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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> RB050L-40DDTE25
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RB050L-40DDTE25

产品描述Schottky Diodes u0026 Rectifiers PNP Driver Transistor
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小2MB，共8页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
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RB050L-40DDTE25在线购买

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RB050L-40DDTE25概述

Schottky Diodes u0026 Rectifiers PNP Driver Transistor

RB050L-40DDTE25规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称ROHM(罗姆半导体)
包装说明R-PDSO-C2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Samacsys DescriptionSchottky Diodes & Rectifiers PNP Driver Transistor
其他特性HIGH RELIABILITY
应用GENERAL PURPOSE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.55 V
JEDEC-95代码DO-214AC
JESD-30 代码R-PDSO-C2
湿度敏感等级1
最大非重复峰值正向电流70 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度125 °C
最大输出电流3 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
参考标准AEC-Q101
最大重复峰值反向电压40 V
最大反向电流1000 µA
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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RB050L-40DD
Schottky Barrier Diode
(AEC-Q101 qualified)
Data sheet
　 　 　
　
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　
●
Outline
V
R
I
o
I
FSM
40
3
70
V
A
A
　
　
　
　
　
　
　
　　　
●
Features
High reliability
Small power mold type
Low V
F
●
Application
General rectification
●
Structure
Silicon epitaxial planar
●
Absolute Maximum Ratings (T
a
=25ºC unless otherwise specified)
ec
N
ew om
m
D
es en
ig de
ns d
f
●
Inner Circuit
●
Packaging Specifications
Packing
Embossed T
ape
Reel Size(mm)
180
T
aping Width(mm)
12
Basic Ordering Unit(pcs)
1500
T
aping Code
TE25
Marking
35
Parameter
Symbol
V
RM
V
R
I
o
Conditions
Repetitive peak reverse voltage
Reverse voltage
Duty
≦
0.5
Reverse direct voltage
or
Limits
40
40
3
70
-
-
125
-40
½
125
Unit
V
V
A
A
℃
℃
R
Average rectified forward current
Peak forward surge current
I
FSM
T
j
T
stg
Glass epoxy mounted
、
60Hz half sin waveform
、
resistive load
、
T
l
=75
℃
Max.
60Hz half sin waveform
、
Non-repetitive
、
one cycle
、
T
a
=25
℃
N
ot
Junction temperature
(1)
Storage temperature
Note(1) T avoid occurrence of thermal runaway
，
actual board is to be designed to fulfill dP
d
/dT
j
<1/R
th(j-a)
.
o
●
Characteristics (T
a
=25ºC unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
V
F1
V
F2
I
R
θ
j-a
θ
j-l
Conditions
I
F
=3.0A
I
F
=1.5A
V
R
=40V
Mounted on alumina board
Mounted on glass epoxy board
Mounted on alumina board
Min. Typ. Max. Unit
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.55 V
0.50 V
1
mA
90
℃
/W
120
℃
/W
25
℃
/W
Forward voltage
Reverse current
Thermal impedance
Attention
www.rohm.com
© 2017 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
1/5
　
　 　 　 　
　
　 　
　
2017/05/16_Rev.001

RB050L-40DDTE25相似产品对比

RB050L-40DDTE25 RB050L-40TE25
描述 Schottky Diodes u0026 Rectifiers PNP Driver Transistor Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 0603 0.1uF 50volts X7R 10%
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 ROHM(罗姆半导体) ROHM(罗姆半导体)
包装说明 R-PDSO-C2 R-PDSO-C2
Reach Compliance Code compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
Samacsys Description Schottky Diodes & Rectifiers PNP Driver Transistor Schottky Barrier Diode: ROHM\'s schottky barrier diodes are low VF, low IR and high ESD resistant, suitable for PC,mobile phone and various portable electronics.
其他特性 HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY
应用 GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE
配置 SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 0.55 V 0.55 V
JEDEC-95代码 DO-214AC DO-214AC
JESD-30 代码 R-PDSO-C2 R-PDSO-C2
最大非重复峰值正向电流 70 A 70 A
元件数量 1 1
相数 1 1
端子数量 2 2
最高工作温度 125 °C 125 °C
最大输出电流 3 A 3 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压 40 V 40 V
最大反向电流 1000 µA 1000 µA
表面贴装 YES YES
技术 SCHOTTKY SCHOTTKY
端子形式 C BEND C BEND
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED

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