电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

MJD350-1

产品描述POWER TRANSISTOR
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小113KB,共4页
制造商Motorola ( NXP )
官网地址https://www.nxp.com
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

MJD350-1概述

POWER TRANSISTOR

功率晶体管

MJD350-1规格参数

参数名称属性值
厂商名称Motorola ( NXP )
包装说明IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Codeunknow
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)0.5 A
集电极-发射极最大电压300 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)30
JESD-30 代码R-PSIP-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
极性/信道类型PNP
功耗环境最大值15 W
最大功率耗散 (Abs)15 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

MJD350-1相似产品对比

MJD350-1 MJD350T4 MJD350 MJD340T4 MJD340-1 MJD340
描述 POWER TRANSISTOR POWER TRANSISTOR POWER TRANSISTOR 0.5 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252 POWER TRANSISTOR POWER TRANSISTOR
厂商名称 Motorola ( NXP ) Motorola ( NXP ) Motorola ( NXP ) Motorola ( NXP ) Motorola ( NXP ) Motorola ( NXP )
包装说明 IN-LINE, R-PSIP-T3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G2 IN-LINE, R-PSIP-T3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G2
Reach Compliance Code unknow unknow unknow unknow unknow unknow
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 0.5 A 0.5 A 0.5 A 0.5 A 0.5 A 0.5 A
集电极-发射极最大电压 300 V 300 V 300 V 300 V 300 V 300 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 30 30 30 30 30 30
JESD-30 代码 R-PSIP-T3 R-PDSO-G2 R-PDSO-G2 R-PDSO-G2 R-PSIP-T3 R-PDSO-G2
元件数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 3 2 2 2 3 2
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE IN-LINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 PNP PNP PNP NPN NPN NPN
功耗环境最大值 15 W 15 W 15 W 15 W 15 W 15 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO YES YES YES NO YES
端子形式 THROUGH-HOLE GULL WING GULL WING GULL WING THROUGH-HOLE GULL WING
端子位置 SINGLE DUAL DUAL DUAL SINGLE DUAL
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
JESD-609代码 e0 - e0 - e0 e0
最大功率耗散 (Abs) 15 W - 15 W - 15 W 15 W
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) - Tin/Lead (Sn/Pb) - Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)

技术资料推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 293  477  684  875  1175 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved