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SST39VF400A-70-4C-C1QE

产品描述Flash Memory 2.7V to 3.6V 4Mb Multi-Purpose Flash
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文件大小743KB,共31页
制造商Microchip(微芯科技)
官网地址https://www.microchip.com
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SST39VF400A-70-4C-C1QE在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
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SST39VF400A-70-4C-C1QE概述

Flash Memory 2.7V to 3.6V 4Mb Multi-Purpose Flash

SST39VF400A-70-4C-C1QE规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Microchip(微芯科技)
零件包装代码DSBGA
包装说明4 X 6 MM, 0.50 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, MO-207CZB-4, XFLGA-48
针数48
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最长访问时间70 ns
命令用户界面YES
通用闪存接口YES
数据轮询YES
JESD-30 代码R-PBGA-B48
JESD-609代码e1
长度6 mm
内存密度4194304 bit
内存集成电路类型FLASH
内存宽度16
功能数量1
部门数/规模128
端子数量48
字数262144 words
字数代码256000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织256KX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码VFLGA
封装等效代码LGA48,6X11,20
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源3/3.3 V
编程电压2.7 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度0.52 mm
部门规模2K
最大待机电流0.00002 A
最大压摆率0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层TIN SILVER COPPER
端子形式BUTT
端子节距0.5 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间40
切换位YES
类型NOR TYPE
宽度4 mm

SST39VF400A-70-4C-C1QE相似产品对比

SST39VF400A-70-4C-C1QE SST39VF800A-90-4I-B3KE-T SST39VF400A-70-4I-M1QE-T SST39VF800A-70-4I-M1QE SST39VF400A-70-4I-M1QE
描述 Flash Memory 2.7V to 3.6V 4Mb Multi-Purpose Flash Flash Memory 2.7 to 3.6V 8Mbit Multi-Purpose Flash Flash Memory 2.7V to 3.6V 4Mb Multi-Purpose Flash Flash Memory 2.7 to 3.6V 8Mbit Multi-Purpose Flash NOR Flash 2.7V to 3.6V 4Mb Multi-Purpose Flash
是否Rohs认证 符合 - 符合 符合 符合
厂商名称 Microchip(微芯科技) - Microchip(微芯科技) Microchip(微芯科技) Microchip(微芯科技)
零件包装代码 DSBGA - - DSBGA DSBGA
包装说明 4 X 6 MM, 0.50 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, MO-207CZB-4, XFLGA-48 - - VFBGA, BGA48,6X11,20 4 X 6 MM, 0.50 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, MO-207C2B-4, WFBGA-48
针数 48 - - 48 48
Reach Compliance Code compliant - compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 - - EAR99 EAR99
最长访问时间 70 ns - 70 ns 70 ns 70 ns
命令用户界面 YES - YES YES YES
通用闪存接口 YES - YES YES YES
数据轮询 YES - YES YES YES
JESD-30 代码 R-PBGA-B48 - R-PBGA-B48 R-PBGA-B48 R-PBGA-B48
JESD-609代码 e1 - e1 e1 e1
长度 6 mm - - 6 mm 6 mm
内存密度 4194304 bit - 4194304 bit 8388608 bit 4194304 bit
内存集成电路类型 FLASH - FLASH FLASH FLASH
内存宽度 16 - 16 16 16
功能数量 1 - - 1 1
部门数/规模 128 - 128 256 128
端子数量 48 - 48 48 48
字数 262144 words - 262144 words 524288 words 262144 words
字数代码 256000 - 256000 512000 256000
工作模式 ASYNCHRONOUS - - ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C - 85 °C 85 °C 85 °C
最低工作温度 - - -40 °C -40 °C -40 °C
组织 256KX16 - 256KX16 512KX16 256KX16
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 VFLGA - FBGA VFBGA VFBGA
封装等效代码 LGA48,6X11,20 - BGA48,6X11,20 BGA48,6X11,20 BGA48,6X11,20
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH - GRID ARRAY, FINE PITCH GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行 PARALLEL - PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) 260 - 260 260 260
电源 3/3.3 V - 3/3.3 V 3/3.3 V 3/3.3 V
编程电压 2.7 V - - 2.7 V 2.7 V
认证状态 Not Qualified - Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 0.52 mm - - 0.73 mm 0.73 mm
部门规模 2K - 2K 2K 2K
最大待机电流 0.00002 A - 0.00002 A 0.00002 A 0.00002 A
最大压摆率 0.03 mA - 0.03 mA 0.03 mA 0.03 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V - - 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 2.7 V - - 2.7 V 2.7 V
标称供电电压 (Vsup) 3 V - - 3 V 3 V
表面贴装 YES - YES YES YES
技术 CMOS - CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL - INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子面层 TIN SILVER COPPER - Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) TIN SILVER COPPER Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式 BUTT - BALL BALL BALL
端子节距 0.5 mm - 0.5 mm 0.5 mm 0.5 mm
端子位置 BOTTOM - BOTTOM BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 40 - 40 40 40
切换位 YES - YES YES YES
类型 NOR TYPE - NOR TYPE NOR TYPE NOR TYPE
宽度 4 mm - - 4 mm 4 mm
是否无铅 - - 不含铅 不含铅 不含铅
湿度敏感等级 - - 3 3 3

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