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thm-d20e

eeworld网站中关于thm-d20e有9个元器件。有THMD25E11B70、THMD25E11B75等。可以通过横向对比他们之间的异同,来寻找器件间替代的可能。
器件名 厂商 描 述 功能
THMD25E11B70 Toshiba(东芝) IC 32M X 72 DDR DRAM MODULE, 0.75 ns, DMA184, Dynamic RAM 下载
THMD25E11B75 Toshiba(东芝) IC 32M X 72 DDR DRAM MODULE, 0.75 ns, DMA184, Dynamic RAM 下载
THMD25E11B80 Toshiba(东芝) IC 32M X 72 DDR DRAM MODULE, 0.8 ns, DMA184, Dynamic RAM 下载
THMD25E30B70 Toshiba(东芝) IC 32M X 72 DDR DRAM MODULE, 0.75 ns, DMA184, Dynamic RAM 下载
THMD25E30B75 Toshiba(东芝) IC 32M X 72 DDR DRAM MODULE, 0.75 ns, DMA184, Dynamic RAM 下载
THMD25E30B80 Toshiba(东芝) IC 32M X 72 DDR DRAM MODULE, 0.8 ns, DMA184, Dynamic RAM 下载
THMD25N11B70 Toshiba(东芝) IC 32M X 64 DDR DRAM MODULE, 0.75 ns, DMA184, Dynamic RAM 下载
THMD25N11B75 Toshiba(东芝) IC 32M X 64 DDR DRAM MODULE, 0.75 ns, DMA184, Dynamic RAM 下载
THMD25N11B80 Toshiba(东芝) IC 32M X 64 DDR DRAM MODULE, 0.8 ns, DMA184, Dynamic RAM 下载
关于thm-d20e相关文档资料:
对应元器件 pdf文档资料下载
THMD25E30B80 、 THMD25E30B75 下载文档
THMD25E11B70 、 THMD25E11B75 下载文档
THMD25N11B70 、 THMD25N11B75 下载文档
THMD25N11B80 下载文档
THMD25E30B70 下载文档
THMD25E11B80 下载文档
thm-d20e资料比对:
型号 THMD25E30B75 THMD25E30B80
描述 IC 32M X 72 DDR DRAM MODULE, 0.75 ns, DMA184, Dynamic RAM IC 32M X 72 DDR DRAM MODULE, 0.8 ns, DMA184, Dynamic RAM
包装说明 , ,
Reach Compliance Code unknown unknown
访问模式 SINGLE BANK PAGE BURST SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间 0.75 ns 0.8 ns
其他特性 AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码 R-XDMA-N184 R-XDMA-N184
内存密度 2415919104 bit 2415919104 bit
内存集成电路类型 DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE
内存宽度 72 72
功能数量 1 1
端口数量 1 1
端子数量 184 184
字数 33554432 words 33554432 words
字数代码 32000000 32000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C
组织 32MX72 32MX72
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态 Not Qualified Not Qualified
自我刷新 YES YES
最大供电电压 (Vsup) 2.7 V 2.7 V
最小供电电压 (Vsup) 2.3 V 2.3 V
标称供电电压 (Vsup) 2.5 V 2.5 V
表面贴装 NO NO
技术 CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 NO LEAD NO LEAD
端子位置 DUAL DUAL
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