A
包装材料	PLASTIC/EPOXY
包装形状	RECTANGULAR
包装尺寸	IN-LINE
eak_reflow_temperature__cel_	NOT SPECIFIED
qualification_status	COMMERCIAL
最大重复峰值反向电压	200 V
sub_category	Bridge Rectifier Diodes
表面贴装	NO
端子涂层	TIN LEAD
端子形式	WIRE
端子位置	SINGLE
ime_peak_reflow_temperature_max__s_	NOT SPECIFIED

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CBR1-L010M SERIES

SILICON BRIDGE RECTIFIERS

w w w. c e n t r a l s e m i . c o m

DESCRIPTION:

The CENTRAL SEMICONDUCTOR CBR1-L010M series

types are silicon single phase, full wave bridge rectifiers

designed for general purpose applications.

MARKING: FULL PART NUMBER

CASE B-M

MAXIMUM RATINGS:

(TA=25°C unless otherwise noted)

CBR1

SYMBOL -L010M -L020M -L040M -L060M -L080M -L100M UNITS

Peak Repetitive Reverse Voltage

VRRM

100

200

400

600

800

1000

DC Blocking Voltage

100

200

400

600

800

1000

RMS Reverse Voltage

Average Forward Current (TA=50°C)

Peak Forward Surge Current

Operating and Storage

Junction Temperature

ELECTRICAL

SYMBOL

VR(RMS)

IFSM

TJ, Tstg

140

280

1.5

-65 to +150

420

560

700

°C

CHARACTERISTICS PER DIODE:

(TA=25°C unless otherwise noted)

TEST CONDITIONS

MIN

MAX

VR=Rated VRRM

VR=Rated VRRM, TA=125°C

500

IF=1.0A

1.0

UNITS

μA

R1 (25-February 2013)

CBR2-L0100M相似产品对比

	CBR2-L0100M	CBR1-L0100M	CBR1-L040M	CBR1-L020M	CBR2-L040M	CBR2-L060M
描述	2 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE	2 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE	2 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE	2 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE	2 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE	2 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
最小击穿电压	200 V	200 V	400 V	200 V	400 V	600 V
元件数量	4	4	4	4	4	4
端子数量	4	4	4	4	4	4
二极管类型	BRIDGE RECTIFIER DIODE	BRIDGE RECTIFIER DIODE	BRIDGE RECTIFIER DIODE	BRIDGE RECTIFIER DIODE	BRIDGE RECTIFIER DIODE	BRIDGE RECTIFIER DIODE
二极管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
最大非重复峰值正向电流	60 A	60 A	50 A	50 A	60 A	60 A
相数	1	1	1	1	1	1
最大输出电流	2 A	2 A	1.5 A	1.5 A	2 A	2 A
最大重复峰值反向电压	200 V	200 V	400 V	200 V	400 V	600 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO
端子形式	WIRE	WIRE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
是否无铅	-	-	含铅	含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	-	-	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	-	-	Central Semiconductor	Central Semiconductor	Central Semiconductor	Central Semiconductor
Reach Compliance Code	-	-	_compli	_compli	_compli	_compli
配置	-	-	BRIDGE, 4 ELEMENTS	BRIDGE, 4 ELEMENTS	BRIDGE, 4 ELEMENTS	BRIDGE, 4 ELEMENTS
最大正向电压 (VF)	-	-	1 V	1 V	1.1 V	1.1 V
JESD-30 代码	-	-	R-PSIP-T4	R-PSIP-T4	R-PSIP-T4	R-PSIP-T4
JESD-609代码	-	-	e0	e0	e0	e0
最高工作温度	-	-	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
最低工作温度	-	-	-65 °C	-65 °C	-65 °C	-65 °C
封装主体材料	-	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	-	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	-	-	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）	-	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
认证状态	-	-	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
端子面层	-	-	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
处于峰值回流温度下的最长时间	-	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED

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