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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> RB050L-40TE25
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RB050L-40TE25

产品描述Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 0603 0.1uF 50volts X7R 10%
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小2MB，共8页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
标准
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RB050L-40TE25在线购买

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RB050L-40TE25概述

Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 0603 0.1uF 50volts X7R 10%

RB050L-40TE25规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称ROHM(罗姆半导体)
包装说明R-PDSO-C2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Samacsys DescriptionSchottky Barrier Diode: ROHM\'s schottky barrier diodes are low VF, low IR and high ESD resistant, suitable for PC,mobile phone and various portable electronics.
其他特性HIGH RELIABILITY
应用GENERAL PURPOSE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.55 V
JEDEC-95代码DO-214AC
JESD-30 代码R-PDSO-C2
最大非重复峰值正向电流70 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度125 °C
最大输出电流3 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压40 V
最大反向电流1000 µA
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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RB050L-40DD
Schottky Barrier Diode
(AEC-Q101 qualified)
Data sheet
　 　 　
　
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　
●
Outline
V
R
I
o
I
FSM
40
3
70
V
A
A
　
　
　
　
　
　
　
　　　
●
Features
High reliability
Small power mold type
Low V
F
●
Application
General rectification
●
Structure
Silicon epitaxial planar
●
Absolute Maximum Ratings (T
a
=25ºC unless otherwise specified)
ec
N
ew om
m
D
es en
ig de
ns d
f
●
Inner Circuit
●
Packaging Specifications
Packing
Embossed T
ape
Reel Size(mm)
180
T
aping Width(mm)
12
Basic Ordering Unit(pcs)
1500
T
aping Code
TE25
Marking
35
Parameter
Symbol
V
RM
V
R
I
o
Conditions
Repetitive peak reverse voltage
Reverse voltage
Duty
≦
0.5
Reverse direct voltage
or
Limits
40
40
3
70
-
-
125
-40
½
125
Unit
V
V
A
A
℃
℃
R
Average rectified forward current
Peak forward surge current
I
FSM
T
j
T
stg
Glass epoxy mounted
、
60Hz half sin waveform
、
resistive load
、
T
l
=75
℃
Max.
60Hz half sin waveform
、
Non-repetitive
、
one cycle
、
T
a
=25
℃
N
ot
Junction temperature
(1)
Storage temperature
Note(1) T avoid occurrence of thermal runaway
，
actual board is to be designed to fulfill dP
d
/dT
j
<1/R
th(j-a)
.
o
●
Characteristics (T
a
=25ºC unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
V
F1
V
F2
I
R
θ
j-a
θ
j-l
Conditions
I
F
=3.0A
I
F
=1.5A
V
R
=40V
Mounted on alumina board
Mounted on glass epoxy board
Mounted on alumina board
Min. Typ. Max. Unit
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.55 V
0.50 V
1
mA
90
℃
/W
120
℃
/W
25
℃
/W
Forward voltage
Reverse current
Thermal impedance
Attention
www.rohm.com
© 2017 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
1/5
　
　 　 　 　
　
　 　
　
2017/05/16_Rev.001

RB050L-40TE25相似产品对比

RB050L-40TE25 RB050L-40DDTE25
描述 Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 0603 0.1uF 50volts X7R 10% Schottky Diodes u0026 Rectifiers PNP Driver Transistor
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 ROHM(罗姆半导体) ROHM(罗姆半导体)
包装说明 R-PDSO-C2 R-PDSO-C2
Reach Compliance Code compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
Samacsys Description Schottky Barrier Diode: ROHM\'s schottky barrier diodes are low VF, low IR and high ESD resistant, suitable for PC,mobile phone and various portable electronics. Schottky Diodes & Rectifiers PNP Driver Transistor
其他特性 HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY
应用 GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE
配置 SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 0.55 V 0.55 V
JEDEC-95代码 DO-214AC DO-214AC
JESD-30 代码 R-PDSO-C2 R-PDSO-C2
最大非重复峰值正向电流 70 A 70 A
元件数量 1 1
相数 1 1
端子数量 2 2
最高工作温度 125 °C 125 °C
最大输出电流 3 A 3 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压 40 V 40 V
最大反向电流 1000 µA 1000 µA
表面贴装 YES YES
技术 SCHOTTKY SCHOTTKY
端子形式 C BEND C BEND
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED

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