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MJD350T4

产品描述POWER TRANSISTOR
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小113KB,共4页
制造商Motorola ( NXP )
官网地址https://www.nxp.com
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MJD350T4概述

POWER TRANSISTOR

功率晶体管

MJD350T4规格参数

参数名称属性值
厂商名称Motorola ( NXP )
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G2
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)0.5 A
集电极-发射极最大电压300 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)30
JESD-30 代码R-PDSO-G2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型PNP
功耗环境最大值15 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

MJD350T4相似产品对比

MJD350T4 MJD350-1 MJD350 MJD340T4 MJD340-1 MJD340
描述 POWER TRANSISTOR POWER TRANSISTOR POWER TRANSISTOR 0.5 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252 POWER TRANSISTOR POWER TRANSISTOR
厂商名称 Motorola ( NXP ) Motorola ( NXP ) Motorola ( NXP ) Motorola ( NXP ) Motorola ( NXP ) Motorola ( NXP )
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G2 IN-LINE, R-PSIP-T3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G2 IN-LINE, R-PSIP-T3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G2
Reach Compliance Code unknow unknow unknow unknow unknow unknow
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 0.5 A 0.5 A 0.5 A 0.5 A 0.5 A 0.5 A
集电极-发射极最大电压 300 V 300 V 300 V 300 V 300 V 300 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 30 30 30 30 30 30
JESD-30 代码 R-PDSO-G2 R-PSIP-T3 R-PDSO-G2 R-PDSO-G2 R-PSIP-T3 R-PDSO-G2
元件数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 2 3 2 2 3 2
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE IN-LINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE IN-LINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 PNP PNP PNP NPN NPN NPN
功耗环境最大值 15 W 15 W 15 W 15 W 15 W 15 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES NO YES YES NO YES
端子形式 GULL WING THROUGH-HOLE GULL WING GULL WING THROUGH-HOLE GULL WING
端子位置 DUAL SINGLE DUAL DUAL SINGLE DUAL
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
JESD-609代码 - e0 e0 - e0 e0
最大功率耗散 (Abs) - 15 W 15 W - 15 W 15 W
端子面层 - Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) - Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
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